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公开(公告)号：CN118413604A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410120453.1
申请日：2024-01-29
摘要： 提供一种片材搬运引导件，能够在确保片材的搬运面的平坦性的同时，相对于周围温度的变化抑制片材的搬运面发生形变或透明构件产生裂纹。片材搬运引导件(10)是设置到搬运片材(5)的搬运路(10c)的搬运面(10a)的片材搬运引导件，具备：透明构件(11)，其具有光透射性，形成为表面(111)与搬运面齐平；以及引导构件(12)，其具有收纳透明构件的收纳部，形成为收纳部的周围的表面(121)与搬运面齐平，透明构件具有将透明构件粘接到引导构件的收纳部的内壁(122)的粘接区域(115a)、以及比粘接区域靠搬运路的宽度方向的外侧设置并对产生于透明构件的应力进行释放的应力释放区域(115b)。
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公开(公告)号：CN105229208B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201480026184.7
申请日：2014-05-02
摘要： 在一实施方式中，提供一种β‑Ga2O3系单晶(25)的培育方法，包含：使平板状的晶种(20)接触Ga2O3系熔融液(12)的工序；以及提拉晶种(20)，以不继承附着于晶种(20)的主面的Ga2O3系熔融液(12)的蒸发物(23)的晶体信息的方式使具有与(100)面相交的主面(26a)的平板状的β‑Ga2O3系单晶(25)生长的工序，在使β‑Ga2O3系单晶(25)生长时，仅在厚度方向(t)进行β‑Ga2O3系单晶(25)的扩肩。
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公开(公告)号：CN105189836B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201480025539.0
申请日：2014-05-02
摘要： 在一实施方式中提供β‑Ga2O3系单晶的培养方法，其使用了EFG法，并且包括：使坩埚(13)内的Ga2O3系熔体(12)通过模具(14)的狭缝(14a)上升到模具(14)的开口部(14b)为止，在晶种(20)的水平方向的位置从模具(14)的宽度方向(W)的中心向宽度方向(W)偏移的状态下，使晶种(20)与位于模具(14)的开口部(14b)的Ga2O3系熔体(12)接触；以及提拉与Ga2O3系熔体(12)接触了的晶种(20)，使β‑Ga2O3系单晶(25)生长。
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公开(公告)号：CN108475897A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076965.6
申请日：2016-12-27
IPC分类号： H01S5/02 , C09K11/80 , C30B29/28 , F21S2/00 , F21S41/176 , F21V8/00 , G02B6/42 , G02B5/20 , F21W102/00 , F21Y115/30
摘要： 提供一种通过激光二极管与荧光体的组合发出白色光的高亮度的发光装置。提供发光装置(1)，具有：激光二极管，其包含在激光发光装置(10)中，发出蓝色光；以及波长变换部(11)，其将激光二极管发出的光的一部分吸收并对波长进行变换，波长变换部(11)包含YAG系的单晶荧光体，从激光二极管发出并照射到波长变换部(11)的光的辐射照度为80W/mm2以上。
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公开(公告)号：CN105102694A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480020148.X
申请日：2014-03-31
摘要： 提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法，其能够使晶体结构的偏差较小的高质量的β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长。在一实施方式中，提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法，其包括：使用晶种，使添加有Sn的平板状β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长的步骤。
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公开(公告)号：CN104364883A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380028938.8
申请日：2013-05-27
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/16 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要： 本发明提供具有Ga2O3基板和Ga2O3基板上的晶体品质高的氮化物半导体层的半导体层叠结构体及包括该半导体层叠结构体的半导体元件。在一个实施方式中，提供半导体层叠结构体(1)，其具有：β-Ga2O3基板(2)，其包含将从(-201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面(2a)的β-Ga2O3晶体；以及氮化物半导体层(4)，其包含在β-Ga2O3基板(2)的主面(2a)上通过晶体外延生长而形成的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。
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公开(公告)号：CN103917700A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280050469.5
申请日：2012-10-12
摘要： 本发明提供在还原气氛、惰性气氛中的施主浓度变化得到抑制的β－Ga2O3系基板的制造方法，以及能在还原气氛、惰性气氛下使品质偏差小的高品质结晶膜外延生长的结晶层叠结构体的制造方法。本发明提供的β－Ga2O3系基板的制造方法包括从含有IV族元素的β－Ga2O3系结晶中切出β－Ga2O3系基板的工序，其中，在包含还原气氛和惰性气氛中的至少一方的气氛下对切出上述β－Ga2O3系基板之前的β－Ga2O3系结晶或切出的上述β－Ga2O3系基板实施退火处理。
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公开(公告)号：CN103518008A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280017340.4
申请日：2012-04-03
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/267 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L29/2003 , H01L29/66212 , H01L29/66318 , H01L29/66462 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 本发明提供厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及具有该半导体层叠体的半导体元件。提供具有Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的AlGaInN缓冲层3、AlGaInN缓冲层3上的含Si的氮化物半导体层4、形成在氮化物半导体层4内的AlGaInN缓冲层3侧的部分区域上的Si浓度在5×1018/cm3以上的Si高浓度区域4a的半导体层叠体1。
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公开(公告)号：CN102418865A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110382002.8
申请日：2007-05-02
申请人： 株式会社光波
IPC分类号： F21S2/00 , F21V7/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H01L33/58 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , G02B19/0071 , G02F1/133603 , G02F2001/133612 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种具有通用性，能够简化安装作业、降低制造成本，并且可充分抑制发光不均和色不均的发生的光源模块、面发光组件以及面发光装置。光源模块具有光方向转换用光学元件(29)、和LED(28)，该光方向转换用光学元件(29)具有：具有入射光的光入射面(29A)的凹部(290)、反射从光入射面(29A)入射的光的光反射面(29B)、和把在光反射面(29B)反射的光向侧方射出的光射出面(29C)，该LED(28)被留有空隙地配置在光方向转换用光学元件(29)的凹部(290)中，向光入射面(29A)入射光。
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