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公开(公告)号：CN109164400A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810994328.8
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种基于自旋泵浦-逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及探测方法，利用磁控溅射镀膜工艺和光刻工艺在3个SiO2基片上分别制备完全相同的n个串联的条状Py/Ta复合双层薄膜，薄膜的长宽比值在200以上，薄膜内的微波感应电流被限制在薄膜的长边方向；3个基片彼此互相垂直，且3个基片的公共顶点与原点重合；对于每个SiO2基片，都施加一个与薄膜长边垂直且从0开始增大的直流磁场，此磁场增大到某值a后，再从0开始增大到a，此过程一直循环，通过测量3个SiO2基片上串联的条状薄膜两端的电压得到空间微波磁场在x、y、z方向上的分量hx、hy、hz，本发明可以一次性测量空间微波磁场矢量，并且通过串联的方式增大逆自旋霍尔电压信号，大大提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN108710018A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810521902.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种FM/NM薄膜结构中获得纯净逆自旋霍尔电压的方法，首先利用仿真软件找到一个铁磁薄膜长宽比值a，使得微波感应电流主要被限制在样品的测试方向；测量长宽比值为a的单层铁磁薄膜样品在φH为90°的情况下的自旋整流电压是否低于检测限度，如果低于了检测限度，就按照这个长宽比值a来制作铁磁/非铁磁双层薄膜样品；测量此铁磁/非铁磁双层薄膜样品两端在φH为90°情况下的电压，此电压就是纯净的逆自旋霍尔电压；本发明能够直接精确的获得纯净的逆自旋霍尔电压，只需一步测试过程，大大减小了工作量，避免了多次测量所带来的误差，从精确可靠的逆自旋霍尔电压值中可以提取出更加可靠的自旋相关的重要参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108165928A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711415633.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/025 , C23C14/165 , C23C14/352
Abstract: 本发明属于薄膜型声表面波传感器的制造领域，具体涉及一种FeGa合金衬底的AlN薄膜。该FeGa合金衬底的AlN薄膜由从下至上依次堆叠的FeGa合金层、缓冲层和AlN薄膜构成；缓冲层由与FeGa合金层接触的缓冲下层和与AlN薄膜接触的缓冲上层构成，FeGa合金层、缓冲下层、缓冲上层和AlN薄膜的热膨胀系数为依次递减的梯度关系。本发明在FeGa合金层与AlN薄膜之间设置了一层缓冲层，缓冲层的作用是让FeGa合金和AlN材料在热膨胀方面能够匹配。缓冲层的两种材料作为中间缓冲层，能够实现热膨胀阶梯型的变化以解决热适配问题。通过缓冲上层晶格的进一步选择，还可使AlN薄膜质量提升，进而更加符合磁声表面波传感器应用对高质量AlN薄膜的需求。
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公开(公告)号：CN106501798A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611245251.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波测距技术领域，提供一种带有自校准功能的双探针微波叶尖间隙测试系统，用以克服现有系统中参考信号存在不足以及温度变化引起的谐振频率偏移导致测量误差增大的缺陷。本发明包括：功分器、检测电路、基准电路、数据处理模块，由功分器产生幅度和相位均相同的两路微波信号，分别输入检测电路和基准电路，分别产生检测信号和参考信号输入数据处理模块得到微波叶尖间隙。本发明通过设定固定间距的模拟叶片，检测电路与基准电路为完全对称电路结构，有效避免温度变化引起的谐振频率的偏移带来的影响；参考信号由基准电路产生，包含入射波经过环形器和探针产生的相移；即大大降低测量误差；实现自校准双探针微波叶尖间隙测试。
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公开(公告)号：CN101667673A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910167733.3
申请日：2009-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 该发明属于固体电子器件中的集成式微带铁氧体环行器，包括底部设有凹槽的介电质或半导体基片及设于凹槽内的高电导率金属块或接地膜，附着于基片上部的铁氧体膜片，紧贴于铁氧体膜片上的高电导率中心结及其匹配段，位于基片底面的高电导率接地膜。该环行器由于在基片底面增设了凹槽，并在凹槽内置入了与其相同体积的金属块或在其内表面覆盖接地膜，其有效磁导率张量k/μ得到大幅度提高，而结阻抗则大幅度降低，在相同性能的前提下与背景技术相比、环行器的体积、厚度则可有效降低；从而具有在确保铁氧体环行器的性能和可靠性的前提下，可有效减小其体积、厚度；实现小型化、平面化、便于微波电路的集成，促进单片微波集成电路发展等特点。
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公开(公告)号：CN1790543A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410081514.0
申请日：2004-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性随机存储器MRAM参考信号的产生方法，它是通过外加电流产生磁场，该磁场改变存储单元两磁性层磁化方向的夹角来获得中间态，将该中间态的电阻作为参考信号，并利用MRAM中信息存储单元的电阻值与存储单元中两磁性层磁化方向的夹角存在确定的变化规律，来实现MRAM中存储单元信息的读取。利用本发明的方法可以实现MRAM中存储信息的快速读取，它具有高速读取且不降低存储密度的优点。
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公开(公告)号：CN212725252U
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202022115747.5
申请日：2020-09-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置，包括修调模块、电源模块、电压检测模块和激光修调仪，修调模块包括接在惠斯通电阻桥两侧的两个修调单元，修调单元包括多个并联的电阻元件，且最外侧电阻元件宽度比内侧电阻元件宽度大；电源模块提供测试电压，电压检测模块在相同的条件下进行测量获得惠斯通电阻桥两侧的输出电压值U1、U2；激光修调仪根据测量结果对修调模块中的电阻元件进行激光修调，当U1‑U2大于设定范围的最大值时，对连接U2一侧的修调单元中电阻元件进行激光切割；当U1‑U2小于设定范围的最小值时，对连接U1一侧的修调单元中电阻元件进行激光切割，每次切割后继续测量并根据测量结果判断是否继续切割，直到测量结果满足要求。
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