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公开(公告)号：CN118076214A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410203020.2
申请日：2024-02-23
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 本发明涉及一种导电细丝型忆阻器的训练方法、装置及电子设备。导电细丝型忆阻器的训练方法包括：基于预设外部电压的第一施加电场和导电细丝型忆阻器的工作原理，确定导电细丝型忆阻器的介电层中是否存在导电细丝以及导电细丝能否自发断裂；若不能自发断裂，则基于预设外部电压的第二施加电场和外部磁场施加的磁感应强度，确定训练后的候选导电细丝型忆阻器中的导电细丝能否自发断裂以及候选导电细丝型忆阻器是否满足预设忆阻器性能阈值，以便提升目标导电细丝型忆阻器的性能。本申请在降低设计成本的同时，提升了目标导电细丝型忆阻器的均一性和稳定性，进而提升了目标导电细丝型忆阻器的性能。
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公开(公告)号：CN116940226A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311208196.9
申请日：2023-09-19
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 本发明公开了一种铁电半导体器件、触觉传感存储器及触觉数据读写方法，铁电半导体器件包括：介电质层，介电质层包括第一表面和相对的第二表面；铁电半导体沟道层，设置在介电质层的第一表面；源电极及漏电极，分别设置在所述铁电半导体沟道层第一表面的两侧；背栅电极，设置在所述介电质层的第二表面；单电极摩擦起电层，设置在所述背栅电极的第二表面；所述单电极摩擦起电层通过负载电阻与源电极相连。通过改变施加触觉应力大小，使得铁电晶体管能够接收到不同大小的脉冲电压信号，实现触觉可反复且不同程度地调控沟道材料铁电极化方向，进而可调节铁电晶体管的电阻切换特性，使其展示出多种电导态，最终开发出可触觉感知与存储的铁电器件。
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公开(公告)号：CN115605021A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211266716.7
申请日：2022-10-17
申请人： 浙江大学(CN)
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及了一种兴奋‑抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法。本发明使用金属‑栅极电介质‑惰性电极构成易失性忆阻器，将易失性忆阻器和场效应管通过惰性电极耦合在一起，可以低成本的完成兴奋‑抑制神经形态晶体管器件的构建，总体形成一个结构紧凑的、可用于同时接受兴奋、抑制输入调控功能的兴奋‑抑制神经形态晶体管。本发明还包括具有多个漏极的兴奋‑抑制神经形态晶体管，可实现同时接受多端兴奋性刺激输入的调控。本发明所涉及的沟道层与惰性电极分别采用二维材料，实现对器件尺寸的极限缩微，使得兴奋‑抑制神经形态晶体管结构紧凑，具有强缩微性，同时降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN114212824B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210165317.5
申请日：2022-02-23
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C01G39/06
摘要： 本发明属于二维层状材料制备的技术领域，提供了一种可控生长六角星形单层MoS2的方法。通过将粒径尺寸为40‑50 nm的MoO3粉末的乙醇分散液滴在放置于石墨槽底部的碳布表面，SiO2/Si衬底倒扣于石墨槽顶部，利用常压化学气相沉积技术，可大规模地合成六角星形单层MoS2。由于MoO3粉末粒径尺寸较小（40‑50 nm），可提供充足的形核位点，使用本发明提供的方法可以大规模地可控合成六角星形单层MoS2，在制作大规模基于二维层状材料的忆阻器件领域有应用前景。
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公开(公告)号：CN114497247A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210072308.1
申请日：2022-01-21
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/0392 , H01L31/112 , H01L31/18 , G06N3/06
摘要： 本发明公开一种基于二维材料的多功能光敏突触器件及其制备方法，器件包括：衬底，设置于衬底上方的栅极、源极、漏极及堆叠结构，所述堆叠结构包括第一二维材料层、第二二维材料层及第三二维材料层，栅极设置在衬底上方，栅极上方依次覆盖第一二维材料层、第二二维材料层及第三二维材料层，第三二维材料层上方分别覆盖源极及漏极且源极与漏极之间形成沟道。第二二维材料层中包括缺陷态的六方氮化硼，第一二维材料层作为吸光层，第二二维材料层作为隔离层，第三二维材料层作为读出层。本发明器件结构简单，工作原理简洁易懂，制备工艺简单，易于上手；基于纯二维薄膜材料垂直堆叠，尺寸小，有利于高密度高集成度的需要。
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公开(公告)号：CN114212824A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210165317.5
申请日：2022-02-23
