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公开(公告)号:CN104822854A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201380062982.0
申请日:2013-12-25
申请人: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC分类号: C22C9/04 , B32B15/01 , C22F1/002 , C22F1/02 , C22F1/08 , H01B1/026 , Y10T428/12 , Y10T428/12715
摘要: 本发明涉及一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子,本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有超过2.0质量%且小于23.0质量%的Zn、0.10质量%以上且0.90质量%以下的Sn、0.05质量%以上且小于1.00质量%的Ni、0.001质量%以上且小于0.100质量%的Fe、0.005质量%以上且0.100质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,且以原子比计,满足0.002≤Fe/Ni<1.500、3.0<(Ni+Fe)/P<100.0、0.10<Sn/(Ni+Fe)<5.0,且H的含量为10质量ppm以下,O的含量为100质量ppm以下,S的含量为50质量ppm以下,C的含量为10质量ppm以下。
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公开(公告)号:CN103917674B
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201280053840.3
申请日:2012-11-02
申请人: 三菱伸铜株式会社
摘要: 本发明提供一种铜合金热锻件,该管状铜合金热锻件含有59.0~84.0质量%的Cu、0.003~0.3质量%的Pb、剩余部分具有由Zn及不可避免杂质构成的合金组成,在Cu的含量[Cu]质量%与Pb的含量[Pb]质量%之间具有59≤([Cu]+0.5×[Pb])≤64的关系,形状满足公式0.4≤(平均内径)/(平均外径)≤0.92、0.04≤(平均壁厚)/(平均外径)≤0.3、1≤(管轴方向长度)/(平均壁厚)≤10,被热锻之前的锻造原材料为管状,且为0.3≤(平均内径/平均外径)≤0.88、0.06≤(平均壁厚)/(平均外径)≤0.35、0.8≤(管轴方向长度)/(平均壁厚)≤12,在管轴方向上的任一位置都满足公式0≤(厚度偏差度)≤30%、0≤(厚度偏差度)≤75×1/((管轴方向长度)/(平均壁厚))1/2。
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公开(公告)号:CN104271783A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201380023308.1
申请日:2013-03-19
申请人: 三菱伸铜株式会社 , 三菱综合材料株式会社
摘要: 本申请的用作端子或连接器材料的铜合金板含有4.5~12.0质量%的Zn、0.40~0.9质量%的Sn、0.01~0.08质量%的P及0.20~0.85质量%的Ni,剩余部分包括Cu及不可避免杂质,具有11≤[Zn]+7.5×[Sn]+16×[P]+3.5×[Ni]≤19的关系,并且,Ni为0.35~0.85质量%时,具有7≤[Ni]/[P]≤40的关系,平均结晶粒径为2.0~8.0μm,圆形或椭圆形的析出物的平均粒径为4.0~25.0nm或者在所述析出物中粒径为4.0~25.0nm的析出物所占的个数比例为70%以上,导电率为29%IACS以上,作为耐应力松弛特性在150℃、1000小时的条件下应力松弛率为30%以下,弯曲加工性在W弯曲中为R/t≤0.5,焊料润湿性优异,杨氏模量在100×103N/mm2以上。
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公开(公告)号:CN103154285B
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201180048837.8
申请日:2011-11-01
申请人: 三菱伸铜株式会社
摘要: 本发明的铜合金热锻件其合金组成为含有0.21~0.44mass%的Co、0.06~0.13mass%的P、0.003~0.08mass%的Sn及0.00003~0.0030mass%的0,剩余部分包括Cu及不可避免杂质,在Co的含量[Co]mass%与P的含量[P]mass%之间具有3.1≤([Co]-0.005)/([P]-0.006)≤4.9的关系。在截面金属组织中,再结晶晶粒的平均结晶粒径为0.050~0.50mm的再结晶晶粒组所占的比例和未再结晶晶粒所占的比例的合计为80%以上。
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公开(公告)号:CN104011236A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201180075686.5
申请日:2011-12-22
申请人: 三菱伸铜株式会社
摘要: 本发明的Cu-Ni-Si系铜合金板在维持强度和导电率的同时具有优异的模具耐磨性及剪切加工性,并含有1.0~4.0质量%的Ni和0.2~0.9质量%的Si,余量包括Cu及不可避免的杂质,表面的粒径20~80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为1.5×106~5.0×106个/mm2,表面的粒径超过100nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为0.5×105~4.0×105个/mm2,当自表面的厚度为整个板厚的20%的表面层中的粒径20~80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为a个/mm2,并且比所述表面层靠下方部分中的粒径20~80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为b个/mm2时,a/b为0.5~1.5,固溶于自表面小于10μm的厚度范围的晶粒内的Si的浓度为0.03~0.4质量%。
