公开(公告)号：CN1997778B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200580021311.5

申请日：2005-04-27

申请人： 纳米技术有限公司

发明人： P·奥布赖恩 ,  N·皮克特

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/60 ,  C30B7/14 ,  C01B19/00

CPC分类号： C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/60 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/621 ,  C09K11/70 ,  C09K11/7492 ,  C09K11/881 ,  C09K11/892 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B7/10 ,  C30B29/48 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2989 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/32

摘要： 一种生产纳米粒子的方法，该方法包括：进行纳米粒子前体组合物到纳米粒子材料的转化。所述前体组合物包含含有要结合到生长的纳米粒子之内的第一离子的第一前体物质和含有要结合到生长的纳米粒子之内的第二离子的单独第二前体物质。所述转化是在容许纳米粒子的接种和生长的条件下在分子簇合物存在下进行的。

公开(公告)号：CN1998066B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200580022327.8

申请日：2005-06-27

申请人： 惠普开发有限公司 ,  俄勒冈州大学

发明人： G·S·赫尔曼 ,  P·马迪洛维奇 ,  C·贝特拉贝特 ,  C·-H·常 ,  Y·-J·常 ,  D·-H·李 ,  M·W·霍斯金斯

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C18/14 ,  B41J2/00 ,  B05D7/00 ,  C30B7/00

CPC分类号： H01L51/0022 ,  B41J11/002 ,  C23C18/04 ,  C23C18/06 ,  C23C18/14 ,  C30B7/005 ,  H01L21/67011 ,  Y10S977/938

摘要： 一种用于制备结构的方法，包括在表面(24、124、1424、1624)上沉积溶液(36、136、136’、136”、136、1436、1536、1636、1736)，并用微波辐照溶液(36、136、136’、136”、136、1436、1536、1636、1736)以使表面(24、124、1424、1624)上的溶液(36、136、136’、136”、136、1436、1536、1636、1736)的溶质(22、122、122’、122”、122、222、222’、332、422、422’、422、422””、422”、522、522’、522、622、622’、722、822、922、1022、1122、1322、1422、1522、1622、1722、1822)结晶。

公开(公告)号：CN100570912C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200680020268.5

申请日：2006-06-15

申请人： 耶路撒冷希伯来大学伊萨姆研发公司

发明人： 乌里·巴宁 ,  阿萨夫·阿哈龙尼

IPC分类号： H01L33/00 ,  C30B29/60

CPC分类号： C30B29/60 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  C30B7/005 ,  H01L33/24 ,  H01S5/3412 ,  Y10T428/2991

摘要： 本发明涉及III-V半导体核-异质壳纳米晶体。本发明提供了一种包含核和多层壳的核/多壳半导体纳米晶体，其显示出I型带阶和较高的光致发光量子产率，提供了涵盖从约400nm的可见范围至超过1600nm的近红外范围的明亮可调的发射。

公开(公告)号：CN100552095C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710044292.9

申请日：2007-07-27

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 高相东 ,  李效民 ,  于伟东 ,  邱继军 ,  甘小燕

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C01C3/20

CPC分类号： C30B7/005

摘要： 本发明涉及一种在室温液相条件下制备硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜的方法。其特征在于：(1)选用无机铜盐为前驱体，Cu2+浓度为0.001-0.1mol/L；(2)选用硫代硫酸钠(Na2S2O3)为络合剂，与铜离子的摩尔浓度比为2～5；(3)选用碱金属的硫氰酸盐为SCN-离子前驱体，浓度范围为0.002-0.2mol/L，且SCN-与Cu2+的浓度比为1-15；(4)采用“连续离子层吸附与反应”(SILAR)法进行薄膜沉积，衬底先浸渍于Cu2+前驱体溶液；再将衬底在SCN-前驱体溶液中反应；衬底重新浸渍于Cu2+前驱体；重复进行；最后以去离子水对衬底进行充分漂洗。所制得的CuSCN薄膜：膜层致密、均匀，粒子尺寸小至20-50nm，400-800nm波段的光学透过率为50-70%。

公开(公告)号：CN100423197C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN03801435.1