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： C01G39/06
摘要： 本发明属于二维层状材料制备的技术领域，提供了一种可控生长六角星形单层MoS2的方法。通过将粒径尺寸为40‑50 nm的MoO3粉末的乙醇分散液滴在放置于石墨槽底部的碳布表面，SiO2/Si衬底倒扣于石墨槽顶部，利用常压化学气相沉积技术，可大规模地合成六角星形单层MoS2。由于MoO3粉末粒径尺寸较小（40‑50 nm），可提供充足的形核位点，使用本发明提供的方法可以大规模地可控合成六角星形单层MoS2，在制作大规模基于二维层状材料的忆阻器件领域有应用前景。
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公开(公告)号：CN113594277A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110830691.8
申请日：2021-07-22
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/113 , H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种基于绝缘层上硅的电荷耦合器件，包括背栅极、衬底、埋层氧化层、漏极区、源极区、顶层硅沟道区、漏极金属接触、源极金属接触、正栅极氧化层和正栅极。入射光照射到器件表面时被衬底吸收，产生的少数载流子积累到由脉冲背栅形成的深耗尽势阱中，顶层薄硅耦合出与势阱中少子对应的电荷，正栅极施加电压放大光响应信号，从而有效收集载流子，实现随机、无损和高速读出；本发明可有效扩宽传统电荷耦合器件的光谱响应范围，同时改变了传统电荷耦合器件的读出方式，产生的信号直接由单个像素结构输出，且通过在正栅极施加电压对电荷积累起到增益的作用，放大器件的光响应信号，提高探测的响应速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN112420810A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011249244.5
申请日：2020-11-10
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/768 , H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件，包括栅极、锗、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子被积累到硅衬底中的深耗尽势阱；红外光穿过硅层，被锗，以及锗与硅形成的异质结所吸收，在电场的作用下，产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。由于电容耦合效应，器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中电荷。锗作为窄带隙半导体，对红外波段光线的吸收能力卓越。本发明通过使用石墨烯和锗，拓展了传统CCD器件的光谱响应范围，极大提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果。
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公开(公告)号：CN112420809A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011247048.4
申请日：2020-11-10
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/768 , H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种含有金属硅化物红外吸收层的石墨烯场效应电荷耦合器件，包括栅极、金属硅化物红外吸收层、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子被积累到硅的深耗尽势阱里；红外光穿过硅层，被金属硅化物与硅形成的异质结所吸收，在电场的作用下，产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。当硅中产生光生空穴积累时，器件上层的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从而改变石墨烯的电导率，从石墨烯的电流中能够读出硅势阱中的电荷。本发明拓展了硅基CCD器件在红外波段的光谱响应范围，保持了硅基CCD噪声小、可靠性高、工艺成熟、成本低廉等特点。
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公开(公告)号：CN108155267B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201711295008.5
申请日：2017-12-08
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L31/11 , H01L31/113 , H01L31/108
摘要： 本发明公开了一种基于肖特基‑MOS混合结构的光致负阻器件，包括半导体衬底，半导体衬底的上表面覆盖氧化物隔离层，氧化物隔离层的上表面覆盖环形顶电极；氧化物隔离层上开有圆形氧化层窗口；氧化层窗口的面积为顶电极所围面积的1/10～1/9；在氧化层窗口的内侧壁、半导体衬底暴露部分、顶电极的内侧壁和上表面、氧化物隔离层上表面覆盖石墨烯薄膜；本发明以石墨烯作为有源层和透明电极，石墨烯与半导体接触形成肖特基结，石墨烯覆盖在氧化物的上表面与半导体衬底形成MOS结，两种元件并联形成混合结构。一定强度的光照可以直接控制器件的阻抗特性，适合应用于光电开关和光控振荡器等电路。本发明器件成本低廉，具有负阻区间大，响应速度快，易于集成的特点。
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