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公开(公告)号:CN102395713B
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN200980158742.4
申请日:2009-07-13
申请人: 三菱伸铜株式会社
摘要: 本发明提供导电部件,具有稳定的接触电阻,难以剥离,作为连接器使用时的插拔力小且稳定,作为保险丝使用时也具有良好熔断特性。在Cu系基材1上形成的Ni系底层3与形成表面的Sn系表面层5之间形成有Cu-Sn金属间化合物层4,Cu-Sn金属间化合物层4进而由配置于Ni系底层3上Cu3Sn层6与配置于Cu3Sn层6上的Cu6Sn5层7所构成,结合Cu3Sn层6及Cu6Sn5层7所成的Cu-Sn金属间化合物层4的与Sn系表面层5接触的面的表面粗糙度,以算术平均粗糙度Ra计为0.05~0.25μm,粗糙度曲线的最大凹陷深度Rv为0.05~1.00μm,Cu3Sn层被覆Ni系底层,其面积覆盖率为60~100%。
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公开(公告)号:CN103917674A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201280053840.3
申请日:2012-11-02
申请人: 三菱伸铜株式会社
摘要: 本发明提供一种铜合金热锻件,该管状铜合金热锻件含有59.0~84.0质量%的Cu、0.003~0.3质量%的Pb、剩余部分具有由Zn及不可避免杂质构成的合金组成,在Cu的含量[Cu]质量%与Pb的含量[Pb]质量%之间具有59≤([Cu]+0.5×[Pb])≤64的关系,形状满足公式0.4≤(平均内径)/(平均外径)≤0.92、0.04≤(平均壁厚)/(平均外径)≤0.3、1≤(管轴方向长度)/(平均壁厚)≤10,被热锻之前的锻造原材料为管状,且为0.3≤(平均内径/平均外径)≤0.88、0.06≤(平均壁厚)/(平均外径)≤0.35、0.8≤(管轴方向长度)/(平均壁厚)≤12,在管轴方向上的任一位置都满足公式0≤(厚度偏差度)≤30%、0≤(厚度偏差度)≤75×1/((管轴方向长度)/(平均壁厚))1/2。
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公开(公告)号:CN103781924A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201280040753.4
申请日:2012-09-19
申请人: 三菱伸铜株式会社 , 三菱综合材料株式会社
摘要: 本发明的铜合金板的一方式含有28.0~35.0质量%的Zn、0.15~0.75质量%的Sn及0.005~0.05质量%的P,剩余部分包括Cu及不可避免杂质,满足44≥[Zn]+20×[Sn]≥37且32≤[Zn]+9×([Sn]-0.25)1/2≤37的关系。该铜合金板的一方式通过包括对铜合金材料进行冷轧的精冷轧工序的制造工序来制造,所述铜合金材料的平均结晶粒径为2.0~7.0μm,所述铜合金材料的金属组织中的β相的面积率和γ相的面积率的总计为0%以上且0.9%以下。
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公开(公告)号:CN102471831B
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN200980160752.1
申请日:2009-08-20
申请人: 三菱伸铜株式会社
CPC分类号: C22F1/08 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/06 , C22C14/00 , H01L23/49579 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种即使在500℃的高温区域也不会降低强度的具有耐热性的电子设备用铜合金。该电子设备用铜合金的特征在于,含有1.5~2.4质量%的Fe、0.008~0.08质量%的P及0.01~0.5质量%的Zn,在透射型电子显微镜观察中,每1μm2的析出物粒子的直径在频数分布图中的峰值是在15~35nm的直径范围内,且该直径范围内的析出物粒子以总频数的50%以上的频率存在,其半宽为25nm以下。
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公开(公告)号:CN103547692A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201180071039.7
申请日:2011-11-28
申请人: 三菱伸铜株式会社
摘要: 一种Cu-Ni-Si系铜合金板,含有1.0~3.0质量%的Ni,并且含有浓度为Ni的质量%浓度的1/6~1/4的Si,余量为Cu及不可避免的杂质,表面的算术平均粗糙度Ra为0.2μm,以表面粗糙度平均线为基准时各个峰部值和谷部值的绝对值的标准偏差为0.1μm以下,合金组织中晶粒的纵横尺寸比的平均值为0.4~0.6,当根据EBSD法对测定面积范围内的所有像素的取向进行测定,并将相邻像素之间的取向差为5°以上的边界视为晶界的情况下,GOS的所有晶粒中的平均值为1.2~1.5°,特殊晶界的特殊晶界总长度Lσ相对于晶界的晶界总长度L的比率(Lσ/L)为60~70%,弹性极限值为450~600N/mm2,在150℃且1000小时下的焊料耐热剥离性良好,耐疲劳特性的变动少,具有优异的深拉深加工性。
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