公开(公告)号：CN117690783A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202211103943.8

申请日：2022-09-09

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 葛欢 ,  常树丞 ,  孙俊敏

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/335

摘要： 一种横向离子掺杂的注入方法及其终端结构，包括：在碳化硅晶圆生长掩膜介质层，并对所述掩膜介质层上旋涂光刻胶的碳化硅晶圆进行光刻工艺；在靠近主结区一侧的光刻胶处通过光刻形成小孔，根据横向钻蚀的方法通过所述小孔向靠近截止环方向进行钻蚀形成倾角台面，并去除光刻胶；基于所述倾角台面，进行多次离子注入，形成从主结区至截止环方向由深逐渐变浅的横向变掺杂区，然后去除掩膜介质层。本发明通过掩膜倾角台面和注入能量和剂量的特殊设计，在主结至边缘区域内形成可控的深度与浓度的横向变掺杂，解决了高压功率半导体器件终端耐压问题，减小了终端结构工艺实现的难度，简化了工艺制程，在此基础上使得注入工艺可控，增强了工艺的稳定性。

公开(公告)号：CN118039464A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211357785.9

申请日：2022-11-01

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 葛欢 ,  赵万利 ,  朱涛 ,  王锐 ,  孙俊敏 ,  李旭晗 ,  蔡依沙 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/16

摘要： 一种减少碳化硅表面损伤的离子注入方法及碳化硅器件，包括：在碳化硅晶圆上依次生长第一掩膜介质层和第二掩膜介质层；在所述第二掩膜介质层上进行干法刻蚀，得到具有预设图案的第二掩膜介质层；对所述第一掩膜介质层进行退火处理，形成致密均匀的第一掩膜介质层；基于所述第一掩膜介质层和第二掩膜介质层对碳化硅晶圆进行离子注入；其中，所述第二掩膜介质层与所述第一掩膜介质层的厚度和材质不同。本发明中采取两层介质膜进行离子注入，由于第一掩膜介质层的存在，在对第二掩膜介质层进行刻蚀时可自截止在第二掩膜介质层刻蚀完成的地方，剩余的第一掩膜介质层可以防止刻蚀离子和注入离子对碳化硅晶圆表面轰击造成损伤。

公开(公告)号：CN117253789A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311239641.8

申请日：2023-09-25

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网山西省电力公司信息通信分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 孙俊敏 ,  葛欢 ,  朱涛 ,  阎海亮 ,  蔡依沙 ,  张丙可 ,  周行 ,  白雪 ,  董佳俊 ,  王海兴 ,  李嘉琳

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/41 ,  C09K13/06

摘要： 本发明提供了一种钛铝腐蚀底层钛超出铝边缘的腐蚀方法及器件，属于半导体制造技术领域。其中，方法包括：在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；在待腐蚀区域表面上旋涂光刻胶，并进行光刻处理，形成具有预设形状窗口的光刻胶膜；通过预设形状窗口对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀，然后根据刻蚀液对膜的腐蚀选择性特点，再进行钛铝金属膜腐蚀使铝层边缘缩进，去除光刻胶膜，从而实现底层钛超出铝边缘的腐蚀形貌。本发明通过二次铝层腐蚀的方法，既可以去除铝屋檐结构，又可以实现钛金属层超出铝层边缘的独特形貌，使金属电极接触更加充分，从而使边缘不易脱落，也为后续工艺提供更加良好的接触界面，以到提高芯片可靠性的目的。

公开(公告)号：CN114639605A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111437530.9

申请日：2021-11-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司

发明人： 吴沛飞 ,  赵万利 ,  葛欢 ,  高晋文 ,  王克胜

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供了一种高密度基因芯片阵列式圆孔形貌制备方法，通过在晶圆表面淀积氧化层；采用一次光刻工艺在淀积有氧化层的晶圆表面形成光刻胶掩膜图案；对所述光刻胶掩膜图案进行多次浸润及坚膜处理后，采用干法刻蚀工艺对所述光刻胶掩膜图案底部的氧化层进行刻蚀，形成阵列式圆孔形貌。本发明的制备方法中通过多次浸润及坚膜处理，调节了光刻胶的应力不均匀问题，并且实现了只需一次光刻工艺即可成形的高密度阵列式圆孔结构，不仅有效改善了基因芯片圆孔形貌的光刻胶掩膜结构和干法刻蚀后的圆孔形貌的工艺质量，而且极大简化了整个工艺流程，降低了成本。

公开(公告)号：CN117238766A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311238579.0

申请日：2023-09-25

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 孙俊敏 ,  朱涛 ,  蔡依沙 ,  葛欢 ,  张丙可 ,  白雪 ,  周行 ,  董佳俊 ,  王海兴 ,  王锐 ,  常树丞 ,  李哲洋 ,  金锐

