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公开(公告)号：CN104060317A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410194217.0
申请日：2014-05-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C25D15/00
摘要： 本发明公开的铜-石墨烯复相的制备方法，步骤如下：1）将基板用盐酸去除表面氧化物；2）将硫酸铜、硫酸、盐酸和表面活性剂配制成铜镀液；3）将石墨烯纳米片加入到铜镀液中，得到含石墨烯纳米片的电镀液；4）以磷铜片为阳极，基板为阴极，置于电镀液中电镀，得到铜-石墨烯复相。本发明直接将石墨烯与铜复合，避免了传统方法中GO的还原过程，工艺简单，可控性好，适用范围广，且制得的铜-石墨烯复相电性能、抗氧化性能、机械性能和抗腐蚀性能好。
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公开(公告)号：CN103956354A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410194159.1
申请日：2014-05-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768 , C25D15/00
摘要： 本发明公开的以石墨烯为金属化层和扩散势垒层的互连线在绝缘基板上自下而上依次有石墨烯层和铜-石墨烯复相导电层。其制备步骤包括：将石墨烯转移到经清洗的绝缘基板上，使用光刻的方法对石墨烯进行图形化，然后在含石墨烯纳米片的电镀液中通过电镀的方法在该石墨烯上电镀形成铜-石墨烯复相导电层。本发明的互连线以石墨烯作为导电层的扩散势垒层，降低了扩散势垒层的厚度，有利于器件的小型化，并可降低导电层的表面粗糙度，提高其电导，且具有优异的抗腐蚀性能。石墨烯既作为金属化层，又作为导电层的扩散势垒层，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN103943601A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410194333.2
申请日：2014-05-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/306 , H01L21/3065 , C23C28/00
摘要： 本发明公开的具有铜-石墨烯复相的互连线在绝缘基板上自下而上依次有铜层和铜-石墨烯复相导电层。其制备步骤包括：使用化学镀的方法在经清洗的绝缘基板上沉积一层铜层，使用光刻的方法对该铜层进行图形化，然后在石墨烯纳米片的电镀液中通过电镀的方法在该铜层上电镀。本发明的互连线以铜-石墨烯复相作为导电层，提高了互连线的导电性、导热性、抗氧化性能、机械性能及抗腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN103943226A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410193892.1
申请日：2014-05-09
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开的具有镍-石墨烯复相护层的电线电缆，包括导电线芯和包裹在导电线芯外的镍-石墨烯复相护层，或者在护层外还有一层绝缘层。其制备包括：将硫酸镍、氯化镍、硼酸和表面活性剂配制成镍镀液；将石墨烯纳米片加入到镍镀液中，得到含石墨烯纳米片的电镀液；以镍片为阳极，去除表面氧化物的导电线芯为阴极，置于电镀液中电镀，得到具有镍-石墨烯复相护层的电线电缆，或在其外再包塑一层绝缘层。本发明的电线电缆具有重量轻、机械强度高、抗腐蚀性能优异等优点。
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公开(公告)号：CN117804666B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410030328.1
申请日：2024-01-09
摘要： 本发明公开一种液压足式机器人腿部位移/力传感器标定装置及方法，液压足式机器人腿部位移/力传感器标定装置包括竖直标尺、水平定位标尺、基座框架、足端施力平衡模块、足端受力检测模块、关节定位模块和水平固定标尺。液压足式机器人腿部位移/力传感器标定方法包括：标定准备，将液压足式机器人腿部与标定装置相对连接；根据机器人运动学，标定液压足式机器人腿部位移传感器；根据机器人静力学，标定液压足式机器人腿部力传感器。本发明标定装置造价经济低廉，标定方法简单且易操作，能够满足液压足式机器人腿部位移传感器和力传感器的快速标定，并且该标定装置能适应2‑3关节数的机器人腿部位移传感器和力传感器标定。
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公开(公告)号：CN116632099A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310370993.0
申请日：2023-04-07
