场发射装置的制备方法

    公开(公告)号:CN102201309B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201010132350.5

    申请日:2010-03-25

    IPC分类号: H01J9/02

    CPC分类号: H01J9/025 H01J1/304

    摘要: 本发明涉及一种场发射装置的制备方法,其包括:提供一绝缘基板,该绝缘基板包括一第一表面以及与该第一表面相对的第二表面,且该绝缘基板具有多个贯穿该第一表面和第二表面的开孔;对应所述绝缘基板的每个开孔设置至少一电子发射体,所述至少一电子发射体包括一固定端以及一与该固定端相连的场发射尖端,且该固定端固定于所述绝缘基板的第一表面,该场发射尖端由固定端向开孔内延伸;以及在所述绝缘基板的第一表面上形成多个条状阴极电极,该多个阴极电极将所述电子发射体的固定端固定于所述绝缘基板与所述阴极电极之间。

    场发射阴极装置及场发射显示器

    公开(公告)号:CN102074441B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201010600408.4

    申请日:2010-12-22

    CPC分类号: H01J29/04 H01J31/127

    摘要: 本发明涉及一种场发射阴极装置,包括:一绝缘基底;多个条形阴极;多个隔离体;多个条形栅网;多个场发射元件分别设置于所述多个条形阴极与所述多个条形栅网的交叉位置并与所述条形阴极电连接;多个固定层分别对应于所述多个隔离体设置于所述条形栅网表面,将条形栅网夹持于所述固定层与隔离体之间,所述多个隔离体分别位于所述多个条形阴极之间并与所述条形阴极间隔设置,所述场发射阴极装置进一步满足以下条件:D1≤D2/10,其中,所述隔离体的宽度定义为D1,相邻两个场发射元件的中心线之间的距离定义为D2。本发明还涉及采用该种场发射阴极装置的场发射显示器。

    场发射装置的制备方法

    公开(公告)号:CN102201309A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN201010132350.5

    申请日:2010-03-25

    IPC分类号: H01J9/02

    CPC分类号: H01J9/025 H01J1/304

    摘要: 本发明涉及一种场发射装置的制备方法,其包括:提供一绝缘基板,该绝缘基板包括一第一表面以及与该第一表面相对的第二表面,且该绝缘基板具有多个贯穿该第一表面和第二表面的开孔;对应所述绝缘基板的每个开孔设置至少一电子发射体,所述至少一电子发射体包括一固定端以及一与该固定端相连的场发射尖端,且该固定端固定于所述绝缘基板的第一表面,该场发射尖端由固定端向开孔内延伸;以及在所述绝缘基板的第一表面上形成多个条状阴极电极,该多个阴极电极将所述电子发射体的固定端固定于所述绝缘基板与所述阴极电极之间。

    场发射阴极结构及场发射显示器

    公开(公告)号:CN102034664A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200910190568.3

    申请日:2009-09-30

    IPC分类号: H01J29/04 H01J31/12

    CPC分类号: H01J1/304

    摘要: 本发明涉及一种场发射阴极结构,其包括:一绝缘基底;一阴极电极,该阴极电极设置于所述绝缘基底;一介质层,该介质层具有一第一表面、一与该第一表面相对设置的第二表面及一通孔,该介质层设置于所述绝缘基底,且该介质层的第一表面与所述绝缘基底接触;一电子发射单元,该电子发射单元设置于所述阴极电极且位于所述介质层的通孔内,并与该阴极电极电连接;以及一栅网,该栅网覆盖所述介质层的通孔,使得所述电子发射单元发射的电子通过该栅网射出;其中,所述场发射阴极结构进一步包括一导电层,该导电层设置于所述介质层的第二表面且与所述栅网电连接,并与所述电子发射单元电绝缘。本发明还涉及一种使用上述场发射阴极结构的场发射显示器。

    标准漏孔
    60.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100462706C

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200510032731.5

    申请日:2005-01-06

    IPC分类号: G01M3/02 G01N35/00

    CPC分类号: G01M3/007

    摘要: 本发明涉及一种标准漏孔。本发明所提供的标准漏孔包括一被测气体不可渗透的薄膜及形成于该薄膜内预定数目的通孔;通孔具有预定尺寸孔径,该孔径范围为纳米级。本发明所提供的标准漏孔,由于通孔的形状标准,尺寸及数目都可预定,且孔径大小达纳米级;因此可用真空科学的经典理论计算直接得出其漏率值,其可自定标;且漏率范围较宽,可实现超微小漏率的检测;因此解决了现有技术中标准漏孔的漏率必须借助其它设备对其进行标定,漏率范围较窄等不足。