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公开(公告)号：CN109231153A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810959206.5
申请日：2018-08-22
申请人： 深圳市奥极医疗科技有限公司
CPC分类号： B81B7/0058 , B81B2201/0235 , B81C1/00047 , B81C1/00261 , B81C1/00888 , B81C3/001 , G01P15/00
摘要： 本发明提供一种微加速度传感器的芯片级封装结构，包括盖板单晶硅圆片、微加速度传感器结构，微加速度传感器结构上的金属引线通过盖板单晶硅圆片的凸点转移到盖板单晶硅圆片上，盖板单晶硅圆片下部的空腔通过圆片对准键与所述微加速度传感器结构形成一个密封的真空腔体结构，本发明的有益效果在于：采用圆片级封装将微加速度传感器进行封装组合，可以大大提高器件封装效率，封装后器件的体积也可以大大减小，并且封装后器件可以通过贴片的方式与外围电路连接，不需要采用金属管壳，封装成本亦可大大降低；同时，由于在芯片分割前，进行了封装，这就保护了器件的敏感元件不受后续工艺的影响，提高了器件的成品率。
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公开(公告)号：CN108862185A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810437158.3
申请日：2018-05-09
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00333 , B32B15/043 , B81B7/0032 , B81C1/00301 , H01L23/315 , B81B7/02 , B81C1/00261
摘要： 一种制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的第一主表面区域上具有带有凹槽的布线层堆叠，其中在半导体衬底的第一主表面区域处，MEMS器件裸露地布置在布线层堆叠的凹槽中，并且其中在布线层堆叠的金属化区域处布置有突出的过孔元件；将在中间阶段中固化的b阶材料层施加到在布线层堆叠上，从而使在布线层堆叠中的凹槽被由b阶材料层覆盖，并且还使该垂直突出的过孔元件被加入到b阶材料层中；固化b阶材料层，以获得经固化的b阶材料层；使经固化的b阶材料层薄化，以裸露过孔元件的端表面区域；并且将RDL结构(RDL＝再分布层)施加到经薄化和固化的b阶材料层上，以便经由过孔元件获得布线层堆叠与RDL结构之间的电连接。
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公开(公告)号：CN106946213A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710385541.4
申请日：2017-05-26
申请人： 芜湖恒铭电子科技有限公司
CPC分类号： B81B3/0027 , B81B2201/0264 , B81C1/00134 , B81C1/00261 , B81C2201/00 , G01L11/00
摘要： 本发明公开了一种压力传感器及其制作方法，具有：电路板，电路板侧边设有向内凹陷的弧形边，电路板上还设有电路板焊盘和定位孔；芯片，其安装在电路板的下部；壳体，壳体内设有第一安装槽，第一安装槽槽底设有第二安装槽，芯片安装在第二安装槽内，第二安装槽的槽底设有通气孔；电路板安装在第一安装槽内；第二安装槽的槽口四周设有台阶；台阶外周设有沟槽，沟槽内灌注硅胶，定位柱与电路板上的定位孔相适配；壳体上还设有插针焊盘，插针焊盘与电路板通过铝丝键合线键合；凝胶，填充第一安装槽，传感器抗腐蚀性良好、长期稳定性好以及过载能力高。
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公开(公告)号：CN106927419A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710150940.2
申请日：2017-03-14
申请人： 苏州希美微纳系统有限公司
CPC分类号： B81B7/0032 , B81B7/02 , B81C1/00261 , B81C2201/01
摘要： 本发明涉及一种用于射频微机电系统的圆片级封装结构及其封装方法，其包括有衬底，衬底上分布有微波传输层与电学连接层，微波传输层上连接有射频微机电系统器件，衬底通过有机材料封装区和非有机材料封装区与封装顶盖键合在一起，封装顶盖内设置有封装腔，射频微机电系统器件位于封装腔内，微波传输层从有机材料封装区通过，电学连接线从非有机材料封装区引出。由此，封装结构避免了传统的衬底打通孔工艺，利用较简单的工艺将射频信号通过微波传输线从有机材料中引出。存在非有机材料封装区，弥补了仅有有机材料封装时的气密性和键合强度不足的问题。能有效保证射频微机电系统器件的可动结构部分受到保护，提高了射频微机电系统器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106564856A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610954814.8
申请日：2016-10-27
申请人： 东南大学
CPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , B81C1/00015 , B81C1/00261
摘要： 本发明公开了一种复合型基板及其制备方法，所述复合型基板包括玻璃部分；硅部分；嵌入导电部分；其中，复合型基板的主体为玻璃部分或硅部分；所述复合型基板的厚度范围50μm‑1mm。本发明采用因瓦合金、超因瓦合金或金属玻璃中的一种作为嵌入导电部分的材料，这几种材料导电性良好，且与玻璃部分和硅部分的热膨胀系数匹配或相差不大，相比于采用铜材料，复合型基板的可靠性大大增强。
