一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法

    公开(公告)号:CN115020488A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210646218.9

    申请日:2022-06-08

    摘要: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法,绝缘栅双极晶体管包括:体层,所述体层包括元胞区和环绕元胞区的过渡区,所述过渡区包括汇流区;栅极结构,位于部分元胞区上或者部分元胞区中;位于汇流区上的栅汇流条,所述栅汇流条与栅极结构的部分边缘之间具有第一开口;镇流结构,位于汇流区中且延伸至第一开口底部的部分元胞区中;阱区,位于栅极结构周围的部分元胞区中,第一开口底部的体层中具有阱区,所述阱区的导电类型与所述镇流结构的导电类型相同;位于阱区的顶部区域中的源掺杂区,所述源掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型相反,所述源掺杂区与所述镇流结构间隔。上述绝缘栅双极晶体管能够缓解元胞区电流集中,降低闩锁风险。

    一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN114156338A

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202111487931.5

    申请日:2021-12-07

    摘要: 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。所述绝缘栅双极型晶体管包括:漂移层;位于所述漂移层一侧的集电层,所述集电层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反;位于所述漂移层和所述集电层之间的缓冲层,所述缓冲层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同,且所述缓冲层的掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度;在所述缓冲层的内部设置有浮置层,所述浮置层的导电类型与所述缓冲层的导电类型相反。所述缓冲层与所述浮置层的界面处形成结势垒,阻碍载流子的扩散,改变了绝缘栅双极型晶体管集电极一侧的载流子分布,降低了发射极漏电流,提高了绝缘栅双极型晶体管的正向击穿电压。

    一种高压功率二极管
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116598335A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310270078.4

    申请日:2023-03-15

    IPC分类号: H01L29/06 H01L29/861

    摘要: 一种高压功率二极管,二极管纵向结构包括半导体本体区、终端钝化保护层以及阳极金属电极层、阴极金属电极层;半导体本体区是外延层区,通过注入形成pn结结构,实现正向导通和反向阻断;半导体本体区包括阳极阱区、重掺杂阳极区、阴极缓冲区、重掺杂阴极区、漂移区、终端掺杂区;终端钝化保护层位于终端掺杂区的上方;阳极金属电极层位于重掺杂阳极区上方,阴极金属电极层位于重掺杂阴极区下方,形成欧姆接触电极,并形成厚金属互联;在横向电阻区形成若干浅掺杂区,通过开孔与阳极金属层在垂直方向上形成电连接。通过优化浅掺杂区与金属之间的接触,以及浅掺杂区掺杂设计,实现对正向浪涌电流的分流,提高FRD浪涌能力,兼顾反向恢复特性。