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公开(公告)号:CN110315241A
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201910202035.6
申请日:2019-03-18
Applicant: 株式会社田村制作所
IPC: B23K35/362 , B23K35/36
Abstract: 本发明的分配涂布用焊料组合物含有焊剂组合物和(G)焊料粉末,所述焊剂组合物含有(A)松香类树脂、(B)活化剂、(C)溶剂、(D)触变剂及(E)咪唑化合物,利用E型粘度计测定的该焊料组合物在25℃下的粘度为50Pa·s以上且120Pa·s以下。
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公开(公告)号:CN110297396A
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201910223145.0
申请日:2019-03-22
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor: 冈本吉生
Abstract: 本发明的目的是提供一种喷墨用固化性树脂组合物,该组合物不会损害作为喷墨用固化性树脂组合物的涂布性,并且防止铜箔等导体的氧化,能够得到耐化学性、耐热性、涂膜硬度优异的固化物。所述喷墨用固化性树脂组合物包含(A)重均分子量为500以上的(甲基)丙烯酸酯化合物、(B)重均分子量小于500的(甲基)丙烯酸酯化合物、(C)光聚合引发剂和(D)具有伯氨基和亚氨基的化合物,上述固化性树脂组合物在25℃时的粘度为200mPa·s以下。
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公开(公告)号:CN110275396A
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201910196287.2
申请日:2019-03-15
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明的目的是提供一种固化涂膜的形成方法,该方法即使在基板设置有通孔,也能够防止感光性树脂组合物经由通孔向基板背侧的泄漏,并且能够使涂膜的厚度均匀化。该固化涂膜的形成方法具有:采用喷墨法将25℃时的粘度为150~1500mPa·s的第一感光性树脂组合物至少涂布于基板的通孔部,从而在所述通孔中形成填充物的工序;在所述基板的第一主表面上和所述填充物的所述第一主表面侧的表面上涂布第二感光性树脂组合物,从而形成涂膜的工序;对所述涂膜进行固化处理而形成固化涂膜的工序,在涂布所述第一感光性树脂组合物的工序中,使所述基板的与所述第一主表面相反一侧的面即第二主表面中至少所述通孔的周缘部成为非接触状态。
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公开(公告)号:CN110090514A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201910083054.1
申请日:2019-01-28
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供气体净化装置、气体净化方法以及输送加热装置。使从混合有通过加热而气化后的物质的气体中减少物质的装置小型化。气体净化装置包括:压缩部,其将由大气或非活性气体与通过加热而气化后的物质混合而成的气体压缩;以及膨胀部,其使利用压缩部压缩后的气体膨胀,从而使所述物质液化,以形成为获得减少了物质的气体。
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公开(公告)号:CN103676475B
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201310347169.X
申请日:2013-08-09
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供一种黑色固化性树脂组合物,其能够得到柔性优异、对紫外线区域波长的光的透射率高的黑色固化物。所述黑色固化性树脂组合物含有(A)含有羧基的感光性树脂、(B)光聚合引发剂、(C)稀释剂、(D)环氧化合物、(E)聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、(F)苝系黑色着色剂。
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公开(公告)号:CN109655651A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201810879503.9
申请日:2018-08-03
Applicant: 株式会社田村制作所
CPC classification number: G01R15/207 , G01R1/18 , G01R15/185 , G01R15/186 , G01R15/202 , G01R19/0092 , G01R33/04 , G01R19/00
Abstract: 本发明涉及一种电流检测器。提供提高相对于外部磁场的抗性的技术。电流传感器(10)具备:磁路,其形成于供被检测电流导通的初级导体(60)的周围;探测线圈单元(50),其具有配置在磁路上的探测线圈;次级线圈(30a、40a),其使磁路产生与因被检测电流的导通而产生的磁场为反方向的磁场;检测电路,其安装于探测线圈单元(50);磁性体芯部件(20、21),其构成磁路;夹具(70),其使磁性体芯部件(20、21)彼此相互压接。
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公开(公告)号:CN105229208B
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:CN201480026184.7
申请日:2014-05-02
Abstract: 在一实施方式中,提供一种β‑Ga2O3系单晶(25)的培育方法,包含:使平板状的晶种(20)接触Ga2O3系熔融液(12)的工序;以及提拉晶种(20),以不继承附着于晶种(20)的主面的Ga2O3系熔融液(12)的蒸发物(23)的晶体信息的方式使具有与(100)面相交的主面(26a)的平板状的β‑Ga2O3系单晶(25)生长的工序,在使β‑Ga2O3系单晶(25)生长时,仅在厚度方向(t)进行β‑Ga2O3系单晶(25)的扩肩。
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公开(公告)号:CN109056053A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201810990934.2
申请日:2014-02-26
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor: 佐佐木公平
Abstract: 提供一种Ga2O3系单晶基板,该Ga2O3系单晶基板包括既抑制晶体质量的下降又具有高电阻之Ga2O3系单晶。根据本发明的一个实施方式,上述Ga2O3系单晶基板包括:含有Si和上述Si以外的元素的且不到0.001质量%的杂质;99.999质量%以上的Ga2O3系单晶;以及未包含在以上组分比中的、由规定量的Fe所构成的杂质,上述Fe的浓度比上述Si的浓度高,上述Fe的浓度为5×1017cm‑3~1.5×1019cm‑3。
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公开(公告)号:CN105189836B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201480025539.0
申请日:2014-05-02
Abstract: 在一实施方式中提供β‑Ga2O3系单晶的培养方法,其使用了EFG法,并且包括:使坩埚(13)内的Ga2O3系熔体(12)通过模具(14)的狭缝(14a)上升到模具(14)的开口部(14b)为止,在晶种(20)的水平方向的位置从模具(14)的宽度方向(W)的中心向宽度方向(W)偏移的状态下,使晶种(20)与位于模具(14)的开口部(14b)的Ga2O3系熔体(12)接触;以及提拉与Ga2O3系熔体(12)接触了的晶种(20),使β‑Ga2O3系单晶(25)生长。
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