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L31/112 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C16/30 , G06N3/067
摘要： 本发明涉及光电神经突触技术领域，特别涉及一种光电神经突触器件及其器件、二维材料的制备方法，包括具有绝缘介质层的衬底，以二维过渡金属硫族化物合金材料作为功能层及功能层表面的源极和漏极，源漏极对应的功能层中的金属元素的占比不相同。本发明的利用以原子级厚度的二维过渡金属硫族化物合金材料作为功能层，有利于器件尺寸的缩微与集成；同时功能层的组分从偏钼变化为偏钨，为本征的渐变II类能带排布，有利于光生载流子的分离，使得光电响应更快；且由于晶格常数失配所导致的硫空位，有利于光电神经突触现象的产生，使得表征光电神经突触性能的双脉冲易化更大，同时空位对电荷起到储存记忆作用，器件的抗疲劳和保持性能更有优势。
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公开(公告)号：CN115020585A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210794343.4
申请日：2022-07-07
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及忆阻器技术领域，公开了一种用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法，其中，功能层包括二维电介质层，所述二维电介质层引入有相应的空位缺陷。使用本发明的功能层使得表征忆阻器性能的开关比更大，而且制作得到的忆阻器器件不需要和现有技术一样需要在开始阶段先施加一个较大电压的初始化操作来诱导金属电极形成导电细丝，也有利于降低器件工作设置过程所需要的电压，降低功耗。
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公开(公告)号：CN113270435B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110475908.8
申请日：2021-04-29
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种硅基石墨烯光电探测阵列及其CMOS三维集成方法，该硅基石墨烯光电探测阵列采用了p型硅衬底，包括栅极、半导体硅衬底、氧化物绝缘层与单层石墨烯薄膜等；阵列器件中感光像素区域单元与外部区域采用LOCOS工艺实现隔离，实现小尺寸阵列的低串扰效应；CMOS三维集成工艺采用倒装焊互连技术实现石墨烯光电探测阵列与读出电路芯片的有效集成，并实现优异的热传导；CMOS读出电路采用跨阻放大器、采样放大器和模数转换器进行高质量、低噪声的信号输出。本发明实现了石墨烯与传统CMOS集成工艺相结合，在光电探测领域拓宽光谱响应范围、提高成像质量以及拓展应用场景。
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公开(公告)号：CN114605290A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210201463.9
申请日：2022-03-03
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C07C271/22 , C23C14/12 , C23C14/24
摘要： 本发明公开了一种氨基酸螺旋阵列薄膜及其制备方法，该氨基酸螺旋阵列薄膜包括基底和均匀沉积在基底上的氨基酸螺旋阵列；每个氨基酸螺旋由带有修饰基团的氨基酸自组装得到；氨基酸选自二十种常见天然氨基酸或其相邻同分异构体中的一种或多种；修饰基团包括N端保护基团、C端保护基团，N端保护基团选自苄氧羰基、脂基、叔丁氧羰基、9‑芴甲氧羰基中的一种或多种；C端保护基团选自硝基苯酯、脂氧基、酰胺基中的一种或多种。制备得到的氨基酸薄膜上，氨基酸自组装体呈螺旋状阵列排布，且所有的螺旋旋向统一，并可对其旋向进行调控。该氨基酸螺旋阵列薄膜的形貌特征对于其物理化学性质以及相关领域功能器件的设计开发及应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN114582985A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210066651.5
申请日：2022-01-20
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种硅基石墨烯光电二极管阵列及其CMOS集成方法，该阵列由下至上依次包括p型半导体硅衬底、二氧化硅层、透明隔离保护层；衬底上形成阵列排布的N阱，每个N阱配置一个通过欧姆接触连接的硅基石墨烯CMOS读出电路；二氧化硅层开有硅窗口和硅通孔；硅通孔上端设有金属电极，读出电路通过硅通孔与金属电极电连接；硅窗口上覆盖与N阱接触的单层石墨烯薄膜，单层石墨烯薄膜一端搭接在二氧化硅层上，另一端搭接在金属电极上，形成一个光电二极管的像素单元；各像素单元间通过隔离阱进行串扰隔离。本发明充分利用石墨烯的宽光谱吸收特性，以及硅基技术的低噪声、低成本等优势，有利于拓宽光谱响应范围、提高成像质量以及拓展应用场景。
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