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公开(公告)号：CN118039472A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211358217.0
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/308 , H01L29/06
摘要： 一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构，包括：在SiC衬底表面依次沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；对所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜进行湿法侧向腐蚀，得到具有预设角度台面的第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；基于所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜，对所述SiC衬底进行干法刻蚀，得到具有目标角度台面的SiC衬底；其中，所述第一SiO2薄膜的致密度大于所述第二SiO2薄膜的致密度；本发明通过将湿法腐蚀和干法刻蚀相结合能够有效实现二氧化硅台阶形貌转移，最终得到小角度、底部平缓、侧壁光滑的SiC台面，进而提高刻蚀小角度SiC平缓台面的制备效率。
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公开(公告)号：CN118039464A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211357785.9
申请日：2022-11-01
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 一种减少碳化硅表面损伤的离子注入方法及碳化硅器件，包括：在碳化硅晶圆上依次生长第一掩膜介质层和第二掩膜介质层；在所述第二掩膜介质层上进行干法刻蚀，得到具有预设图案的第二掩膜介质层；对所述第一掩膜介质层进行退火处理，形成致密均匀的第一掩膜介质层；基于所述第一掩膜介质层和第二掩膜介质层对碳化硅晶圆进行离子注入；其中，所述第二掩膜介质层与所述第一掩膜介质层的厚度和材质不同。本发明中采取两层介质膜进行离子注入，由于第一掩膜介质层的存在，在对第二掩膜介质层进行刻蚀时可自截止在第二掩膜介质层刻蚀完成的地方，剩余的第一掩膜介质层可以防止刻蚀离子和注入离子对碳化硅晶圆表面轰击造成损伤。
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公开(公告)号：CN108767885B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201810291223.6
申请日：2018-04-03
申请人： 国家电网有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司经济技术研究院
摘要： 本发明提供了一种动态泄能装置、设备及直流供电系统，其中动态泄能装置包括：在直流输电线和第一地线之间串联的至少两个动态泄能模块，动态泄能模块的输入端与直流输电线路之间设置有第一开关，和/或，动态泄能模块的接地端与第一地线之间设置有第一开关；串联的至少两个动态泄能模块之间连接第二地线。在直流输电系统连续换相失败的故障清除时，断开第一开关，可以迅速的切除动态泄能装置，避免在直流供电系统恢复的过程中电容充电带来的系统恢复慢的问题，可以使系统较为迅速的回复正常运行。在串联的动态泄能模块之间设置第二地线可以较为有效的有降低系统绝缘水平。
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公开(公告)号：CN112311273B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910712391.2
申请日：2019-08-02
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于谐振回路的混合式换流器拓扑结构及其控制方法，所述拓扑结构为三相六桥臂电路，所述三相六桥臂电路通过换流变压器接入交流电网；所述三相六桥臂电路每相的上下桥臂由阀模块组成；所述阀模块由主支路和与所述主支路并联的辅助阀组成，或者由晶闸管阀和与所述晶闸管阀并联的辅助支路组成；所述主支路由串联的晶闸管阀和谐振换流回路组成；所述辅助支路由串联的辅助阀和谐振换流回路组成。本发明提供的混合式换流器拓扑结构，充分利用了LC谐振放电回路，强迫转移换相电流、灵活控制晶闸管阀换相电压时间面积，保证晶闸管阀具有足够的反向恢复时间可靠关断，能够有效解决直流系统换相失败的问题。
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公开(公告)号：CN116660706A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310398005.3
申请日：2023-04-13
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种碳化硅器件动态性能测试电路及方法，所述测试电路包括直流电容、第一辅助器件、第一被测器件、第二辅助器件、第二被测器件和负载电感；所述电容为被测电路提供电压支撑以及在器件开通过程中提供能量；所述第一辅助器件用于配合第一被测器件使用；所述第二辅助器件用于配合第二被测器件T4使用，在预应力控制区，持续呈现阻断状态；所述负载电感为被测电路提供负载，控制器件开通时电流峰值。本发明针对碳化硅器件阈值电压易漂移的特点，在双脉冲测试前增加预应力控制区，使得碳化硅器件在测试前产生特定的阈值漂移现象，从而能够准确地评估阈值漂移对碳化硅器件的动态特性的影响。
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公开(公告)号：CN115763236A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211350789.4
申请日：2022-10-31
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/04 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/06 , B24B7/22 , B24B27/00
摘要： 本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构，包括：基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层；对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理；在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上沉积金属加厚层；对碳化硅晶圆正面进行机械划片，将所述碳化硅晶圆裂片分离成单个小芯片。本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理，再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理，可有效降低晶圆翘曲释放应力，从而降低碎片率，为后续采用机械划片提供了可能，避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题，进一步的提高了整个工艺的稳定性和芯片良率。
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公开(公告)号：CN110244217B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910358269.X
申请日：2019-04-30
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/327
摘要： 一种用于混合式高压直流断路器的试验方法。本发明通过低压大电流源、试验电感、电力电子模块组成的辅助通流支路和并联过压保护支路四部分，采用低压大电流源和电力电子模块组成的辅助通流支路产生连续稳定的试验电流，之后通过辅助通流支路将连续运行试验电路提供的电流换流至试品，即混合式高压直流断路器，从而完成试品额定电流关合试验能力的考察。
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公开(公告)号：CN115021220A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210551362.4
申请日：2022-05-18
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种直流系统的控制方法及系统，方法包括：实时检测所述直流系统是否故障，当所述直流系统故障时，判定所述直流系统的故障类型；按照所述直流系统的故障类型对应的控制机制，控制所述直流系统及所述消能装置的运行状态，消能装置的控制可实现多种直流系统在多种故障情况下的故障穿越，直流母线电压能够快速、稳定地控制在允许值以下，严重工况下可保护换流阀设备安全，增强系统运行性能。
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公开(公告)号：CN109599258B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201811351232.6
申请日：2018-11-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供了一种高压隔离变压器，包括一个或多个子变压器；当子变压器为一个时，高压隔离变压器与子变压器等同；当子变压器为多个时，多个子变压器采用级联形式连接，每个子变压器均并联均压装置，本发明提供的高压隔离变压器避免了局部放电难以控制的情况，电压等级可扩展至百千伏及以上，且利于绕组散热，可实现紧凑化空间的有效绝缘隔离，有效降低变压器绝缘设计难度和制造工艺难度及体积；本发明具有高绝缘耐受强度和低场强分布，同时可实现局部放电有效抑制，实现变压器的低局部放电设计，在百千伏以上电压等级的局部放电量不超过50pC；具有结构尺寸小、机械强度高、安装灵活等优点。
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公开(公告)号：CN113422358A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110831335.8
申请日：2021-07-22
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种有源振荡型直流断路器及其应用方法，直流断路器包括：通流支路、振荡支路及耗能支路，通流支路与振荡支路并联连接，耗能支路与通流支路并联连接，或耗能支路与振荡支路内部元件连接，当直流系统未故障时，振荡支路闭锁，通流支路导通直流负荷电流。当接收到分断命令时，控制振荡支路及通流支路内部元件的运行状态，使得振荡支路产生幅值快速增大的振荡电流，直至振荡电流与短路电流幅值相等、方向相反，从而使得通流支路可靠关断，从而克服了小电流开断重燃风险大、与系统振荡显著及设备成本相对高昂等问题，有利于实现直流断路器在直流输配电系统的大规模推广应用。
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