一种低温烧结LTCC微波介质陶瓷及制备方法

    公开(公告)号:CN108569903B

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201810618048.7

    申请日:2018-06-15

    申请人: 济南大学

    摘要: 本发明公开了一种满足LTCC应用需求的微波介质陶瓷及制备方法,该陶瓷材料组成表达式为:La2Zr3‑3xTi3xMo9O36。其中0.02≤x≤0.1。本发明先将La2O3,ZrO2,TiO2和MoO3等原材料按照表达式进行配料,经球磨、干燥和过筛后于600℃的温度下进行预烧处理;再经二次球磨、干燥后添加10%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒,压制成型为直径为10 mm的圆柱坯体,于700~750℃烧结温度下对陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:较低的烧结温度(700~750℃),制备工艺较为简单,制备过程环保,成本较低,是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。

    一种低损耗岩盐矿结构微波介质陶瓷及制备方法

    公开(公告)号:CN107555986A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710786124.0

    申请日:2017-09-04

    申请人: 济南大学

    摘要: 本发明公开了一种低损耗岩盐矿结构微波介质陶瓷及制备方法,该陶瓷材料组成表达式为:Li2Mg1+0.33xTi1-xNb0.67xO4,其中0.25≤x≤0.35。本发明先将Li2CO3,MgO,TiO2和Nb2O5等原材料按照表达式进行配料,经球磨、干燥、过筛后于1050°C环境下进行预烧处理;再经二次球磨、干燥后外加8%重量百分比粘合剂进行造粒,压制成型为坯体,采用埋烧法对陶瓷坯体于1400-1450°C烧结,制得高性能的锂镁钛基微波介质陶瓷。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:较高的品质因数(Q×f~160,000GHz),接近于0的谐振频率温度系数(τf~-3ppm/°C)。所制备材料介电常数(εr)约为16,制备工艺较为简单,制备过程环保,成本较低,是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。

    一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法

    公开(公告)号:CN105837211A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610174896.4

    申请日:2016-03-25

    申请人: 济南大学

    IPC分类号: C04B35/495 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法,其组成为Zn1?xCoxZrNb2O8,其中0≤x≤0.1;先将ZnO、ZrO2、Nb2O5和CoO按化学式配料,经过混料、烘干、过筛,预烧、造粒、压制成型等工艺后,于1100~1200℃烧结,制得掺杂离子后的Zn1?xCoxZrNb2O8陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂ZnZrNb2O8中的锌离子,在保证陶瓷微波介电性能稳定的情况下,够显著降低陶瓷材料烧结温度。制成陶瓷的介电常数达到25.73~27.26,品质因数Q·f达到55,600~61,000 GHz,谐振频率温度系数为?11.3~?15.2 ppm/℃。本发明制备工艺简单,使用设备廉价,过程环保,在工业上有着极大的应用价值。

    一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN103346255B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201310258989.1

    申请日:2013-06-26

    申请人: 济南大学

    IPC分类号: H01L45/00

    摘要: 本发明公开了一种异质结,包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜,所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体,所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结,包括上述异质结,所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极,异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层,异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长,表现出了稳定的极化翻转特性,制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度,从而大大提高了隧道电阻。

    一种利用H3BO3掺杂降低铁板钛矿型Mg5Nb4O15微波介质陶瓷烧结温度新方法

    公开(公告)号:CN103951431A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410169886.2

    申请日:2014-04-25

    申请人: 济南大学

    IPC分类号: C04B35/495 C04B35/63

    摘要: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域,尤其涉及一种利用H3BO3掺杂降低铁板钛矿型Mg5Nb4O15微波介质陶瓷烧结温度新方法。本发明技术方案为:基于湿化学工艺利用H3BO3掺杂降低铁板钛矿型Mg5Nb4O15微波介质陶瓷烧结温度方法,包括以下步骤:1)配制Mg离子的柠檬酸水溶液;2)配制Nb离子的柠檬酸水溶液;3)H3BO3掺杂Mg-Nb前驱体溶胶凝胶制备、介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷烧结。首先合成H3BO3掺杂的Mg5Nb4O15陶瓷前驱粉体,合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度(约50nm)并具有高比表面能,呈现出较高活性等显著优势;在后续烧结过程中凸显H3BO3作为烧结助熔剂作用,可以显著降低烧结温度100-200℃,并保持其良好微波介电性能。

    利用化学工艺精细制备锰钽矿结构MgTiNb2O8微波介质陶瓷新方法

    公开(公告)号:CN103708834A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310195294.3

    申请日:2013-05-24

    申请人: 济南大学

    IPC分类号: C04B35/495 C04B35/624

    摘要: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域,尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元MgO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为:利用溶胶凝胶法精细合成三元MgO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法,包括以下步骤:1)配制Mg离子的柠檬酸水溶液;2)配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液;3)三元MgTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度(约50nm)并具有高比表面能,呈现出较高活性等显著优势,较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃,实现低温烧结,并保持其良好微波介电性能,满足LTCC应用需求。

    铁电隧道结器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103325942A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310254038.7

    申请日:2013-06-24

    申请人: 济南大学

    IPC分类号: H01L45/00

    摘要: 本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。

    一种利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度新方法

    公开(公告)号:CN104119075A

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201410285025.0

    申请日:2014-06-24

    申请人: 济南大学

    IPC分类号: C04B35/495 C04B35/64

    摘要: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域,尤其涉及一种利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度新方法。本发明技术方案为:基于湿化学工艺利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度方法,包括以下步骤:1)配制Mg离子的柠檬酸水溶液;2)配制Ta离子的柠檬酸水溶液;3)H3BO3掺杂Mg-Ta前驱体溶胶凝胶制备、介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷烧结。首先合成H3BO3掺杂的Mg4Ta2O9陶瓷前驱粉体,合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能,呈现出较高活性等显著优势;在后续烧结过程中凸显H3BO3作为烧结助熔剂作用,可以显著降低烧结温度200-300℃,并保持其良好微波介电性能。

    一种低温烧结金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷新方法

    公开(公告)号:CN103708836A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310217203.1

    申请日:2013-06-04

    申请人: 济南大学

    摘要: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域,尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为:利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法,包括以下步骤:1)配制Ni离子的柠檬酸水溶液;2)配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液;3)三元NiTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度(约50nm)并具有高比表面能,呈现出较高活性等显著优势,较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃,实现低温烧结,并保持其良好微波介电性能,有望满足LTCC应用需求。