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公开(公告)号：CN101625523A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
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公开(公告)号：CN119264100A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410876419.7
申请日：2024-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D327/06 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07D333/76 , C07C25/18 , C07C43/225 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/42
Abstract: 本发明涉及鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供能够产生扩散小的酸的鎓盐、含有此鎓盐的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。一种鎓盐，以下式(1)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118938598A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410567506.4
申请日：2024-05-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供：可改善图案形成时的矩形性，且可获得LER、分辨性、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)包含下式(A)表示的鎓盐的淬灭剂；及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元，且会因为酸的作用而分解，在碱显影液中的溶解度会增大的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118732395A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410367375.5
申请日：2024-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供能够改善图案形成时的分辨性，且得到LER及图案忠实性良好的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)光酸产生剂，由下式(A)表示的鎓盐构成；及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114924463B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210127488.9
申请日：2022-02-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且减少LER及LWR的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。#imgabs0#式中，M为硫原子或硒原子。#imgabs1#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118666653A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410293726.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C43/15 , C08F8/00 , G03F7/039 , C08F12/24 , C07C43/162 , C07C43/166 , C07C43/176 , C07C43/168 , C07C43/225 , C07C205/34 , C07D493/08 , C07C43/188 , C07C43/172 , C07C43/17 , G03F7/32 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明课题：提供具有极高孤立间距分辨性，LER小，矩形性优异，抑制显影负载及残渣缺陷的影响，同时蚀刻耐性、图案崩塌受抑制的化学增幅正型抗蚀剂组成物；用以制造用于该抗蚀剂组成物中的基础聚合物的缩醛修饰剂；经该缩醛修饰剂修饰的聚合物；及抗蚀剂图案形成方法。本发明解决手段：提供具有会成为脂肪族性或芳香族性羟基保护基的三键的基团的缩醛修饰剂；含有在侧链具有芳香族性羟基被下式(AL‑1)或(AL‑2)表示的酸不稳定基保护而成的结构的重复单元A1，且会因酸的作用而脱保护并成为碱可溶性聚合物；及包含该聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118388443A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410103957.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D327/08 , C07C309/43 , C07D333/76 , C07C381/12 , C07C25/18 , G03F7/00 , G03F7/039 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可产生具有适当的酸强度且扩散小的酸的鎓盐、含有其的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种鎓盐，以下式(A)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117148675A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310637442.6
申请日：2023-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供改善图案形成时的分辨性，且可以得到LER及图案忠实性良好的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。解决手段是一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，包含：(A)含有选自下式(A1)表示的锍盐及下式(A2)表示的錪盐中的至少1种的酸产生剂、及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物的基础聚合物。
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公开(公告)号：CN107430328B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201680013518.6
申请日：2016-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si‑Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。
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公开(公告)号：CN111675963A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010161707.6
申请日：2020-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09D179/02 , C09D5/24 , C09D7/63 , C09D11/102 , C09D11/52 , C09D11/03 , G03F7/09
Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性高分子组合物，其能够适宜地用于过滤性及在电子束抗蚀剂上的平坦膜成膜性良好，并且由于低体积电阻率(Ω·cm)的性质而在电子束光刻工序中也显示优良的抗静电性能，且将因该膜而扩散的酸的影响降至最低从而减少对平版印刷的影响，并且描绘后的基于H2O或碱性显影液的剥离性也优异的电子束光刻用抗静电膜。所述导电性高分子组合物的特征在于，其包含：(A)具有至少一种以上的下述通式(1)所表示的重复单元的聚苯胺类导电性高分子、及(B)下述通式(2)所表示的羧酸盐。[化学式1][化学式2][化学式3]
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