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公开(公告)号：CN118317681A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410440861.5
申请日：2024-04-12
申请人： 济南大学
IPC分类号： H10N30/06 , H01L21/027 , B81C1/00 , B06B1/06
摘要： 本发明公开了一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法，包括以下步骤：在硅晶圆的上表面由下至上依次制备下电极层、压电薄膜层和上电极层；在硅晶圆的下表面生长绝缘层；分别对硅晶圆上表面、下表面使用光刻板进行第一轮光刻，暴露出上电极和下电极；分别在硅晶圆上、下表面生长Au，镀在上电极表面和下电极表面；分别在硅晶圆上、下表面使用光刻板进行第二轮光刻，上表面刻蚀至压电薄膜层，下表面刻蚀至下电极层。本发明将上下电极分别设置于硅晶圆的上下表面，从根本上避免了器件短路的问题，极大的提高了成品率。同时本发明仅用3张光刻版，整个工艺流程简洁，降低了时间成本及工艺难度，提供了生产效率。
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公开(公告)号：CN118119262A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410045559.X
申请日：2024-01-12
申请人： 济南大学
IPC分类号： H10N30/078 , H10N30/04 , H10N30/853 , B81C1/00
摘要： 本申请公开一种6英寸铁酸铋基梯度薄膜和MEMS芯片的制备方法，涉及功能薄膜材料及微加工工艺器件技术领域，得到的6英寸的大面积薄膜的制备工艺为：配置不同Gd掺杂浓度的BGFO溶胶；将制得的BGFO溶胶，依次旋涂在SOI晶圆衬底上，得到BGFO薄膜；Gd掺杂浓度沿厚度方向等比例递增；将制得的BGFO薄膜放入快速退火炉或热台中进行干燥，在快速退火炉热解和退火，经过层层退火制得所述铁酸铋基薄膜。本发明薄膜结构致密，表面起伏较小，具有良好的压电铁电性能，并且未加电场极化就具有特定的自极化方向。同时提供了MEMS芯片的制备工艺。本发明的MEMS芯片在微型化电子元器件应用方面具有很大的潜力。
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公开(公告)号：CN112537955B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011504782.4
申请日：2020-12-18
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/472 , C04B35/622 , C04B41/88 , B06B1/06
摘要： 本发明公开了一种掺杂改性钪酸铋‑钛酸铅‑铁酸铋三元体系的压电陶瓷，该陶瓷的化学通式为，其中0.30≤x≤0.33，0.05≤y≤0.10，0.02≤a≤0.05，0.01≤b≤0.03，0.01≤c≤0.03，采用金属氧化物为原料，通过固相反应法制备该压电陶瓷。本发明还公开了基于该压电陶瓷的偶极子发射换能器，换能器在空气中的谐振频率约为2~3kHz，可耐200℃的高温及50MPa的高静水压。
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公开(公告)号：CN115802863A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211424358.8
申请日：2022-11-15
申请人： 济南大学
IPC分类号： H10N30/084 , H10N30/02
摘要： 本发明提供一种定量控制压电陶瓷球壳表面纤维层声阻抗和径向应力的方法，包括通过纤维与纤维粘结剂的种类和体积比确定纤维层的声阻抗，通过纤维粘结剂层的厚度和预应力需求确定热压成型容器中的压力，进而实现预应力的施加与纤维层固化的工艺。本发明可以利用纤维材料包覆压电陶瓷球壳，通过热压成型实现压电陶瓷球壳表面径向预应力的定量控制，具备设备要求低、方法简单、适用范围广等优势。
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公开(公告)号：CN113984907A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111297764.8
申请日：2021-11-04
申请人： 济南大学
摘要： 本发明提供一种声发射传感器动态和静态特性标定方法，包括以下步骤：准备声发射采集仪、声发射传感器、铝板、氧化锆小球、前置放大器和计算机；将铝板平放于光滑桌面上，桌面须进行水平校准；将声发射传感器固定在铝板上，在距离声发射传感器9cm的位置垂直固定一把钢尺；将氧化锆小球在距离铝板1cm距离自由释放，每次释放增加；将氧化锆小球在距离铝板大于等于15 cm距离自由释放，每次释放减小；根据声发射传感器输入‑输出关系间接计算其静态特性和动态特性。该标定方法能够对声发射传感器进行较好的标定，在声发射传感器性能评价和标定等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109494076B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811256156.0
申请日：2018-10-26
申请人： 济南大学
摘要： 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法。本发明的薄膜电容器，由柔性云母基片、Pt薄膜底电极、铁电薄膜层和金属Pt或Au顶电极组成。本发明的薄膜电容器，以钛酸铋钠基铁电薄膜作为功能层，其化学通式为0.97(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.03BiFeO3‑xCeO2‑yMnO2，其中0≤x≤1%，0≤y≤2%，且y＞x。本发明工艺简单、成本低廉，所制备的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器耐弯折、储能密度大、储能效率高、热稳定性好、损耗低，可满足柔性储能元器件的要求。
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公开(公告)号：CN104844197A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510231730.7
申请日：2015-05-08
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C01G23/00
摘要： 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-yXyO3-δ，其中X为掺杂元素；y为掺杂元素的掺杂量；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术，在硅基片上，制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控，成本低廉，且制备出的薄膜晶相单一，择优取向度高。
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公开(公告)号：CN104496468A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410693444.8
申请日：2014-11-27
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622
摘要： 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法。该薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3-δ，其中x为锰离子的摩尔掺量，0
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公开(公告)号：CN104119075A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410285025.0
申请日：2014-06-24
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/64
摘要： 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度新方法。本发明技术方案为：基于湿化学工艺利用H3BO3掺杂降低刚玉型Mg4Ta2O9微波介质陶瓷烧结温度方法，包括以下步骤：1)配制Mg离子的柠檬酸水溶液；2)配制Ta离子的柠檬酸水溶液；3)H3BO3掺杂Mg-Ta前驱体溶胶凝胶制备、介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷烧结。首先合成H3BO3掺杂的Mg4Ta2O9陶瓷前驱粉体，合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势；在后续烧结过程中凸显H3BO3作为烧结助熔剂作用，可以显著降低烧结温度200-300℃，并保持其良好微波介电性能。
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公开(公告)号：CN103708836A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310217203.1
申请日：2013-06-04
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/624
摘要： 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Ni离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元NiTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（约50nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，有望满足LTCC应用需求。
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