公开(公告)号：CN114034331B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202111304653.5

申请日：2021-11-05

申请人： 济南大学

发明人： 黄世峰 ,  张晓芳 ,  郭瑞 ,  杨长红 ,  林秀娟 ,  程新

IPC分类号： G01D18/00

摘要： 本发明提供一种压电陶瓷圆管换能器的一致性控制方法，包括根据工作电压和压电陶瓷抗张强度确定最大力矩，通过谐振频率计算机电耦合系数，通过力矩调整机电耦合系数，进而对换能器一致性进行判断、比较和调整的方法。本发明利用螺栓紧固力矩、静态电容和机电耦合系数对压电陶瓷圆管换能器的一致性进行调控，具备方法简单、成本低、调控准确、适用范围大等优势。

公开(公告)号：CN108585850B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201810618082.4

申请日：2018-06-15

申请人： 济南大学

发明人： 张赟慧 ,  吴海涛 ,  杨长红 ,  邢春芳 ,  杨耀康

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种超低温烧结微波介质陶瓷及制备方法，该陶瓷材料组成表达式为：Eu2+2xZr3Mo9O36+3x，其中‑0.05≤x≤0.025。本发明先将Eu2O3、ZrO2和MoO3等原材料按照表达式进行配料，经球磨、干燥、过筛后于600℃的温度下进行预烧处理；再经二次球磨、干燥后添加10%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒，压制成型为直径为10 mm的圆柱坯体，于550~650℃烧结温度下对陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：较低的烧结温度（550~650℃），制备工艺较为简单，制备过程环保，成本较低，是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。

公开(公告)号：CN110395768A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201811256131.0

申请日：2018-10-26

申请人： 济南大学

发明人： 杨长红 ,  韩亚洁 ,  钱进 ,  吕盼盼 ,  陈乐欣 ,  林秀娟 ,  黄世峰

IPC分类号： C01G49/00 ,  C23C18/12

摘要： 本发明属于微电子新材料技术领域，具体涉及一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法。该方法以耐高温的柔性云母作为衬底材料，金属薄膜或氧化物薄膜作为底电极材料，对底电极进行预处理后生长铁酸铋基薄膜。本发明首次在柔性衬底上直接高温生长具有自极化效应的铁酸铋基薄膜，其化学组成为Bi(Fe1-x-yMnxTiy)O3，其中0＜x≤0.05，0＜y≤0.05。本发明工艺简单有效，所制备的铁酸铋基薄膜耐弯折、电极化特性优越、电荷保持力强、抗疲劳性能好，且无需人工极化就表现出良好的压电性能，在柔性铁电存储、柔性压电传感等技术领域中具有很大的应用潜力。

公开(公告)号：CN105693241B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201610093469.3

申请日：2016-02-22

申请人： 济南大学

发明人： 吴海涛 ,  毕金鑫 ,  杨长红

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了一种高品质因数锂镁铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为Li3（Mg1‑xCox）2NbO6，其中0≤x≤0.1；先将Li2CO3、MgO、CoO和Nb2O5按化学式配料，经过混料、烘干、过筛，预烧、造粒、压制成型等工艺后，于1175~1225℃烧结，制得掺杂离子后的Li3Mg2NbO6陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂Li3Mg2NbO6中的镁离子，能够显著降低陶瓷材料内部的介电损耗，提高该陶瓷材料的温度稳定性，其介电常数达到14.74~16.22，品质因数Q·f达到67,900~89,800 GHz，谐振频率温度系数为‑10.28~‑3.61 ppm/℃。本发明制备工艺简单，使用设备廉价，过程环保，在工业上有着极大的应用价值。

公开(公告)号：CN104844197B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201510231730.7

申请日：2015-05-08

申请人： 济南大学

发明人： 杨长红 ,  冯超 ,  李姝欣 ,  韩亚洁 ,  胡雪卿 ,  焦芳莹 ,  钱进 ,  杜雄斌

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C01G23/00

摘要： 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1‑yXyO3‑δ，其中X为掺杂元素；y为掺杂元素的掺杂量；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术，在硅基片上，制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控，成本低廉，且制备出的薄膜晶相单一，择优取向度高。

