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公开(公告)号：CN107923001B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201680041266.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金中，含有大于2质量％且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P、0.001质量％以上且0.1质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，以原子比计，满足3＜(Ni+Fe)/P＜30、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜2.7、0.002≤〔Fe/Ni〕＜0.6，而且，相对于合金整体的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕，含有Fe、Ni和P的〔Ni，Fe〕‑P系析出物中的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕P满足5≤〔Fe/Ni〕P/〔Fe/Ni〕≤200。
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公开(公告)号：CN107923001A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680041266.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金中，含有大于2质量％且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P、0.001质量％以上且0.1质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，以原子比计，满足3＜(Ni+Fe)/P＜30、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜2.7、0.002≤〔Fe/Ni〕＜0.6，而且，相对于合金整体的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕，含有Fe、Ni和P的〔Ni，Fe〕-P系析出物中的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕P满足5≤〔Fe/Ni〕P/〔Fe/Ni〕≤200。
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公开(公告)号：CN103781924B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280040753.4
申请日：2012-09-19
Applicant: 三菱伸铜株式会社 , 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的铜合金板的一方式含有28.0～35.0质量%的Zn、0.15～0.75质量%的Sn及0.005～0.05质量%的P，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，满足44≥[Zn]+20×[Sn]≥37且32≤[Zn]+9×（[Sn]-0.25）1/2≤37的关系。该铜合金板的一方式通过包括对铜合金材料进行冷轧的精冷轧工序的制造工序来制造，所述铜合金材料的平均结晶粒径为2.0～7.0μm，所述铜合金材料的金属组织中的β相的面积率和γ相的面积率的总计为0%以上且0.9%以下。
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公开(公告)号：CN104271783B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380023308.1
申请日：2013-03-19
Applicant: 三菱伸铜株式会社 , 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本申请的用作端子或连接器材料的铜合金板含有4.5～12.0质量％的Zn、0.40～0.9质量％的Sn、0.01～0.08质量％的P及0.20～0.85质量％的Ni，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，具有11≤[Zn]+7.5×[Sn]+16×[P]+3.5×[Ni]≤19的关系，并且，Ni为0.35～0.85质量％时，具有7≤[Ni]/[P]≤40的关系，平均结晶粒径为2.0～8.0μm，圆形或椭圆形的析出物的平均粒径为4.0～25.0nm或者在所述析出物中粒径为4.0～25.0nm的析出物所占的个数比例为70％以上，导电率为29％IACS以上，作为耐应力松弛特性在150℃、1000小时的条件下应力松弛率为30％以下，弯曲加工性在W弯曲中为R/t≤0.5，焊料润湿性优异，杨氏模量在100×103N/mm2以上。
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公开(公告)号：CN104271783A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380023308.1
申请日：2013-03-19
Applicant: 三菱伸铜株式会社 , 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本申请的用作端子或连接器材料的铜合金板含有4.5～12.0质量％的Zn、0.40～0.9质量％的Sn、0.01～0.08质量％的P及0.20～0.85质量％的Ni，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，具有11≤[Zn]+7.5×[Sn]+16×[P]+3.5×[Ni]≤19的关系，并且，Ni为0.35～0.85质量％时，具有7≤[Ni]/[P]≤40的关系，平均结晶粒径为2.0～8.0μm，圆形或椭圆形的析出物的平均粒径为4.0～25.0nm或者在所述析出物中粒径为4.0～25.0nm的析出物所占的个数比例为70％以上，导电率为29％IACS以上，作为耐应力松弛特性在150℃、1000小时的条件下应力松弛率为30％以下，弯曲加工性在W弯曲中为R/t≤0.5，焊料润湿性优异，杨氏模量在100×103N/mm2以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103781924A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280040753.4
申请日：2012-09-19
Applicant: 三菱伸铜株式会社 , 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的铜合金板的一方式含有28.0～35.0质量%的Zn、0.15～0.75质量%的Sn及0.005～0.05质量%的P，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，满足44≥[Zn]+20×[Sn]≥37且32≤[Zn]+9×（[Sn]-0.25）1/2≤37的关系。该铜合金板的一方式通过包括对铜合金材料进行冷轧的精冷轧工序的制造工序来制造，所述铜合金材料的平均结晶粒径为2.0～7.0μm，所述铜合金材料的金属组织中的β相的面积率和γ相的面积率的总计为0%以上且0.9%以下。
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公开(公告)号：CN102177273B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980139268.0
申请日：2009-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/165 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的平板显示器的铜合金配线膜以及用于形成该铜合金配线膜的溅射靶具有如下组成：含有Mg：0.1～5原子％，还含有Mn和Al中的1种或2种总计：0.1～11原子％，根据需要含有P：0.001～0.1原子％，余部由Cu和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN102804352A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025444.0
申请日：2010-05-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C22C9/10 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05K1/09
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线层结构，该布线层结构具备：半导体基板或玻璃基板的基底基板；在该基底基板上形成的含氧Cu层或含氧Cu合金层；在该含氧Cu层或该含氧Cu合金层上形成的含有Al、Zr、Ti中的至少一种的氧化物层；和在该氧化物层上形成的、含有Al、Zr、Ti中的至少一种的Cu合金层。
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公开(公告)号：CN102203916A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980141374.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/285 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53233 , C22C9/00 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于形成薄膜晶体管用布线膜的溅射靶材，具有如下组成：含有Mg:0.1~5原子%、Ca:0.1~10原子%，剩余部分含有Cu和不可避免的杂质。另外还可以含有Mn和Al中的至少一种或两种合计0.1~10原子%。另外还可以含有P：0.001~0.1原子%。
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公开(公告)号：CN102177273A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980139268.0
申请日：2009-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/165 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的平板显示器的铜合金配线膜以及用于形成该铜合金配线膜的溅射靶具有如下组成：含有Mg：0.1～5原子％，还含有Mn和Al中的1种或2种总计：0.1～11原子％，根据需要含有P：0.001～0.1原子％，余部由Cu和不可避免的杂质构成。
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