公开(公告)号：CN104928621B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201510250442.6

申请日：2015-05-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 马利飞 ,  梁逸南

IPC分类号： C23C14/04

CPC分类号： C23C14/042 ,  C23C14/24 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开了一种制作掩膜板时使用的张网装置及张网方法，涉及显示技术领域，解决了现有技术通过张网装置制作出的掩膜板蒸镀时，有机材料蒸镀到待蒸镀基板上所形成图案的位置准确性相对较低的问题。所述张网装置包括：张网机台和设置在所述张网机台上的夹具，还包括：位于所述张网机台上方的磁板，且所述磁板对待制作掩膜板中的网板产生的竖直向上的吸附力与蒸镀时真空蒸镀室内的磁场系统对掩膜板中的网板产生的竖直向上的吸附力相等。本发明用于掩膜板制作过程中。

公开(公告)号：CN104253159B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410409198.9

申请日：2014-08-19

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 龙春平 ,  梁逸南

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L2227/323

摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极、有源层和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述有源层的上方，所述栅极、所述源极和所述漏极同层设置于所述栅极绝缘层的上方，所述有源层与所述源极通过第一连接电极连接，所述有源层与所述漏极通过第二连接电极连接。该薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的阵列基板均为采用两次构图工艺即可形成，大大缩短了工艺时间，提高了工艺良率，降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN102709184B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201110124783.0

申请日：2011-05-13

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘政 ,  龙春平 ,  姜春生 ,  成军 ,  石磊 ,  王东方 ,  梁逸南

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L27/1277

摘要： 本发明提供一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，方法包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在源区和漏区上沉积诱导金属；对沉积有诱导金属的有源层进行热处理，使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；在源区和漏区掺入用于收集诱导金属的第一杂质和用于形成PMOS或NMOS第二杂质；对掺杂后的有源层进行热处理，以激活第二杂质，并使得第一杂质对沟通区的残留诱导金属进行吸收。

公开(公告)号：CN104928621A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510250442.6

申请日：2015-05-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 马利飞 ,  梁逸南

IPC分类号： C23C14/04

CPC分类号： C23C14/042 ,  C23C14/24 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开了一种制作掩膜板时使用的张网装置及张网方法，涉及显示技术领域，解决了现有技术通过张网装置制作出的掩膜板蒸镀时，有机材料蒸镀到待蒸镀基板上所形成图案的位置准确性相对较低的问题。所述张网装置包括：张网机台和设置在所述张网机台上的夹具，还包括：位于所述张网机台上方的磁板，且所述磁板对待制作掩膜板中的网板产生的竖直向上的吸附力与蒸镀时真空蒸镀室内的磁场系统对掩膜板中的网板产生的竖直向上的吸附力相等。本发明用于掩膜板制作过程中。

公开(公告)号：CN104862647A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510242834.8

申请日：2015-05-13

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 马利飞 ,  梁逸南 ,  皇甫鲁江

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L27/32

CPC分类号： C23C14/042 ,  B23K26/38 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/18 ,  B23K2103/04 ,  B23K2103/05 ,  C23C14/24 ,  G02F1/00 ,  H01L51/0011

摘要： 本发明公开了一种掩膜板及其制备方法、显示面板、显示装置，本发明通过对掩膜板进行改进，具体地，对掩膜板的每个开口的至少部分侧切面与蒸镀时靠近基板一侧的表面的交界处设置有缺口，该缺口使用化学刻蚀或者激光切割方法实现，该缺口能够使得蒸镀时开口靠近基板一侧的面积大于开口远离基板一侧的面积，从而，增大了基板上蒸镀的膜层边缘区域的面积，提升了边缘区域的平坦化程度，避免了后续形成的金属膜层由于台阶过高而发生断裂的可能，提高了产品的良率。

公开(公告)号：CN102651457B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201110109542.9

申请日：2011-04-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王玉林 ,  张磊 ,  朱儒晖 ,  陈珉 ,  洪瑞 ,  马占洁 ,  梁逸南

