-
公开(公告)号：CN106356336A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201611053486.0
申请日：2016-11-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/823481 , H01L21/265
摘要： 本发明提供了一种闪存的制作方法，所述快闪存储器利用倾斜角度重掺杂离子注入在隔离结构的顶部和侧壁形成较为均匀的离子损伤，在后续清洗步骤中浅沟槽隔离结构的顶部和侧壁具有均匀的刻蚀速率，解决了浅沟槽隔离结构的顶部的尖角缺陷问题。
-
公开(公告)号：CN106024822A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610585056.7
申请日：2016-07-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种具有双外延层结构的CMOS图像传感器及其制造方法。本发明的具有双外延层结构的CMOS图像传感器包括：依次层叠的P型重掺杂的衬底、第一层P型轻掺杂外延层和第二层P型轻掺杂外延层；其中，第一层P型轻掺杂外延层中形成有下部N阱和下部P阱，第二层P型轻掺杂外延层中形成有上部N阱和上部P阱；其中下部N阱和上部N阱位置对应并且邻接，下部P阱和上部P阱位置对应并且邻接。
-
公开(公告)号：CN102709330B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210158901.4
申请日：2012-05-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 田志
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
摘要： 本发明提供一种具有低操作电压的BE-SONOS结构器件，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层（31）、渐变氮化硅层（32）、氮氧化硅层（33）、氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅（36），所述氧化硅层与硅衬底相接触。
-
公开(公告)号：CN102938405B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210432508.X
申请日：2012-11-02
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/792 , G11C16/0466 , H01L21/28282
摘要： 本发明提供的一种B4-flash器件及其制作方法，包括在衬底和依次在衬底上形成的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层包括沿沟道方向依次分布的第一段、第二段和第三段，所述第一段、第二段和第三段的厚度比为1.5~2.5:0.8~1.2:1.5~2.5。本发明的实施例通过非均匀的氧化硅结构，来缓解氧化硅的退化，和电子局域注入编译和空穴均匀注入擦除的影响，使器件的可靠性增加。
-
公开(公告)号：CN105321974A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510621207.5
申请日：2015-09-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种通过F离子注入降低CMOS图像传感器暗电流的方法，针对CMOS图像传感器暗电流较高的问题，通过离子注入工艺向Si和SiO2界面处的表面P+型隔离区中注入一定量的F离子，利用F离子较小、在Si和SiO2中主要以填隙式杂质的形式存在，且具有较高的扩散系数的特点，经过高温退火热处理，使F离子扩散进入Si和SiO2界面，与界面处的悬挂键结合，即可抑制表面悬挂键引起的表面态，减少表面态密度，从而降低CMOS图像传感器的暗电流。
-
公开(公告)号：CN103346161A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310253171.0
申请日：2013-06-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及CMOS图像传感器领域，具体涉及一种改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，通过两次或两次以上的离子注入工艺，在结合扩散区内形成两个掺杂浓度不同的离子注入区，且上方的离子注入区的离子掺杂浓度大于下层离子注入区的离子掺杂浓度，进而在结合扩散区形成从上层指向下层的电场，使得光电二极管中的光电子更快通过结合扩散区进入浮动扩散点，进而提高图像成像质量。
-
公开(公告)号：CN103227183A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310120010.4
申请日：2013-04-08
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14609
摘要： 本发明一般涉及CMOS图像传感器领域，尤其涉及一种抑制背照式CMOS图像传感器电学互扰的方法，本发明通过在CMOS图像传感器在背面减薄后对像素单元背面不同区域的注入两层离子注入层，同时控制两层离子注入层自上而下的离子浓度递减，在外延层内形成一个从上指向下的电场，该电场可以吸收由于入射光抵达感光二极管的空间电荷区以外的衬底区域，减少电子在衬底中不同像素间的扩散，从而减少这些扩散电子引起的像素之间的电学互扰，提高了生产工工艺，提高了CMOS图像传感器的图像质量。
-
公开(公告)号：CN102683398A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210170390.8
申请日：2012-05-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 田志
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/792 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/792 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/518
摘要： 本发明提供了SONOS栅极结构及其制备方法、以及半导体器件。根据本发明的SONOS栅极结构包括：布置在衬底上的第一隧穿氧化层、布置在所述第一隧穿氧化层上的电荷存储氮化硅层、布置在所述电荷存储氮化硅层上的第二氧化硅层、布置在所述第二氧化硅层上的Si/N含量渐变的渐变薄氮化硅层、布置在所述渐变薄氮化硅层上的第三氧化硅层、以及布置在所述第三氧化硅层上的多晶硅控制栅层。渐变薄氮化硅层TN中氮化硅的Si/N比例是逐渐增加的，其中越靠近第二氧化硅层，氮化硅的氮含量越高，并且越靠近第三氧化硅层，氮化硅的硅含量越高。
-
公开(公告)号：CN112331686B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202011353401.7
申请日：2020-11-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器的像素结构及像素结构的形成方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的CMOS图像传感器像素结构的形成方法中，通过将存储单元中的靠近图像传感器像素结构浮动扩散点一侧的部分栅极层进行减薄处理，从而在存储单元中形成的栅极堆叠结构中包含的栅极层的厚度在沿着从光电二极管至所述浮动扩散点的方向上呈阶梯状变薄，进而降低了浮动扩散点与每个存储单元中的栅极层之间的寄生电容，以及与浮动扩散点相连接的导电插塞与每个存储单元中的栅极层之间的寄生电容，进而减小了浮动扩散点出的总电容，并最终提高了存储单元的动态范围。
-
公开(公告)号：CN117998852A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211331533.9
申请日：2022-10-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种超级闪存的单元结构包括：字线栅、浮栅、控制栅和擦除栅。浮栅包括位于控制栅侧面的第一TiN层和形成于第一TiN层顶部的第二多晶硅层。第一TiN层的底部表面和半导体衬底之间间隔有第一栅介质层。第一TiN层的顶部表面高于控制栅的顶部表面，第一TiN层的第二侧面和控制栅的侧面之间间隔有第一栅间介质层。第二多晶硅层和第一TiN层电接触。擦除栅位于第二多晶硅层顶部且擦除栅和浮栅之间间隔有第二栅间介质层。第二多晶硅层的顶角比第一TiN层的顶角尖，擦除时，第二多晶硅层的顶角产生尖端放电并从而降低擦除电压。本发明还提供一种超级闪存的制造方法。本发明能在擦除时保证具有TiN的浮栅实现良好的尖端放电，从而能改善器件的擦除性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
176 条记录 (耗时 0.035 秒)
