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公开(公告)号：CN112531073B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202011033951.0
申请日：2020-09-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/11
Abstract: 一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体技术领域，制备方法包括：在SOI衬底上制备SOI基Si/SiGe HPT外延材料，制备光子晶体结构，刻蚀形成基区、集电区台面，外延钝化层，刻蚀电极接触孔，制作金属电极。相比传统Si/SiGe HPT具有以下优点：利用光子晶体的点缺陷和线缺陷特性将入射光困在器件内提高器件对光的吸收率，同时采用光从侧面入射的方式相比于垂直入射方式可以保证吸收层厚度不变的情况下增加器件对光的吸收长度，同样也提高了器件对光的吸收率。
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公开(公告)号：CN112448267B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202011329497.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明实施例提供一种出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该阵列包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的电阻大于第二垂直腔面发射激光器单元的电阻；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，小于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，在垂直腔面发射激光器单元高度集成、不增大阵列的面积和不改变台面排布设计的基础上，能有效改善阵列的结温分布不均，并且能提高出光功率的均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112583356A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011198939.5
申请日：2020-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/02
Abstract: 一种能对性能进行多种重构的高频压控有源电感，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，第一反馈单元(5)，第二反馈单元(6)，第一偏置单元(7)。第一跨导单元(1)、第二跨导单元(2)和第一反馈单元(5)构成第一回路，第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)和第二反馈单元(6)构成第二回路。协同调节第一回路和第二回路的不同电压调制端，可实现在高频下大电感值、高Q值以及Q值相对于电感值可大范围独立调节；可对电感值进行大范围调谐且同时能保持Q值有较大值；可在不同频率下，同时保持Q峰值和电感值基本不变以及工作频带相对于电感值峰值可大范围独立调节的综合性能。
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公开(公告)号：CN112531073A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011033951.0
申请日：2020-09-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/11
Abstract: 一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体技术领域，制备方法包括：在SOI衬底上制备SOI基Si/SiGe HPT外延材料，制备光子晶体结构，刻蚀形成基区、集电区台面，外延钝化层，刻蚀电极接触孔，制作金属电极。相比传统Si/SiGe HPT具有以下优点：利用光子晶体的点缺陷和线缺陷特性将入射光困在器件内提高器件对光的吸收率，同时采用光从侧面入射的方式相比于垂直入射方式可以保证吸收层厚度不变的情况下增加器件对光的吸收长度，同样也提高了器件对光的吸收率。
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公开(公告)号：CN112420857A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011120433.2
申请日：2020-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/11
Abstract: 光子晶体SiGe/Si光敏晶体管探测器属于半导体光电子领域，是更高效的红外波段探测器。该光子晶体SiGe/Si光敏晶体管探测器包括Si衬底、在Si衬底上依次制备出的SiO2 BOX层、Si亚集电区、Si集电区、SiGe基区、多晶硅发射区及光子晶体结构。光窗口设计在发射区台面且光从顶端垂直多晶硅发射区上表面入射，Si集电区、SiGe基区、多晶硅发射区为吸收层，光子晶体结构制作在吸收层中。通过调整光子晶体中空气孔的直径、深度、排布周期和排布形式，使其产生的光子带隙位于红外波段，在红外波段产生准陷光效应，将入射光限制在空气孔中，并且向空气孔周围泄露，使SiGe/Si光敏晶体管的吸收层从垂直方向的吸收层转化为水平方向的长吸收路径，从而提高SiGe/Si光敏晶体管的在红外波段的光吸收效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111988016A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010695354.8
申请日：2020-07-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/36
Abstract: 高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，带有电阻和电阻-电容双重反馈的第二跨导单元(2)，带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3)，以及带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)组成。其中，第一跨导单元(1)，一方面，与第二跨导单元一起构成第一阻抗转换回路，另一方面，与偏置单元(4)一起构成第二阻抗转换回路，且第一阻抗转换回路与第二阻抗转换回路并联，增大了电感值；电阻损耗抵消单元提高了Q值；通过联合协同调谐偏置单元中的两个偏压可调节端和电阻损耗抵消单元中的一个偏压可调节端的偏压，可实现对有源电感在同一高频下Q峰值的独立调谐。
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公开(公告)号：CN106301237B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610589332.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源‑共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。
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公开(公告)号：CN108768342A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810555716.6
申请日：2018-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/46
CPC classification number: H03H11/46
Abstract: 本发明提供了一种射频集成有源电感包括：输入单元，频带调节单元，第一及第二偏置单元，第一及第二跨导单元。第一偏置单元为第一跨导单元提供直流偏置，第二偏置单元为第二跨导单元提供直流偏置。在有源电感的输入端，输入单元和第一跨导单元串联，使有源电感具有小的等效输入电容，进而有宽的工作频带；频带调节单元既与输入单元串联，也与第一跨导单元并联，通过调节频带调节单元，实现对有源电感工作频带的独立调节；第一跨导单元中MOS晶体管并联，使有源电感具有大的等效回转电容，进而有大的电感值；协同调节第一跨导单元和频带调节单元，实现有源电感在宽工作频带内电感值的调节。本发明适用于对电感有宽频带要求和在宽频带内对电感值有调节要求的电路。
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公开(公告)号：CN107302037A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710436742.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0264 , H01L31/0288
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/0264 , H01L31/0288
Abstract: 基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾可见光和近红外光波段的探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si次集电区、Si集电区、Ge组份分段分布的SiGe基区/吸收层和多晶Si发射区；多晶Si发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。光窗口设计在基区台面，避免了光窗口在发射区台面时对入射光的损耗。因为不同Ge组份的SiGe材料对可见光波段和近红外光波段入射光的吸收系数和吸收长度不同，采用了Ge组份分段分布的基区/吸收层可以分别对应吸收波长短的可见光和波长长的近红外光，均衡可见光和近红外光波段内的吸收效率。
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公开(公告)号：CN107240616A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710436715.5
申请日：2017-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/11
CPC classification number: H01L31/1105 , H01L31/03529
Abstract: 本发明提供了一种具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器。该探测器衬底材料为InP，从衬底往上依次为：InP缓冲层、In0.53Ga0.47As集电区、In0.53Ga0.47As本征层、In0.53Ga0.47As基区、InP发射区、InP帽层、In0.53Ga0.47As欧姆接触层。集电极在In0.53Ga0.47As集电区台面上；基极和基区光窗口在In0.53Ga0.47As基区台面上；发射极在In0.53Ga0.47As欧姆接触层上。本发明的基区和集电区之间存在In0.53Ga0.47As本征层，在集电极偏置为2V时完全耗尽，大大增加了集电结耗尽层的厚度，使大部分进入探测器的入射光被集电结耗尽层吸收。在集电结耗尽层产生的光生电子‑空穴对被其中的强电场分离，从而产生光生电流。因此，本发明具有比无本征层探测器更高的量子效率和光生电流。
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