IPC分类号： H01L51/56

摘要： 本发明公开了一种基板的固定装置，涉及电子元器件中有机电致发光技术领域，包括基板和定位板；所述基板表面设有对位标记，所述定位板上设有凹槽，所述基板位于定位板的凹槽内；所述定位板上设有工艺对位图标；所述对位标记与用于形成所述工艺对位标记的掩膜表面上的对位图标相对应。本发明还提供了一种与上述装置对应的方法。本发明解决了前段工艺设备基板尺寸与后段工艺设备基板尺寸不一致引起的错位问题。

公开(公告)号：CN104701459A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510144814.7

申请日：2015-03-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 毕文涛 ,  李娜 ,  梁逸南

IPC分类号： H01L51/50

CPC分类号： H01L51/5008 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5278 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5346

摘要： 本发明公开了一种有机发光二极管器件及显示面板、显示装置，主要内容包括：通过对现有的串联式顶发射OLED器件进行改进，利用同质结结构以及对串联在一起的顶发射OLED器件的功能层进行的改进，使得所述功能层包括：靠近阳极一侧依次设置的空穴注入层、空穴传输层、空穴侧发光层，靠近阴极一侧依次设置的电子注入层、电子传输层、电子侧发光层，以及位于所述空穴侧发光层和所述电子侧发光层之间的至少一组电荷产生层a和电荷产生层b。从串联式顶发射OLED器件的第一个发光单元到第N个发光单元，均采用同质结结构，减少了有机材料的使用种类，消减器件中载流子的注入势垒，提高了载流子的注入和器件的效率，降低了器件的驱动电压。

公开(公告)号：CN102751200B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210226591.5

申请日：2012-06-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 梁逸南

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：在基板上依次形成缓冲层和有源层，通过构图工艺形成有源区；依次形成栅绝缘层和栅极层，形成栅电极；形成Ni沉积窗口；形成介质层，形成与Ni沉积窗口一一对应的源漏接触孔；形成源漏金属层，形成源漏电极，所述源漏电极通过源漏接触孔和Ni沉积窗口与有源区相连接。利用本发明所述的方法制造薄膜晶体管，仅采用5次光刻过程，简化了工艺流程，降低生产成本，提高了良率。采用金属侧向诱导技术来实现多晶硅的晶化过程，利用多晶硅作为栅电极和有源层，能够降低阈值电压，减小泄漏电流，简化工艺流程，提高器件性能。

公开(公告)号：CN104681594A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510105698.8

申请日：2015-03-11

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 皇甫鲁江 ,  金晓丹 ,  梁逸南

IPC分类号： H01L27/32

CPC分类号： H01L27/3218 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3216 ,  H01L27/326

摘要： 本发明公开了一种像素排列结构和显示装置。该像素排列结构包括第一子像素与围绕所述第一子像素设置的第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素中的部分子像素与所述第三子像素中的部分子像素组成一个虚拟菱形；所述第一子像素的中心与虚拟菱形的中心重合；所述第二子像素的中心与虚拟菱形的第一顶点重合；所述第三子像素的中心与虚拟菱形的第二顶点重合。与现有技术相比，本发明实现高分辨率显示时所需的子像素的数量较少，从而减少了子像素的数量。

公开(公告)号：CN102708788B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110376530.2

申请日：2011-11-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 梁逸南 ,  龙春平 ,  马占洁

IPC分类号： G09G3/32

摘要： 本发明提供一种像素电路，涉及显示器件技术领域，为解决现有技术中像素电路难以实现高质量的显示的技术问题而发明。所述像素电路包括：驱动单元、开关单元、储能单元以及有机发光二极管(OLED)；所述驱动单元的第一输入端连接电源电压(VDD)，所述驱动单元的第二输入端与所述开关单元的输出端连接，所述驱动单元的输出端连接所述OLED的第一端；所述驱动单元由多晶硅晶体管组成；所述开关单元的第一输入端输入行扫描信号(SCAN)，所述开关单元的第二输入端输入数据电压(Vdata)；所述开关单元由非晶硅晶体管组成；储能单元的两端与驱动单元连接，用于存储电压；OLED的第二端接地。本发明能提高像素电路的显示质量。