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公开(公告)号：CN106477512A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611047735.5
申请日：2016-11-23
申请人： 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00261 , B81C1/00269 , B81C1/00325 , H01L23/3107
摘要： 本发明提供了一种压力传感器及其封装方法，所述压力传感器包括层叠设置的基板与压力传感器芯片，所述压力传感器芯片包括衬底、形成于所述衬底背离基板一侧的腔体以及与所述腔体配合设置的敏感膜，所述腔体呈扁平状，所述衬底上设有的第一焊盘；所述基板设有电连接至第一焊盘的第二焊盘；所述压力传感器还包括沿所述敏感膜的外周设置的第一围坝、设置于基板上且不超出所述第一围坝的硬质密封层、以及位于所述敏感膜上方并与所述第一围坝相抵接的承压部件，其中，第一焊盘位于第一围坝的外侧。采用本发明压力传感器及其封装方法，避免敏感膜直接承受外界应力，降低破损几率，同时通过硬质密封层实现更好的防护，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN106241729A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610409113.6
申请日：2016-06-12
申请人： 因文森斯公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/036 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/5226 , B81C1/00261
摘要： 本发明涉及一种包括接触层的CMOS-MEMS集成装置及制造方法，其是一种用于形成MEMS装置的方法。该MEMS装置包括MEMS衬底及底座衬底。该MEMS衬底包括操作层、装置层及介于之间的绝缘层。本方法包括下列循序步骤：在该装置层上提供隔绝体；穿过该装置层及该绝缘层蚀刻贯孔；在该贯孔内提供接触层，其中该接触层在该装置层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。
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公开(公告)号：CN106241726A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510852244.7
申请日：2015-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L27/12 , B81B2203/0127 , B81C1/00238 , H01L27/14692 , H01L27/20 , B81B7/0032 , B81B3/00 , B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2207/09 , B81C1/00261 , B81C1/00301 , B81C3/00 , B81C2201/01 , B81C2203/01
摘要： 在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。支撑层具有设置在与柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分后腔的支撑层开口。本发明的实施例还涉及MEMS封装技术。
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公开(公告)号：CN106044698A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610237645.6
申请日：2016-04-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： A·弗勒梅尔
CPC分类号： G01L9/0073 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C2203/0109 , G01L9/0041 , B81B7/02 , B81C1/00 , B81C1/00261 , B81C3/00
摘要： 本公开的各种实施例提供了一种用于封装的MEMS器件的系统和方法。根据实施例，器件包括衬底，布置在衬底之上的换能器裸片；布置在换能器裸片之上的盖体；以及将盖体连接到衬底的支撑结构。支撑结构包括被配置为允许在周围环境和换能器裸片之间传递流体信号的端口。
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公开(公告)号：CN104662630B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380049225.X
申请日：2013-09-20
申请人： 贺利实公司
发明人： 约翰·E·罗格斯 , 迈克尔·R·韦瑟斯庞
CPC分类号： H01H49/00 , B05D1/32 , B05D7/50 , B81C1/00261 , B81C1/00333 , H01H1/0036 , H01H59/0009 , Y10T29/42 , Y10T29/49105
摘要： 本发明揭示具有封装壳体(100)的微小化装置，例如MEMS开关(10)。所述壳体(100)及所述开关(10)的其余部分在并存基础上通过沉积例如铜的导电材料的层制造于衬底(26)上。
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