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公开(公告)号：CN101591808A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910099991.2
申请日：2009-06-24
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种掺锗的定向凝固铸造单晶硅，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓或磷，还含有浓度为1×1018～5×1020/cm3的锗。本发明还公开了其制备方法，包括：将多晶硅、锗和电活性掺杂剂置于平铺在坩锅底部的无位错的单晶硅块上，通过热场调节，使多晶硅、锗和掺杂剂完全融化，无位错的单晶硅块部分融化，再通过热交换进行定向凝固，将未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶，诱导从下至上生长掺锗铸造单晶硅。产物机械强度高、少子寿命高，可用于高效率的薄片太阳能电池的制备，生产成本大大降低。
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公开(公告)号：CN101418469A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810171951.X
申请日：2008-10-24
申请人： 丰田合成株式会社
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , Y10T29/41 , Y10T117/10
摘要： 本发明提供一种III族氮化物半导体制造系统，其中转轴转动不被中断。该III族氮化物半导体制造系统包括具有开口的反应容器；置于反应容器内部并容纳有包括至少III族金属和碱金属的熔体的坩埚；支撑坩埚并具有通过所述开口从反应容器内部延伸至反应容器外部的转轴的保持单元；覆盖转轴位于反应容器外部的部分并在所述开口处连接至反应容器的转轴盖；位于反应容器外部并调节转轴的转动驱动单元；连接至转轴盖并将包括至少氮的气体供给至转轴和转轴盖之间的间隙中的供给管，其中所述气体和所述熔体反应以生长III族氮化物半导体晶体。
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公开(公告)号：CN115198368B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210829110.3
申请日：2022-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 邹学锋 , 王维 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永
摘要： 一种半导体化合物注入合成方法，涉及半导体材料的合成，基于合成系统完成，所述合成系统采用开放式气源装置，所述方法包括：放置材料、下探开放式气源装置、融化金属材料、气化气源材料完成合成。有益效果：本发明的合成方法，开放式气源装置挡板下面部分为反应腔，合成时，气源材料与熔体接触面积至少为传统双管接触面积的22倍。本发明在反应腔内，没有覆盖剂的隔离，两种反应元素始终在液面接触。在具体实施案例中，使用本发明方法合成磷化铟材料，相比传统双管注入法合成，本方法效率提高了12倍。
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公开(公告)号：CN115198347B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210829211.0
申请日：2022-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
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公开(公告)号：CN117737826A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410173182.6
申请日：2024-02-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种水平定向结晶法生长晶体的温场结构及熔区控制方法，温场结构包括炉体，在炉体内设有坩埚和加热器，加热器用于对坩埚中的原料加热以使加热器区域的原料熔化形成熔区；所述加热器为独立控制的两套，两套加热器按晶体生长方向前后并排设置，其中前加热器用于控制熔区前端的固液界面，后加热器用于控制熔区后端的固液界面。本发明通过两加热器功率的升降来调节各自对应的固液界面的位置，能够同时兼顾熔区前后固液界面，从而达到熔区长度的控制，更好地控制晶体生长过程和掺杂浓度在熔体中的分布，提高晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN116145254A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310124984.3
申请日：2023-02-16
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种稀土离子掺杂的无序高熵氟化物超快激光晶体及其制备方法与应用，无序高熵激光晶体以Pr:CaSrBaF6、Pr:M1M2CaSrBaF12为代表，其中镨(Pr)离子的掺杂范围为0.003‑0.05(M1、M2为Y,La,Lu,Gd,Sc等三价不发光离子中的一种)。掺杂的稀土发光离子不仅限于Pr离子，还可包括其他发光离子如Yb,Nd,Er,Ho,Tm,Dy,Tb等。以Pr:CaSrBaF6、Pr:M1M2CaSrBaF12晶体为代表，与其他氟化物相比，具有更加无序分布的局域结构，能够实现3H6和3F2、3F3和3F4相近下能级合并和交叠，达到荧光谱线的重迭、非均匀加宽的效果。与现有技术相比，本发明的晶体材料能实现镨离子掺杂激光晶体的可见波段的超宽带发射，解决目前镨离子掺杂激光晶体荧光带窄的难题，加快可见波段全固态飞秒超快激光的研发及在生物医疗、光通信方面的应用。
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公开(公告)号：CN115198370B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210829230.3
申请日：2022-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法，涉及半导体材料的制备。装置包括炉体、坩埚、离心电机、注入系统，方法的关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置；合成完毕后，控制垂直温度梯度，完成单晶生长。在离心力的作用下，密度较重的铟原子会向坩埚边缘方向运动，而密度较轻的磷原子会向坩埚中心运动，合成速率较快，加速整体合成过程，同时减少熔体污染。
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公开(公告)号：CN114232069A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210173689.2
申请日：2022-02-25
申请人： 北京通美晶体技术股份有限公司
摘要： 本申请涉及GaAs单晶硅技术领域，具体公开了一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅及其制备方法。一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅的制备方法，包括如下步骤：S1：采用水平定向凝固法合成GaAs多晶；S2：将坩埚、石英安瓿清洗干净备用；S3：将GaAs籽晶固定在坩埚籽晶槽内，取GaAs多晶和掺杂剂加入坩埚内，掺杂剂为Zn、Cd、Be、Mg中的至少一种；S4：在坩埚内加入适量B2O3封闭，将坩埚放入石英安瓿内，检验真空度合格后将封闭好的石英安瓿放入生长炉内；S5：采用VGF法生长工艺生长完毕后慢速冷却即得。本申请的Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅具有优良的电学性能。
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公开(公告)号：CN111041550B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201911405446.1
申请日：2019-12-31
申请人： 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
摘要： 本发明公开一种基于VFG法的气相掺杂的晶体生长方法；涉及晶体制备技术领域。包括以下步骤：S1、将晶体生长用多晶、籽晶、红磷放入坩埚；S2、将所述坩埚放置于石英管内；其特征在于，步骤S2之后还包括，S3、将连接有掺杂剂的石英封帽盖在所述石英管上，并使得所述掺杂剂位于所述石英管内，且所述掺杂剂与多晶、籽晶以及红磷不接触；之后将石英封帽与石英管密封。通过对VGF法晶体生长用的石英封帽、升温工艺的改进，让掺杂剂与晶体生长的其他原材料分离开来，掺杂剂Fe元素通过气相扩散进行进入熔体，实现掺杂浓度均匀，提高了晶体电阻率均匀性及成晶率；同时也能够降低掺杂剂Fe的掺杂量，节省了成本。
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公开(公告)号：CN108588833B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201810001477.X
申请日：2018-01-02
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明提供一种化合物氟硼酸钙和氟硼酸钙非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为CaB5O7F3，分子量为263.13，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为CaB5O7F3，分子量为263.13，属于正交晶系，空间群为Cmc21，晶胞参数为a=9.926(10)Å，b=8.400(8)Å，c=7.966(8)Å，α=β=γ=90°，单胞体积为664.2(11)Å3，晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)的2倍，紫外吸收边短于190nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为紫外、深紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
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