公开(公告)号：CN118039464A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211357785.9

申请日：2022-11-01

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 葛欢 ,  赵万利 ,  朱涛 ,  王锐 ,  孙俊敏 ,  李旭晗 ,  蔡依沙 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/16

摘要： 一种减少碳化硅表面损伤的离子注入方法及碳化硅器件，包括：在碳化硅晶圆上依次生长第一掩膜介质层和第二掩膜介质层；在所述第二掩膜介质层上进行干法刻蚀，得到具有预设图案的第二掩膜介质层；对所述第一掩膜介质层进行退火处理，形成致密均匀的第一掩膜介质层；基于所述第一掩膜介质层和第二掩膜介质层对碳化硅晶圆进行离子注入；其中，所述第二掩膜介质层与所述第一掩膜介质层的厚度和材质不同。本发明中采取两层介质膜进行离子注入，由于第一掩膜介质层的存在，在对第二掩膜介质层进行刻蚀时可自截止在第二掩膜介质层刻蚀完成的地方，剩余的第一掩膜介质层可以防止刻蚀离子和注入离子对碳化硅晶圆表面轰击造成损伤。

公开(公告)号：CN118039454A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211366740.8

申请日：2022-11-01

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网山西省电力公司信息通信分公司

发明人： 葛欢 ,  常树丞 ,  孙俊敏 ,  吴沛飞 ,  何荧峰 ,  李旭晗 ,  蔡依沙 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L23/29 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

摘要： 一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件，包括：在衬底晶圆上通过等离子体增强化学的气相沉积方法生长设定厚度的二氧化硅介质层；将所述二氧化硅介质层放置在包含氧气的气体氛围内，在退火温度大于预设温度条件下进行退火处理，形成致密的二氧化硅薄膜。本发明通过在包含氧气的气体氛围内，使退火温度大于预设温度条件下，通过大于预设温度的退火温度、退火时间以及包含氧气的气体氛围内对二氧化硅介质层进行退火，从而可以使二氧化硅介质层中处于畸变位置的一些原子，恢复到正常状态，可以进一步消除冻结的缺陷，发生各种再结晶，从而导致晶粒增大晶界减少，提高二氧化硅薄膜的致密性。