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公开(公告)号：CN107140598B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710182877.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统及其制备方法，解决了现有技术中微机电器件单元和集成电路之间引线较长，从而引入较多干扰信号的问题。其中，该方法包括：在微机电器件芯片上制备环绕气体敏感单元的第一封装环和位于第一封装环内侧的气体敏感单元周围的第一电气连接点；在集成电路芯片上与第一封装环对应的位置和与第一电气连接点对应的位置分别制备第二封装环和作为电路层输入端的第二电气连接点；将微机电器件芯片和集成电路芯片对置；其中，第一电气连接点、第二电气连接点形成电气对接，第一封装环和第二封装环形成密封对接；在微机电器件芯片上开设由微机电器件芯片、集成电路芯片、第一封装环和第二封装环所形成的空间的导气通孔。
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公开(公告)号：CN107892268A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711113454.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B2201/0264 , B81C1/00261 , B81C1/00349 , B81C2203/01
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，所述压力传感器包括：衬底；收容腔，位于所述衬底内，包括底壁和侧壁；感应本体，悬浮于所述收容腔内，所述感应本体与所述收容腔侧壁之间具有深槽，所述感应本体与收容腔底壁之间具有与所述深槽连通的第一腔体，且所述感应本体与收容腔侧壁之间通过位于所述深槽内的悬梁固定连接；所述感应本体包括：半导体层、位于所述半导体层表面的介质层、贯穿所述介质层至半导体层内的密闭的第二腔体、覆盖所述介质层和第二腔体的器件层，所述器件层表面具有压阻条。上述压力传感器具有应力释放结构，可靠性高。
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公开(公告)号：CN103957498B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410215224.4
申请日：2014-05-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明涉及一种侧面进声的硅麦克风封装结构，其包括第一基板、MEMS传感器、ASIC芯片、连接所述MEMS传感器与所述ASIC芯片的引线以及固定于所述第一基板上的外壳，所述第一基板与所述外壳之间形成一个内部腔体，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片安装于所述第一基板上且均暴露于所述内部腔体内，所述硅麦克风封装结构设有位于第一侧面的侧壁，所述侧壁设有向外贯穿所述第一侧面的声孔，所述声孔与所述内部腔体相连通，从而实现了侧面进声。
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公开(公告)号：CN103402161B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310307946.8
申请日：2013-07-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微硅麦克风及其制作方法，包括具有正面和背面的衬底、贯通衬底的背腔、设置在衬底的正面且作为硅麦克风两极板的背板和振动体、以及形成在背板和振动体之间的振动空间，背板通过窄槽将其分割形成中心部和围设在中心部外围的外围部，中心部和外围部上设置有若干声孔，中心部和外围部通过绝缘连接部连接，微硅麦克风还包括分别与背板的中心部和外围部电性连接的第一信号部和第二信号部、以及与振动体电性连接的第三信号部，该微硅麦克风实现探测两种不同声压范围的信号，有效的避免信号失真，且具有体积小的优点，而相对制作工艺来说，由于，在制作的过程中，采用常规工艺加工实现，所以，其制作方法简单。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN117069054B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311324623.X
申请日：2023-10-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MEMS芯片封装结构及其制作方法，包括：通过在MEMS器件结构上先沉积第一氧化层，使MEMS器件结构位于所述衬底基板和所述第一氧化层之间，然后在第一氧化层背离MEMS器件结构的一侧形成金属支撑层，对金属支撑层进行光刻处理，以得到贯穿所述金属支撑层的释放孔，再以释放的方式形成可供MEMS器件结构活动的空腔结构，最后通过第一密封层实现最后的密封，简化了工艺难度，实现了活动结构的有效保护。从而完美的解决了传统密封封装工艺导致的连接紧密度不佳，以及由此所导致的崩边、裂片等问题。
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公开(公告)号：CN114079844A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010847895.8
申请日：2020-08-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风及其微机电结构。该微机电结构包括：背板；振动膜，具有至少一个通孔，并与背板构成可变电容；至少一个连接柱，每个连接柱的一端与背板固定连接；以及至少一个可动结构，分别位于相应的通孔中以与振动膜分离，每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接，其中，可动结构与通孔之间的间隙用于气体流通。该微机电结构通过在振动膜的通孔中设置与振动膜分离的可动结构，使得可动结构与通孔之间存在间隙，从而使得微机电结构的泄气量适应于不同外界声压，进而在保障MEMS麦克风性能的同时，改善了振动膜形变量大的问题。
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公开(公告)号：CN113747328A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111031057.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端，该制造方法包括：在衬底上方形成第一背板；在第一背板上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成振膜，振膜沿第二牺牲层的侧壁、第一背板的侧壁延伸至衬底上；以及去除部分第二牺牲层，余下的第二牺牲层作为第二支撑部。该制造方法通过令振膜覆盖第二牺牲层的侧壁，减小了释放工艺中释放液从第二牺牲层的侧壁侵蚀的风险。
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公开(公告)号：CN112492491A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011531341.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风、微机电结构及其制造方法。该微机电结构包括：具有第一通孔的第一背极板；具有第二通孔的第二背极板，位于第一背极板上；振动膜，位于第一背极板与第二背极板之间，振动膜与第一背极板构成第一可变电容，与第二背极板构成第二可变电容；第一防护层，与振动膜分别位于第一背极板的两侧，用于阻挡异物经第一通孔进入第一背极板与振动膜之间的间隙；第二防护层，与振动膜分别位于第二背极板的两侧，用于阻挡异物经第二通孔进入第二背极板与振动膜之间的间隙；以及第二连接部，位于第二背极板表面并固接在第二防护层与第二背极板之间，以使第二防护层与第二背极板分隔。
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