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    甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置
    2.
    发明公开
    甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置 失效

    公开(公告)号：CN105586641A

    公开(公告)日：2016-05-18

    申请号：CN201610018311.X

    申请日：2016-01-12

    申请人： 山东大学

    发明人： 陶绪堂 ,  殷建

    IPC分类号： C30B29/54 ,  C30B7/00

    CPC分类号： C30B29/54 ,  C30B7/005

    摘要： 本发明涉及甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置，生长方法包括步骤如下：(1)将CH3NH3PbX3(X＝Cl、Br、I)的极性有机溶液滴加到衬底上，随即压上与衬底相同材质的盖片，贴合后使溶液在衬底上铺展，得到生长体；(2)将生长体置于密封容器中，于40～70℃温度下，真空或惰性气氛中，生长3～20天，即得。生长装置包括控温生长装置和密闭装置，密闭装置设置在控温生长装置中，控温生长装置设置有抽真空装置及惰性气体进气装置。本发明所制备微米薄片为单晶，结构完整，表面平整，无晶界，中间体和缺陷。

    纳米粒子材料的可控制备
    5.
    发明授权
    纳米粒子材料的可控制备 有权

    公开(公告)号：CN101346306B

    公开(公告)日：2012-08-08

    申请号：CN200680049071.4

    申请日：2006-10-27

    申请人： 纳米技术有限公司

    发明人： 奈杰尔·皮克特

    IPC分类号： C01B19/00 ,  C01B17/20 ,  H01L29/12

    CPC分类号： C01B19/007 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/84 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L29/127 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996

    摘要： 本发明提供一种制备纳米粒子的方法，该方法包括实现纳米粒子前体组合物向纳米粒子材料的转化，前体组合物包含含有被结合到生长的纳米粒子中的第一离子的第一前体物种以及含有被结合到生长的纳米粒子中的第二离子的第二前体物种，所述转化是在分子簇化合物的存在下，在允许所述纳米粒子的接种和生长的条件下实现的，其中所述方法包括：在第一温度，将分子簇化合物以及纳米粒子前体组合物的初始部分分散在合适的分散介质中，所述初始部分少于用于制备所述纳米粒子的纳米粒子前体组合物的总量；将包含所述簇化合物和前体组合物的分散介质的温度升高至第二温度，第二温度足以引发纳米粒子在所述分子簇化合物的分子簇上的接种和生长；以及将所述纳米粒子前体组合物的一个或多个另外部分加入到包含生长的纳米粒子的分散介质中，其中在加入所述纳米粒子前体组合物的所述部分或每一个另外部分之前、之中和/或之后，将包含生长的纳米粒子的分散介质的温度升高。

    Ⅲ族氮化物单晶体及其制造方法以及半导体器件
    6.
    发明授权
    Ⅲ族氮化物单晶体及其制造方法以及半导体器件 失效

    公开(公告)号：CN1969067B

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN200580019599.2

    申请日：2005-07-13

    申请人： 住友电气工业株式会社

    发明人： 中畑成二

    IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

    CPC分类号： C30B19/04 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B9/06 ,  C30B13/02 ,  C30B29/403

    摘要： 提供一种制造III族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)之间形成200μm以下厚度的液体层(3)，以及在衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)上生长III族氮化物单晶体(4)。在此，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)可以由III族氮化物单晶体形成，而III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物多晶体形成。而且，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物单晶体形成，而衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料衬底(2)的液体层侧面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。

    制备不同微观形貌氧化锌薄膜的方法
    7.
    发明授权
    制备不同微观形貌氧化锌薄膜的方法 失效

    公开(公告)号：CN100582320C

    公开(公告)日：2010-01-20

    申请号：CN200610130120.9

    申请日：2006-12-13

    申请人： 天津大学

    发明人： 靳正国 ,  余可 ,  刘晓新

    IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B28/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  C23C18/00 ,  C01G9/02

    CPC分类号： C30B7/005

    摘要： 本发明公开了一种制备不同微观形貌的氧化锌薄膜的方法，步骤为：(一)水溶液二步生长工艺①衬底表面晶种层的制备；②生长液中取向晶生长；(二)原位二次调节pH值：使用硝酸二次调节生长液pH值至9.8，得到ZnO管状晶阵列薄膜；或者使用25%氨水二次调节生长液pH值至9.2，得到表面绒毛状棒晶。本发明通过对水溶液pH值的原位二次调节的简单途径，完成了ZnO薄膜的微观形貌转变，可实现管状晶和表面绒毛状棒晶的制备。

    有机半导体元件
    10.
    发明公开
    有机半导体元件 失效

    公开(公告)号：CN101108783A

    公开(公告)日：2008-01-23

    申请号：CN200710140774.4

    申请日：2002-08-07

    申请人： 旭化成株式会社

    发明人： 南方尚

    IPC分类号： C07C15/20 ,  C30B29/54 ,  C30B7/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0055 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/54 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

    摘要： 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量％)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。