申请日：2003-08-15

申请人： JSR株式会社

发明人： 松木安生 ,  岩泽晴生 ,  加藤仁史

IPC分类号： H01L21/208

CPC分类号： C23C24/10 ,  C23C26/02 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686

摘要： 本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN101210042A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710304023.1

申请日：2007-12-24

申请人： 中国科学院力学研究所

发明人： 戴国亮 ,  刘兴宇

IPC分类号： C07K1/14 ,  C30B7/00

CPC分类号： C30B7/005

摘要： 本发明公开了一种培养蛋白质晶体的器皿，该器皿包括皿体和上盖，其中皿体为上端开口的空腔结构，腔体内表面上设置有聚四氟乙烯薄膜层，上盖和皿体之间通过固定结构来固定连接，并且上盖可将皿体封盖。本发明通过在皿体内表面上设置有聚四氟乙烯薄膜层，将蛋白质晶体与皿壁隔开，避免了蛋白质晶体直接在皿壁上生长而出现的非正常生长、晶体与器壁粘接引起的难以转移和难以观察等情况。

公开(公告)号：CN100367525C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN02815187.9

申请日：2002-07-30

申请人： 美国超导体公司

发明人： 莱斯利G·菲特责梅尔 ,  达恩P·韦赖贝伊 ,  马丁W·鲁皮奇 ,  张威 ,  李齐 ,  李晓萍

IPC分类号： H01L39/24 ,  C23C18/12

CPC分类号： C30B29/225 ,  C04B35/4508 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/787 ,  C23C8/02 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L39/2451 ,  Y10T29/49014

摘要： 本发明公开了一种用于制造超导体材料的反应器、方法和系统。该方法包括：在衬底表面上提供包括氟化钡的膜；将第一反应气体混合物冲击在膜上；以及加热衬底到第一温度，同时冲击第一反应气体在膜上以在衬底表面上提供超导体材料，其中该第一反应气体以相对于衬底表面至少5度的角度冲击在膜上，使得当第一反应气体冲击在表面上时从表面移去氟化氢。

公开(公告)号：CN101084469A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200580043645.2

申请日：2005-12-12

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： D·布丁斯基

IPC分类号： G03F7/00 ,  C30B7/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/102

摘要： 本发明涉及一种表面图案化和使用受控沉淀式生长的通孔制造的工艺，以及通过根据本发明的这样的工艺制备的图案化衬底。根据本发明的工艺包括提供包含至少一个表面的衬底，在该表面上需要将材料图案化，上述表面包括具有不同表面特性的至少第一和第二表面区域，其中进一步在第一表面区域上提供保护沉淀式生长，并且对至少第二表面区域应用至少一种材料，使得或者基本不对第一表面区域提供应用材料，或者如果对第一表面区域提供应用材料，可从第一表面区域选择性去除应用材料。

公开(公告)号：CN100339512C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN03814793.9

申请日：2003-04-17

申请人： 波兰商艾蒙诺公司 ,  日亚化学工业株式会社

发明人： R·德林斯基 ,  R·多拉德仁斯基 ,  J·加尔科钦斯基 ,  L·P·谢拉兹普托斯基 ,  神原康雄

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/406

摘要： 本发明涉及在超临界含氨溶液的环境中用于晶体生长方法的新改进，这些改进以特殊的叠氮化物矿化剂的使用为基础，并得到了改进的大的Ⅷ族元素氮化物单晶，尤其是主要用于各种氮化物基的半导体产品如各种光电装置的大单晶含镓氮化物。本发明还涉及一种用于超临界含氨溶液的矿化剂，它含有选自LiN3、NaN3、KN3和CsN3中的至少一种化合物。

公开(公告)号：CN101040390A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580014083.9

申请日：2005-05-03

申请人： 索拉罗尼克斯股份公司

发明人： T·迈耶 ,  T·阿约蒂亚 ,  M·凯林

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1836 ,  C30B7/005 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种方法，根据这种方法，首先在基材上沉积含有属于黄铜矿组成的金属的无机盐和有机粘结剂的溶液。然后，通过干燥能够得到在该基材上的固体层，最后，让该层与含有一种或多种周期表第16族元素的气氛接触，并通过热反应生成黄铜矿。