公开(公告)号：CN105732031A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610033053.2

申请日：2016-01-19

申请人： 济南大学

发明人： 吴海涛 ,  毕金鑫 ,  杨长红

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明公开了一种镍掺杂改善微波介电特性的Li3Mg2NbO6陶瓷材料及制备方法，其组成为Li3（Mg1?xNix）2NbO6，其中0≤x≤0.1；先将Li2CO3、MgO、NiO和Nb2O5按化学式配料，经过混料、烘干、过筛，预烧、造粒、压制成型等工艺后，于1050~1100℃烧结，制得掺杂后的Li3Mg2NbO6陶瓷。本发明由于采用了Ni2+掺杂，在保证原有微波介电性能稳定的情况下，显著降低制备温度，其介电常数达到14.57~16.50，品质因数Q·f达到43,947?71,023 GHz，谐振频率温度系数为?17.4~?31.8 ppm/℃。本发明制备工艺简单，过程环保,在工业上有着极大的应用价值。

公开(公告)号：CN105693241A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610093469.3

申请日：2016-02-22

申请人： 济南大学

发明人： 吴海涛 ,  毕金鑫 ,  杨长红

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了一种高品质因数锂镁铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为Li3（Mg1-xCox）2NbO6，其中0≤x≤0.1；先将Li2CO3、MgO、CoO和Nb2O5按化学式配料，经过混料、烘干、过筛，预烧、造粒、压制成型等工艺后，于1175~1225℃烧结，制得掺杂离子后的Li3Mg2NbO6陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂Li3Mg2NbO6中的镁离子，能够显著降低陶瓷材料内部的介电损耗，提高该陶瓷材料的温度稳定性，其介电常数达到14.74~16.22，品质因数Q·f达到67,900~89,800 GHz，谐振频率温度系数为-10.28~-3.61 ppm/℃。本发明制备工艺简单，使用设备廉价，过程环保，在工业上有着极大的应用价值。

公开(公告)号：CN104045335B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201410309940.9

申请日：2014-07-02

申请人： 济南大学

发明人： 杨锋 ,  刘芬 ,  杨长红 ,  胡广达 ,  宗志豪

IPC分类号： C04B35/26 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种择优取向生长的Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的制备方法，包括以下步骤：以(111)Pt/Ti/SiO2/Si为衬底，在衬底上先采用溶胶凝胶法沉积CoFe2O4薄膜作为种子层，然后在种子层上再采用溶胶凝胶法沉积Bi5Ti3FeO15薄膜，所得Bi5Ti3FeO15薄膜在c轴择优取向生长。本发明采用溶胶-凝胶法，在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上实现层状钙钛矿型Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的择优取向生长。该方法所制备的薄膜性能优异，用X射线定量估算c轴择优取向薄膜的择优取向度高达90%，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。

公开(公告)号：CN103325942B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310254038.7

申请日：2013-06-24

申请人： 济南大学

发明人： 杨锋 ,  胡广达 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  吴海涛

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开了一种铁电隧道结器件，包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜；其中N型半导体薄膜上连接有第一电极，而在P型半导体薄膜上连接有第二电极，并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成，其中第一电极为P型半导体电极，第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制，实现大的开关比和长久的保持性。

公开(公告)号：CN104129981A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410393881.8

申请日：2014-08-12

申请人： 济南大学

发明人： 杨锋 ,  张福威 ,  董翠芳 ,  杨长红 ,  胡广达 ,  宗志豪

IPC分类号： C04B35/26 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种制备Bi5Ti3Fe0.5Co0.5O15多铁性薄膜的方法，步骤包括：配制浓度为0.05mol/L~0.2mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上，以3500-5500rpm的速度甩膜，沉积厚度为40-60nm的单层薄膜；对单层薄膜进行热处理，然后重复甩膜、热处理步骤，直至得到厚度300~500nm的多铁性薄膜。本发明方法实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜晶粒尺寸大，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。