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公开(公告)号：CN101339771A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810125091.6
申请日：2008-06-26
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： R·C·凡卡塔拉曼尼 , S·桑卡拉纳瑞雅南 , M·F·厄顿
CPC分类号： G11B5/012 , B82Y10/00 , G11B5/59616 , G11B5/743 , G11B5/746
摘要： 一种方法包括：根据位于比特图形化介质的多个区域中的多个岛，产生比特检测信号；处理比特检测信号以产生同步信号，其中所述处理依赖于包含多个岛的区域中的岛的特征；以及使用同步信号来控制对比特图形化介质进行写入的时序。同步信号也可以被用于控制从比特图形化介质中进行读取的时序。
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公开(公告)号：CN1497565A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310100709.0
申请日：2003-10-08
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B11/10
CPC分类号： G11B11/10591 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B11/10582 , G11B11/10584
摘要： 记录层的垂直磁各向异性变得较低，这取决于记录层的组成和成膜方法。在这种情况下，难以稳定地形成微观记录磁域而且有可能不能在磁光记录中得到足够高的记录密度和转移速率。根据本发明的磁光介质包括具有多个在层压方向上延伸的柱的记录层，和放置在记录层下方并用作用于柱的核的复制层。
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公开(公告)号：CN1276595A
公开(公告)日：2000-12-13
申请号：CN00120099.2
申请日：2000-06-01
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 埃里克·爱德华·夫勒顿 , 戴维·汤姆斯·马古利斯 , 俄尼斯托·艾斯特班·马瑞呐罗 , 曼弗雷德·俄恩斯特·斯查波斯
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/746 , Y10S428/90 , Y10T428/24942 , Y10T428/265
摘要： 一种磁记录盘,其磁性记录层包括铁磁主层、和直接沉积在主层上的有效覆盖层厚度为1—40埃的铁磁覆盖层。用在覆盖层中的铁磁材料包含Co、Fe和/或Ni并且具有明显大于铁磁主层中的材料的磁矩。通过经桥接磁耦合晶粒,铁磁覆盖层提高了包含在主层内的超顺磁晶粒的热稳定性。媒体的热稳定性增加,允许使用更薄的铁磁主层,并且导致更低的剩磁—厚度积(Mrt)和更高的记录密度。
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公开(公告)号：CN106356081A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610554707.6
申请日：2016-07-14
申请人： HGST荷兰公司
CPC分类号： G11B5/84 , G11B5/70678 , G11B5/746 , G11B2005/0024 , G11B5/647 , G11B5/653 , G11B5/66
摘要： 本文公开的实施例总体上涉及一种用于MAMR的磁记录介质。所述磁盘装置可以包含基板和磁层，所述磁层包含钡基六角铁氧体。所述磁记录介质还可以可选地包含软底层、籽晶层，和/或上覆层。
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公开(公告)号：CN102693731B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210080584.9
申请日：2012-03-16
申请人： 精工电子有限公司
CPC分类号： G11B5/65 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11B2005/0021
摘要： 本发明提供能够有效地加热期望的磁性体而以高可靠性进行写入并能够确保记录时的其他磁性体的热稳定性而抑制记录消失或误记录等的磁记录介质。本发明的磁记录介质，在基板记录位区域(11)各自的内侧，设置有热传导率比记录层(4)更高的高热传导体(14)。另外，在记录层(4)，形成有将记录层(4)划分为多个记录位区域(11)的分割部(12)，在分割部(12)，填充有热传导率比记录层(4)更低的低热传导体(13)。(2)形成有记录层(4)，在构成记录层(4)的多个
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公开(公告)号：CN102804265B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201080031207.5
申请日：2010-05-28
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/314 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B20/10009 , G11B20/10222 , G11B2220/252
摘要： 一种磁设备包括读取传感器、写入器以及同步传感器。该磁设备被配置成向包括多个分离的磁比特的磁介质写入信息以及从该磁介质读取信息。写入器包括写入元件、磁耦合至写入元件的第一返回元件、以及磁耦合至写入元件的第二返回元件。写入元件位于第一和第二返回元件之间。同步传感器定位成在紧密间隔安排中毗邻写入器的写入元件，且被配置成根据所感测的磁比特生成信号。该信号被用于相对于所感测的磁比特定位写入元件。
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公开(公告)号：CN104424965A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410035861.3
申请日：2014-01-24
申请人： 株式会社东芝
摘要： 本发明的课题是得到一种图案尺寸精度良好的图案形成方法。作为解决手段，提供一种图案形成方法，其包括：在基板上形成被加工层的工序；向包含贵金属微粒子和第1溶剂的第1分散液，添加包含高分子材料和第2溶剂的第2分散液，制作分散有被高分子材料被覆了的微粒子的贵金属微粒子层涂布液的工序，所述高分子材料包含在末端具有贱金属的高分子链；使用贵金属微粒子层涂布液，在被加工层上使被高分子材料被覆了的贵金属微粒子排列的工序；和向被加工层转印被高分子材料被覆了的贵金属微粒子的凹凸图案的工序。
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公开(公告)号：CN101504837B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN200810186343.6
申请日：2008-12-08
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/596
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/5547 , G11B5/59611 , G11B5/746 , G11B2005/0005
摘要： 从位图案化磁性介质提取换能器位置信息包括设置具有带有多个离散且分开的记录位的至少一个数据阵列的磁性存储介质，以及设置换能器与数据阵列相毗邻。取决于多个记录位的读回信号是用换能器生成的。确定换能器位置信息还包括从读回信号生成至少第一位置信号和第二位置信号。
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公开(公告)号：CN101656080B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200910170413.3
申请日：2009-08-19
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11B20/10009 , G11B20/10222 , G11B20/1217 , G11B20/1879 , G11B2005/0005 , G11B2220/2516
摘要： 提供了用于对于磁存储介质及其对应的可写磁位或点校正磁存储设备的写同步的系统和方法。具体而言，这些系统和方法涉及使用时移原理来校准磁存储设备以校正读写器定时的缓慢漂移。可以理解，时移技术能够以各种方式应用。例如，介质上的非常点能够以时移方式定位。在另一示例中，可时移对点的写入。
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公开(公告)号：CN103065643A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210558490.8
申请日：2012-12-20
申请人： 华为技术有限公司
CPC分类号： G11B5/746
摘要： 本发明提供一种存储装置、存储系统以及数据存储方法。该装置存储数据，包括：存储介质，所述存储介质上按预设规律排列有多个原子单元组，每个原子单元组均由多个原子组成；所述原子单元组中原子的排列形状可改变，并具有第一排列形状和第二排列形状，其中，所述第一排列形状用于表示数据位1，所述第二排列形状用于表示数据位0。本发明实施例还提供一种数据存储方法，可对利用原子排列形状的操作来对数据进行存储。本发明实施例可基于原子排列形状来表示数据存储时的数据位，从而可实现原子级的数据存储，可有效提高单位存储介质的存储容量。
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