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公开(公告)号：CN109828421A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910243149.5
申请日：2019-03-28
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G02F7/00
摘要： 本发明公开了一种基于强度调节和差分编码技术的光子模数转换方法及系统，采用两个同步飞秒脉冲激光器提供不同中心频率的脉冲光源，脉冲信号经波分复用后作为采样脉冲源，后经电光调制器对模拟射频信号采样，经延时后，光信号经解复用器分为两路不同波长的光信号，并分别经分束器分为n路信号，其中一个分束器经衰减器阵列改变输出信号强度。输出光信号经耦合器阵列处理后由光电探测器作光电转换，最终经比较器阵列进行阈值判决，判决结果即为模拟信号量化后的输出。避免了调制器级联结构中存在的信号同步和响应一致性问题，简化了系统结构和对光电器件的依赖性；利用光强度调节来实现系统传递函数的相移，避免了传统相移操作的不稳定性。
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公开(公告)号：CN106206569B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610659301.4
申请日：2016-08-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于电子技术领域，提供一种一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件，用以降低双向SCR器件的触发电压。本发明双向SCR器件包括1个主器件、主器件两侧的n个、m个触发器件构成，触发器件为二极管器件，相邻近触发器件之间串联；所述主器件在基本双向SCR结构中的第一种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区C内分别设置一个第一种导电类型重掺杂区，将基本双向SCR中仅起隔离作用的封闭的第一种导电类型重掺杂埋层与两侧外部触发二极管串相连，构成了“埋层+二极管串”的低电压触发通道，从而降低双向SCR器件触发电压；同时，能够通过调节触发器件数量实现触发电压可调；本发明还有效提高了器件的开启速度。
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公开(公告)号：CN109166961A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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公开(公告)号：CN105405844B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510974226.6
申请日：2015-12-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n‑1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件为双触发SCR器件、n阱触发SCR器件或衬底触发SCR器件，所述主器件阳极作为自偏置堆栈式SCR器件阳极，主器件阴极连接后级堆栈器件阳极，其他后级堆栈器件依次串联。本发明提供自偏置堆栈式SCR器件维持电压随着堆栈器件的数目的增加而增加，且触发电压保持为主SCR器件的触发电压；另外，本发明无需外加任何偏置电路，能够自偏置，提升堆栈式SCR器件性能的同时大大简化器件结构，有效提高集成电路性价比。
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公开(公告)号：CN105374817B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510980245.X
申请日：2015-12-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，提供一种基于锗硅异质结工艺的SCR器件，用于降低SCR器件的触发电压。本发明包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区，第二种导电类型阱区的硅表面上无器件结构区域还设有第一种导电类型锗硅层，第一种导电类型锗硅层上设有第二种导电类型重掺杂多晶硅层，且第二种导电类型重掺杂多晶硅层与阴极相连。本发明将SCR结构与HBT结构结合在一起，有效降低了SCR器件的触发电压，并且本发明的SCR器件能够通过HBT结构调节SCR器件的触发电压。
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公开(公告)号：CN107731811A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710795123.2
申请日：2017-09-06
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件。本发明依靠纵向BJT触发的SCR器件(VBTSCR)在传统LSCR器件基础上引入了一条额外的触发通路：通过在第一种导电类型阱区内引入ESD注入层，构成一个纵向结构的基区浮空NPN晶体管；ESD注入层为一种中等掺杂浓度的P型掺杂区，其掺杂浓度介于漏/源重掺杂有源区浓度和阱区掺杂浓度之间；纵向结构的基区浮空NPN晶体管的共发射极集电结雪崩击穿电压BVCEO很小，将其用作SCR的触发器件，可实现SCR器件触发电压的大幅降低，从而实现对先进纳米工艺下的电路提供有效ESD防护。
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公开(公告)号：CN103927484B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410161863.7
申请日：2014-04-21
申请人： 西安电子科技大学宁波信息技术研究院
IPC分类号： G06F21/56
摘要： 本发明涉及一种基于Qemu模拟器的恶意程序行为捕获方法，其特征在于：直接在Qemu模拟器的源代码内插入恶意程序行为捕获模块，在Qemu模拟器上装载客户机操作系统，然后利用Qemu模拟器内部运行的恶意程序行为捕获模块对运行在客户机操作系统上的恶意程序样本进行行为捕获。本发明的优点在于：难以被探测和绕过，本方法直接在Qemu模拟器的源代码内插入恶意程序行为捕获模块，恶意程序行为捕获模和在客户机操作系统上运行的样本是完全隔离的，恶意程序行为捕获模块位于操作系统的下层，从理论上讲，恶意程序样本是没有办法检测到恶意程序行为捕获模块。
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公开(公告)号：CN106206569A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610659301.4
申请日：2016-08-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0255
摘要： 本发明属于电子技术领域，提供一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件，用以降低双向SCR器件的触发电压。本发明双向SCR器件包括1个主器件、主器件两侧的n个、m个触发器件构成，触发器件为二极管器件，相邻近触发器件之间串联；所述主器件在基本双向SCR结构中的第一种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区C内分别设置一个第一种导电类型重掺杂区，将基本双向SCR中仅起隔离作用的封闭的第一种导电类型重掺杂埋层与两侧外部触发二极管串相连，构成了“埋层+二极管串”的低电压触发通道，从而降低双向SCR器件触发电压；同时，能够通过调节触发器件数量实现触发电压可调；本发明还有效提高了器件的开启速度。
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公开(公告)号：CN104503788A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410784129.6
申请日：2014-12-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F9/445
摘要： 本发明公开了一种缩短安卓操作系统启动时间的设置方法，属于操作系统快速启动技术领域。本发明包括启动安卓设备，执行引导程序，由引导程序装载Linux内核；再执行安卓用户空间资源加载、本地服务开启和用户分区扫描后，执行Zygote进程，在加载完安卓虚拟机所需的类与资源后，中断该进程并为其设置还原点文件，以及创建还原点文件检查进程，设置该进程在引导程序装载Linux内核后启动，用于判断是否存在所述还原点文件，若存在，则根据还原点文件对初始化安卓虚拟机进程进行还原；若不存在，则执行初始化安卓虚拟机进程。本发明用于安卓设备，能在保证用户体验的前提下显著缩短系统启动时间。
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公开(公告)号：CN104269401A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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