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公开(公告)号：CN116129981A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310139066.8
申请日：2023-02-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法及系统，属于信息存储领域，方法包括：S1：对待测闪存芯片进行读写擦磨损，并每隔预设次P/E采集扇区写入时长和扇区擦除时长，连续采集预设条样本；S2：若预设条样本的扇区写入时长均小于扇区写入时长阈值，则判定待测闪存芯片不存在故障，否则转至S3；S3：计算待测闪存芯片的扇区写入时长离散度是否小于扇区写入时长离散度阈值，若小于则判定待测闪存芯片正处于正常工作状态，否则，判定待测闪存芯片处于严重扰动状态，停止工作进行故障检测；本发明提供的故障判断方法不需要频繁采集大量样本，简化了判断流程，更具有实用性。
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公开(公告)号：CN113078260B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110245476.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于二维电子气的互补型忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域。本发明通过对上下电极进行改进，利用异质结产生的二维电子气作为电极，由于二维电子气的局域传导特性，导致器件上下双极性忆阻器导电丝定向生长，从而可以提高互补型忆阻器的高低阻态和操作电压(Set和Reset电压)的一致性。由于该互补型忆阻器结构阻变开关层采用的是突变异质结一部分，所以器件本身电阻很大，这导致器件操作电流小，具有低功耗的特征。
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公开(公告)号：CN112713242B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011566277.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米电流通道的相变存储器的制备方法，包括：在衬底上生长第一电极层；在第一电极层上沉积生长绝缘层；利用光刻刻蚀工艺刻蚀绝缘层直到第一电极层，并形成底面为金属电极层的凹槽；在凹槽内制备具有金属晶粒的纳米电流通道层，且金属晶粒贯穿该层厚度；在纳米电流通道层上方沉积相变材料；在相变材料上方沉积第二电极层形成具有纳米电流通道层的相变存储器。本发明通过纳米级导电通道大大减小了相变层与电极层之间的接触面积，并极大地提高了局部接触部位的电流密度，提高了电流在相变层中的产热效率；提高了相变层的电热利用效率；且工艺简单，使得相变存储器能够轻松实现操作功耗降低。
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公开(公告)号：CN114629468B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210532086.7
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种脉宽可调的脉冲电压发生装置，包括：开关控制电路，用于产生控制信号；时钟产生电路，用于产生50MHZ时钟信号；可调脉宽产生集成电路，包括PLL锁相环、第一触发器、第二触发器、行触发器阵列、选择器和异或门，PLL锁相环用于将50MHZ时钟信号处理后输出400MHZ高速时钟信号和50MHZ时钟信号；第一触发器用于对控制信号进行上升沿同步处理输出同步信号；第二触发器用于对同步信号进行20ns延时处理；行触发器阵列中各触发器用于在400MHZ高速时钟信号的控制下输出步进精度为2.5ns的多个可调脉宽脉冲信号，然后通过选择器选择出所需脉宽的脉冲电压信号至相变存储器。本发明能产生20～100ns上升沿下降沿精度高的脉冲电压信号，且脉宽可调，灵活性高。
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公开(公告)号：CN114744109A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210326791.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种四面体结构化合物掺杂的Sb‑Te相变材料和相变存储器，属于微纳米电子技术领域，Sb‑Te相变材料化学式为MAx(Sb‑Te)1‑x，MA为四面体结构化合物，x代表四面体结构化合物分子数占总分子数的百分比，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361335A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111535353.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Cu掺杂的Sb2Te3体系相变材料、相变存储器及制备方法装置，属于微纳米电子技术领域。其中，Sb‑Te体系相变材料通过Cu元素掺杂，在局部富Cu的情况下形成同时具备四面体以及八面体结构的Cu3Te2键合。强键合的四面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的非晶稳定性及数据保持能力，晶体构型八面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的结晶速度。本发明还提供了包含该相变材料的相变存储器以及相变材料的制备方法。本发明的相变材料能同时改善器件的速度和非晶稳定性，提升相变存储器的综合性能。
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公开(公告)号：CN113346012A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110484811.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子器件及存储技术领域，更具体地，涉及一种非熔融超晶格相变薄膜材料，其包括相变层和钉扎层，所述相变层和钉扎层交替堆叠形成周期性结构，所述相变层采用GeTe材料，所述钉扎层采用TiTe2材料；工作中，在所述相变层开始发生非熔融相变时，所述钉扎层不会发生相变，以提高所述钉扎层在相变过程中的稳定性。本发明的非熔融超晶格相变薄膜材料和现有的(Sb2Te3)(GeTe)2非熔融相变材料相比，通过钉扎层材料及超晶格结构的优化，显著提高了超晶格中非相变部分钉扎层在相变过程中的稳定性，使得这种非熔融超晶格相变薄膜材料拥有更好的稳定性和更高的循环次数。
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公开(公告)号：CN112490359A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011371102.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子器件及存储器技术领域，公开了一种基于AAO模板的Sb单元素纳米颗粒相变储存器及其制备方法；通过引入AAO模板，对Sb单元素相变颗粒在三维尺度上进行限制，提高Sb单元素相变层的非晶稳定性。其制备方法包括：在底电极层上沉积一层金属铝，通过二次阳极氧化方法在未经光刻胶掩模的裸露部分形成多孔氧化铝，并得到纳米尺寸的孔阵列。向纳米孔阵列内填充单元素Sb材料，用化学机械抛光方法控制垂直方向上的尺度，制备顶电极后即可得到基于Sb单元素纳米颗粒的新型相变储存器件。基于AAO模板的Sb单元素纳米颗粒相变储存器彻底消除了常规化合物相变材料多次操作之后出现的成分偏析问题，从根本上解决相变存储器的失效难题。
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公开(公告)号：CN110571331A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910816480.1
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种抗应力的超晶格相变存储单元、其制备方法与相变存储器，包括柔性衬底层以及依次沉积在柔性衬底层上的第一绝缘层、下电极层和第二绝缘层，第二绝缘层的内部开设有通孔且通孔与下电极层相接触；在通孔的侧壁上形成有环状碳纳米管层；超晶格薄膜形成于环状碳纳米管层的内部且与环状碳纳米管层之间通过第三绝缘材料层隔离；超晶格薄膜包括交替生长的具有范德华间隙的第一、第二相变层；上电极形成于第四绝缘层的表面并通过第四绝缘层的通孔与超晶格薄膜接触；本发明在具有范德华间隙的超晶格薄膜材料外围包裹碳纳米管，可以防止超晶格薄膜在应力弛豫的过程中发生断裂，极大地提高了相变存储器件抗应力的能力。
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公开(公告)号：CN110556476A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910818242.4
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，属于微电子器件及存储器技术领域；该超晶格相变薄膜包括相变材料层和导电二维材料层；所述相变材料层、导电二维材料层交替堆叠形成周期性结构，该导电二维材料层的原子间距小于相变材料层且其机械强度大于相变材料层；具有较小原子间距的导电二维材料可以阻止相变材料层的原子迁移，减少超晶格相变存储材料在循环擦写过程中由原子迁移造成的器件失效，增强其循环擦写的稳定性；将该超晶格相变薄膜应用于相变存储器中，可以显著增强超晶格相变存储器件的循环擦写稳定性，增加其使用寿命，进一步提升相变存储器的电学性能。
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