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公开(公告)号：CN111952470B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828294.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K85/10 , H10K71/00 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN115873593B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211580456.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种球型核壳结构的CdS/Cu2S/CdS量子阱材料及制备方法，其是以硫化镉为核，以硫化亚铜为中间层，再利用硫化镉为壳进行包覆，组成的一种球型壳核结构材料。本发明运用热注入法和连续离子层法进行制备，其方便可行，便于控制，所制备的材料具有连续的PN异质结构，优异的外壳深阱结构，拥有着高量子效率、良好的电子空穴束缚特性，在量子点的固体照明、led显示、光电探测等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111952473B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010829057.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/15 , H10K50/155 , H10K85/50 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间
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公开(公告)号：CN115873598B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211580428.9
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米立方体结构的PN结ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱光电材料及其制备方法，在立方形ZnS种子的基础上，通过热注入法和两步法合成ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，最终形成的是由ZnS核和外壳包覆Cu2Se中间层的立方体结构。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料。本发明运用热注入法和两步法制备具有立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，实施简易，便于控制，该材料在能带上具有Ⅰ型结构，所以拥有高的量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115776823A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211580096.4
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上得到硫化镉平面的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、核壳量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，PN结材料性能优异，器件结构稳定高效，制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108557837B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810061817.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜的制备方法，其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂，以酸化硅酸钠作为硅源，将两者混合制备模板溶液后，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在硅片衬底上制备薄膜层，再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后，经水热处理制得具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，所得具有垂直结构的SBA‑15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。
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公开(公告)号：CN111952472A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828328.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法,包括以下步骤：步骤S1：选取ITO玻璃作为衬底，步骤S2：旋涂PEDOT：PSS溶液，形成薄膜；步骤S3：配置空穴传输层溶液，并旋涂于PEDOT：PSS的膜层之上，形成空穴传输层；步骤S4：制备银纳米颗粒，并使用正己烷溶解纳米颗粒，制备成银纳米颗粒的正己烷溶液；步骤S5：制备CdSe量子点与二氧化硅纳米颗粒的混合溶液，并在空穴传输层上旋涂混合溶液，形成CdSe量子点发光中心层；步骤S6：配置ZnO溶液，在量子点膜层之上旋涂该溶液，形成氧化锌的电子传输层；步骤S7：利用蒸镀技术，形成银电极，制备得出掺杂了银的CdSe量子点发光二极管。本发明能够有效提高量子点发光层的载流子浓度，提高其复合几率。
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公开(公告)号：CN108269941A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810061813.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/0003 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件的制作方法。其先在FTO玻璃上通过蒸镀技术和热氧化工艺制备一层TiO2薄膜，再利用旋涂工艺制备具有垂直孔道的SBA-15多孔薄膜，随后以垂直多孔的SBA-15薄膜作为模板，通过旋涂灌入量子点前驱体溶液，使得垂直多孔的SBA-15薄膜孔道中嵌入量子点，再利用旋涂工艺在嵌有量子点的SBA-15薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和银，最终形成所述基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件。本发明制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA-15的限域作用，可使SBA-15中形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
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公开(公告)号：CN108258225A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810061272.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36
Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子电池的碳/金属硫化物/碳三维多孔阵列复合电极材料的制备方法。该电极材料以竹子煅烧后的碳骨架为阵列基底，采用去有机化，酸化等工艺负载金属氧化物活性物质，然后又通过葡萄糖包覆以及碳化处理来增强材料的稳定性，接着又采用抽滤，烘干，超声处理以及水热硫化的工艺将氧化物改性为硫化物来增加电化学性能，最终获得一种用于锂离子电池的碳/金属硫化物/碳三维多孔阵列复合电极材料。本发明绿色环保，无贵金属及重金属的使用，方便可行，有利于工业化大规模生产，且制备的电极材料具有优异的导电性与稳定性，以及高的充放电比容量及电化学循环性能，在锂电池负极材料领域有着巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108258059A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810061261.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合薄膜晶体管的电学性能。
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