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公开(公告)号：CN101164130A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200580049468.9
申请日：2005-04-16
申请人： ABB技术股份公司
发明人： D·根奇
CPC分类号： B22F3/12 , B22F5/10 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , H01H1/0206 , H01H11/048 , Y10T29/49105 , Y10T29/53204 , B22F7/06 , B22F3/1007 , B22F2201/013 , B22F2201/20
摘要： 本发明涉及一种按权利要求1前序部分的用于真空开关箱的接触件的制造方法，所述的真空开关箱在低压、中压和高压开关技术中使用，其中接触件设有从接触中心区域延伸到边缘的槽；以及本发明涉及一种按权利要求14的前序部分的接触件本身。为了在用于制造在真空开关内的接触件的方法中以及在同类的接触中如下实现改进，使得制造方法本身简单得多并且接触件能很好地满足功能要求，按本发明建议，在粉末冶金过程中接近最终轮廓和最终尺寸地制造接触件，在该过程中所述槽已经一起制入到生压坯内，并且在随后的烧结中被固定。
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公开(公告)号：CN1612275A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410057837.6
申请日：2004-08-19
申请人： 日本AE帕瓦株式会社
IPC分类号： H01H33/664
CPC分类号： H01H11/048 , H01H1/0206 , H01H33/664
摘要： 本发明涉及一种烧结而成的电触点，包含作为主要组分的重量比为15至30％的铬和作为余量的铜，0.05至0.5％的碲，100至3000ppm的氧，7.5至900ppm的铝，以及15至750ppm的硅。
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公开(公告)号：CN1397970A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02119225.1
申请日：2002-03-20
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01H33/664
CPC分类号： H01H33/664 , H01H1/0206 , H01H11/048 , H01H33/6643
摘要： 电极1的电极本体1a具有孔隙率，使从电极本体1a的电接触面4a到规定深度范围的导电率大于电极本体1a断面的导电率或从背面4b到规定深度的导电率，可提高断路器的断路性能，同时防止电极本体1a的电接触面4a劣化。
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公开(公告)号：CN1040892C
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：CN95103240.2
申请日：1995-02-21
申请人： 东芝株式会社
CPC分类号： C22C1/0425 , B22F3/26 , H01H1/0206
摘要： 一种真空管用触点材料，它含有一种至少包括铜的导电组分，一种至少包括铬的耐电弧组分和至少一种选自钨、钼、钽和铌的辅助组分。该触点材料通过急冷凝固导电组分、耐电弧组分和辅助组分的复合体来制造。
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公开(公告)号：CN1194449A
公开(公告)日：1998-09-30
申请号：CN98105131.6
申请日：1998-03-24
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： H01H1/0206
摘要： 本发明系将Cu和Cr材料按所定比率混合,用悬浮熔化装置对该混合材料加热,直至其全部熔化,急冷生成的熔融金属,使Cr成细微状析出于Cu基体材料中。因是使Cr溶入Cu之后再急冷析出Cr,所以比起烧结法及熔液浸渗法来,其合金中的Cr分散粒子更加细微化,也不会因表面氧化膜而使Cu和Cr的熔合减弱及产生Cu的未溶渗部分。由此可以得到本发明的均匀的微细合金组织,同时,防止如空隙缺陷组织的产生。
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公开(公告)号：CN1166231A
公开(公告)日：1997-11-26
申请号：CN96191198.0
申请日：1996-10-02
申请人： ABB·专利有限公司
发明人： D·根斯彻
IPC分类号： H01H1/02
CPC分类号： H01H1/0206
摘要： 本发明提出一种制造接触件的方法，该接触件具有由良导电体材料(第一种材料)制的基体和由导电较差的耐电弧烧损材料(第二种材料)制的接触层，在此，接触层具有一种用基体材料浸渍的烧结结构。基体和烧结结构叠加放入一个盘状模具中，在其中加热到高于第一种材料的熔化温度，但还低于第二种材料的熔化温度，因而使第一种材料熔化并渗入烧结结构中。烧结结构可如下制造，即将粉末状的第二种材料撒在第一种材料上。首先在去气过程中，在低于第一种材料的熔化温度下进行烧结。也可以预先制成烧结结构，然后将该生坯放置在基体上。
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公开(公告)号：CN1024860C
公开(公告)日：1994-06-01
申请号：CN91104551.1
申请日：1991-06-07
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01H11/048 , H01H1/0206
摘要： 本发明涉及一种真空断路器的触头成形材料，其特征是：其中含有重量百分比20%-60%的Cr，占Cu和Bi总重量的0.05%-1.0%的Bi元素，其余部分实质上为Cu，并形成一个触头形状，然后将所加工的材料进行真空热处理，这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性，而且具有优良的耐压特性。本发明还涉及该材料的制造方法。
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公开(公告)号：CN1068597A
公开(公告)日：1993-02-03
申请号：CN92105508.0
申请日：1992-07-04
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： B22F1/0088 , C22C1/04 , H01H1/0206
摘要： 一种合金制备方法，合金含有铬组分和基本组分，基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序：将铬材料与碳材料一起进行热处理；再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合，然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法，合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。
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公开(公告)号：CN1018934B
公开(公告)日：1992-11-04
申请号：CN88107634
申请日：1988-11-01
申请人： 西门子公司
IPC分类号： C22B4/06
CPC分类号： C22C1/02 , H01H1/0206
摘要： 制造由铜、铬和至少一种易蒸发成分组成的熔化材料的方法以及用于该方法的自耗电极。采用电弧熔化方法制造以铜和铬为基础的熔化材料，该方法是将由预先确定自耗电极的总组分进行熔化的电极材料收集在水冷却结晶器中冷却而不产生铜和铬的大量离解。根据本发明特征，熔化含易蒸发成分材料所采用的这种自耗电极一部分是由含易蒸发组分的硬铜合金组成，合金中易蒸发组分的含量高于熔化材料总组分中的含量，熔化时易蒸发组分仍结合在熔化材料中。所用的自耗电极，特别是由铜和铬以及碲和/或锑作为易蒸发组分组成，其中至少一部分是作为金属互化物熔入铜中，铜碲合金或铜硒合金或铜锑合金作为实心部分置于电极结构中。
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公开(公告)号：CN1041975A
公开(公告)日：1990-05-09
申请号：CN88107634
申请日：1988-11-01
申请人： 西门子公司
IPC分类号： C22B4/00
CPC分类号： C22C1/02 , H01H1/0206
摘要： 制造由铜、铬和至少一种易蒸发成分组成的熔化材料的方法以及用于该方法的自耗电极。采用电弧熔化方法制造以铜和铬为基础的熔化材料，该方法是将由预先确定自耗电极的总组分进行熔化的电极材料收集在水冷却结晶器中冷却而不产生铜和铬的大量离解。根据本发明特征，熔化含易蒸发成分材料所采用的这种自耗电极一部分是由含易蒸发组分的硬铜合金组成，合金中易蒸发组分的含量高于熔化材料总组分中的含量，熔化时易蒸发组分仍结合在熔化材料中。所用的自耗电极，特别是由铜和铬以及碲和/或锑作为易蒸发组分组成，其中至少一部分作为金属互化物熔入铜中，铜碲合金或铜硒合金或铜锑合金作为实心部分置于电极结构中。
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