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公开(公告)号:CN108569903B
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN201810618048.7
申请日:2018-06-15
申请人: 济南大学
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638
摘要: 本发明公开了一种满足LTCC应用需求的微波介质陶瓷及制备方法,该陶瓷材料组成表达式为:La2Zr3‑3xTi3xMo9O36。其中0.02≤x≤0.1。本发明先将La2O3,ZrO2,TiO2和MoO3等原材料按照表达式进行配料,经球磨、干燥和过筛后于600℃的温度下进行预烧处理;再经二次球磨、干燥后添加10%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒,压制成型为直径为10 mm的圆柱坯体,于700~750℃烧结温度下对陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:较低的烧结温度(700~750℃),制备工艺较为简单,制备过程环保,成本较低,是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。
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公开(公告)号:CN107555986A
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201710786124.0
申请日:2017-09-04
申请人: 济南大学
IPC分类号: C04B35/465 , C04B35/634 , C04B35/64
摘要: 本发明公开了一种低损耗岩盐矿结构微波介质陶瓷及制备方法,该陶瓷材料组成表达式为:Li2Mg1+0.33xTi1-xNb0.67xO4,其中0.25≤x≤0.35。本发明先将Li2CO3,MgO,TiO2和Nb2O5等原材料按照表达式进行配料,经球磨、干燥、过筛后于1050°C环境下进行预烧处理;再经二次球磨、干燥后外加8%重量百分比粘合剂进行造粒,压制成型为坯体,采用埋烧法对陶瓷坯体于1400-1450°C烧结,制得高性能的锂镁钛基微波介质陶瓷。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:较高的品质因数(Q×f~160,000GHz),接近于0的谐振频率温度系数(τf~-3ppm/°C)。所制备材料介电常数(εr)约为16,制备工艺较为简单,制备过程环保,成本较低,是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。
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公开(公告)号:CN105837211A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610174896.4
申请日:2016-03-25
申请人: 济南大学
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/622
CPC分类号: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B2235/3244 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284
摘要: 本发明公开了一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法,其组成为Zn1?xCoxZrNb2O8,其中0≤x≤0.1;先将ZnO、ZrO2、Nb2O5和CoO按化学式配料,经过混料、烘干、过筛,预烧、造粒、压制成型等工艺后,于1100~1200℃烧结,制得掺杂离子后的Zn1?xCoxZrNb2O8陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂ZnZrNb2O8中的锌离子,在保证陶瓷微波介电性能稳定的情况下,够显著降低陶瓷材料烧结温度。制成陶瓷的介电常数达到25.73~27.26,品质因数Q·f达到55,600~61,000 GHz,谐振频率温度系数为?11.3~?15.2 ppm/℃。本发明制备工艺简单,使用设备廉价,过程环保,在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN103346255B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201310258989.1
申请日:2013-06-26
申请人: 济南大学
IPC分类号: H01L45/00
摘要: 本发明公开了一种异质结,包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜,所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体,所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结,包括上述异质结,所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极,异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层,异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长,表现出了稳定的极化翻转特性,制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度,从而大大提高了隧道电阻。
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公开(公告)号:CN103951431A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201410169886.2
申请日:2014-04-25
申请人: 济南大学
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/63
摘要: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域,尤其涉及一种利用H3BO3掺杂降低铁板钛矿型Mg5Nb4O15微波介质陶瓷烧结温度新方法。本发明技术方案为:基于湿化学工艺利用H3BO3掺杂降低铁板钛矿型Mg5Nb4O15微波介质陶瓷烧结温度方法,包括以下步骤:1)配制Mg离子的柠檬酸水溶液;2)配制Nb离子的柠檬酸水溶液;3)H3BO3掺杂Mg-Nb前驱体溶胶凝胶制备、介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷烧结。首先合成H3BO3掺杂的Mg5Nb4O15陶瓷前驱粉体,合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度(约50nm)并具有高比表面能,呈现出较高活性等显著优势;在后续烧结过程中凸显H3BO3作为烧结助熔剂作用,可以显著降低烧结温度100-200℃,并保持其良好微波介电性能。
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公开(公告)号:CN103708834A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310195294.3
申请日:2013-05-24
申请人: 济南大学
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/624
摘要: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域,尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元MgO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为:利用溶胶凝胶法精细合成三元MgO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法,包括以下步骤:1)配制Mg离子的柠檬酸水溶液;2)配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液;3)三元MgTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度(约50nm)并具有高比表面能,呈现出较高活性等显著优势,较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃,实现低温烧结,并保持其良好微波介电性能,满足LTCC应用需求。
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公开(公告)号:CN104496468A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201410693444.8
申请日:2014-11-27
申请人: 济南大学
IPC分类号: C04B35/475 , C04B35/622
摘要: 本发明属于电子功能材料领域,具体涉及一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法。该薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3-δ,其中x为锰离子的摩尔掺量,0
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公开(公告)号:CN104119075A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201410285025.0
申请日:2014-06-24
申请人: 济南大学
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/64
摘要: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域,尤其涉及一种利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度新方法。本发明技术方案为:基于湿化学工艺利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度方法,包括以下步骤:1)配制Mg离子的柠檬酸水溶液;2)配制Ta离子的柠檬酸水溶液;3)H3BO3掺杂Mg-Ta前驱体溶胶凝胶制备、介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷烧结。首先合成H3BO3掺杂的Mg4Ta2O9陶瓷前驱粉体,合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能,呈现出较高活性等显著优势;在后续烧结过程中凸显H3BO3作为烧结助熔剂作用,可以显著降低烧结温度200-300℃,并保持其良好微波介电性能。
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公开(公告)号:CN103708836A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310217203.1
申请日:2013-06-04
申请人: 济南大学
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/624
摘要: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域,尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为:利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法,包括以下步骤:1)配制Ni离子的柠檬酸水溶液;2)配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液;3)三元NiTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度(约50nm)并具有高比表面能,呈现出较高活性等显著优势,较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃,实现低温烧结,并保持其良好微波介电性能,有望满足LTCC应用需求。
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