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  C09K13/08

摘要： 本发明提供了一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在有氧化膜和高温退火镍金属膜的晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；旋涂光刻胶、进行光刻处理；对铝金属层进行腐蚀；配制钛腐蚀液，对金属钛层进行腐蚀；去除所述光刻胶膜，得到所述金属钛铝层的窗口形貌为预设形状。所述方法达到了既完成金属腐蚀，又不影响腐蚀区域的高温镍膜，氧化膜腐蚀量不影响芯片性能的目的。

公开(公告)号：CN116136651A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202111368347.8

申请日：2021-11-18

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 吴沛飞 ,  赵万利 ,  葛欢

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/20

摘要： 本发明提供一种改善晶圆显影中光刻胶漂胶的方法，包括下列步骤：(1)将晶圆置于HMDS气氛的烘箱中，在晶圆表面形成厚度为5～30纳米的HMDS粘膜用作为光刻胶增粘剂；(2)在晶圆表面已形成的所述HMDS粘膜上面旋涂光刻胶薄膜，然后烘干固化；(3)用步进扫描式I线光刻机对光刻胶薄膜进行曝光；(4)对晶圆表面旋转水洗、将显影液旋转式布满光刻薄膜表面且予以浸泡、旋转甩去显影液、再次旋转水洗；重复执行步骤(1)和(4)。

公开(公告)号：CN115763226A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202111027293.9

申请日：2021-09-02

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 葛欢 ,  吴沛飞 ,  赵万利

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/00 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种多台阶形貌的制备方法及其多级终端结构，其中制备方法包括：对硅晶圆涂覆光刻胶；采用具有不同曝光区域尺寸的多块光刻掩膜版依次对硅晶圆表面的光刻胶进行曝光处理；对经过曝光处理的硅晶圆表面的光刻胶进行显影处理，形成具有多台阶掩膜的硅晶圆；对具有多台阶掩膜的硅晶圆进行一次刻蚀，形成终端结构的多台阶形貌。本发明提供的技术方案在保证多台阶形貌最终效果的前提下简化了制备工艺，有效解决了对多台阶形貌制备过程中由于多次刻蚀与外延生长制备工艺的复杂性，难度较大等弊端。

公开(公告)号：CN114518699A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202011297090.7

申请日：2020-11-18

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司泰安供电公司

发明人： 葛欢 ,  田亮 ,  姜春艳 ,  吴斌 ,  齐向

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供了一种倒梯形光刻胶侧壁形貌的制备方法及光刻胶，其包括：预处理晶圆和中心定位；在所得晶圆上涂光刻胶和前烘；再次涂光刻胶和前烘；曝光、显影和坚膜；本发明提供的技术方案有效提高了lift‑off工艺掩膜层侧壁形貌的可控性，实现了图形的精准转移，且操作方法简单。

公开(公告)号：CN116264154A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111529273.1

申请日：2021-12-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司

发明人： 赵万利 ,  葛欢 ,  吴沛飞

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

摘要： 本发明提供了一种芯片制备方法，该法包括：晶圆打标号、晶圆预清洗、PECVD在晶圆表面沉积致密SiO2薄膜、涂覆光刻胶、步进式光刻机曝光、曝光后显影、步进式光刻机第二次套刻曝光、步进式光刻机第三次套刻曝光、曝光后显影、坚膜、干法刻蚀、去除光刻胶和自动划片。本发明提供的技术方案有效的解决了市场上对超大尺寸芯片制备的局限性，不仅可以制备任意大尺寸的芯片，并可实现自动划片。

公开(公告)号：CN118039454A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211366740.8

申请日：2022-11-01

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网山西省电力公司信息通信分公司

发明人： 葛欢 ,  常树丞 ,  孙俊敏 ,  吴沛飞 ,  何荧峰 ,  李旭晗 ,  蔡依沙 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L23/29 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

摘要： 一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件，包括：在衬底晶圆上通过等离子体增强化学的气相沉积方法生长设定厚度的二氧化硅介质层；将所述二氧化硅介质层放置在包含氧气的气体氛围内，在退火温度大于预设温度条件下进行退火处理，形成致密的二氧化硅薄膜。本发明通过在包含氧气的气体氛围内，使退火温度大于预设温度条件下，通过大于预设温度的退火温度、退火时间以及包含氧气的气体氛围内对二氧化硅介质层进行退火，从而可以使二氧化硅介质层中处于畸变位置的一些原子，恢复到正常状态，可以进一步消除冻结的缺陷，发生各种再结晶，从而导致晶粒增大晶界减少，提高二氧化硅薄膜的致密性。