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公开(公告)号：CN108165237A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810032016.9
申请日：2018-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 一种提高硅凝胶复合材导热性能的制备方法，本发明涉及聚合物基导热复合材料领域，具体涉及金刚石颗粒表面的磁性材料负载技术及外置磁场作用下填充体定向排布的聚合物基复合材料的制备方法。本发明要解决磁场作用下可控制备的定性排布金刚石/硅凝胶复合材料制备的技术问题。方法：先制备磁性材料负载的金刚石填充体颗粒；然后利用外置磁场对可磁性响应的金刚石颗粒进行定向排布以制备复合材料。本发明提出了定向排布的金刚石/硅凝胶复合材料的制备方法，对实际磁性负载的金刚石颗粒定向排布进行了表征，定向排布效果显著，提高了硅凝胶复合片材的热导率。
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公开(公告)号：CN107749316A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710930415.2
申请日：2017-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 金刚石肖特基同位素电池及其制备方法，本发明属于微能源领域，它为了解决现有同位素电池的抗辐射损伤强度以及能量转换效率较低的问题。本发明金刚石肖特基同位素电池从上至下依次由放射源、电池肖特基电极、本征金刚石层和P型金刚石层形成叠层结构，在叠层结构的侧面设置欧姆电极。制备方法：一、在P型金刚石基底层上外延生长本征金刚石层；二、置于浓H2SO4和浓HNO3的混合溶液中；三、在本征金刚石层表面溅射肖特基电极；四、涂覆导电银胶；五、在肖特基电极上加载电镀放射源。本发明金刚石肖特基同位素电池中以Am作为放射源，其发出的阿尔法射线穿透深度低，且该金刚石肖特基同位素电池的输出功率能够达到皮瓦级，转换效率高。
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公开(公告)号：CN104975343B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510304702.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法，它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂，并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题，方法为：一、金刚石籽晶清洗；二、焊接；三、放置籽晶；四、氢等离子体刻蚀/退火，即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷，提高结晶度，从而获得高质量的籽晶，并极大简化了操作，节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。
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公开(公告)号：CN106784044A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611223173.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/1804
Abstract: 一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法，涉及金刚石探测科学与技术领域，尤其涉及一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法。本发明为解决现有金刚石紫外探测器，采用平面电极结构，会有紫外穿透深度范围以内金刚石纵向电场太弱不足以将光生载流子导出的问题，而采用石墨柱电极结构，会有晶界阻碍载流子的输运问题。一种三维结构金刚石紫外探测器，包含光感区和电极结构，光感区为蛇形折叠形状金刚石，电极结构为两组相互交叉的叉指结构凹槽组成，每组叉指结构含有n个电极。一种三维结构金刚石紫外探测器的制备方法：基底的选择；预处理；制备刻蚀掩膜；制备三维电极结构；沉积金属薄膜和后处理。本发明应用于紫外探测领域。
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公开(公告)号：CN106744931A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611130191.9
申请日：2016-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/61
Abstract: 一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，本发明涉及金刚石微粉生长技术领域。本发明要解决现有制备人造金刚石成本较高、质量较低、不易分散、工艺不可控、衬底选择受限的问题。方法：一、石墨片的表面处理；二、利用等离子体刻蚀法在石墨上制备金刚石；三、分散金刚石颗粒，即完成等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。本发明用于一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104988578A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510443127.5
申请日：2015-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法：一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
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公开(公告)号：CN104972189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510459097.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/0008 , B23K1/206
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。
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公开(公告)号：CN104878447A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
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公开(公告)号：CN119387844B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411974576.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 山东瑞泰新材料科技有限公司 , 哈尔滨工业大学(威海) , 哈工大苏州研究院
Abstract: 本发明提供了一种高温合金构件增材制造表面质量控制装置及方法，涉及高温合金增材制造技术领域，包括激光焊接装置、锻压碟轮和成对设置的密封夹持工装，密封夹持工装夹持有外壁与GH4099曲母线构件的待加工段内壁结构一致的内定形工装，水冷温控装置依次与密封夹持工装、内定形工装和中空的待焊接件密封连接构成水冷循环通路；锻压碟轮能够轴向和横向移动，密封夹持工装能够进行旋转和沿轴线伸缩，激光焊接装置能够进行径向和轴向运动；装配后待焊接件与密封夹持工装和内定形工装的装配关系为过盈装配。本申请通过锻压碟轮和内定形工装的锻造挤压，为加工形成的GH4099曲母线构件提供了足够的支撑结构约束，防止出现产品变形、凹陷的问题，保证焊缝质量。
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公开(公告)号：CN119771992A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411992483.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: B21D17/02 , B21D37/10 , B21D43/00 , H01M8/0206
Abstract: 发明提供了一种金属双极板成形装置和方法，其解决了现有金属双极板在模压成形过程中材料发生剧烈地塑性变形，易导致局部破裂的技术问题；成形装置设有传力机构，传力机构设有传力板、传力杆和压边板，传力板设置在上模底板与上模板之间；上模底板与传力板通过液压弹簧相连接；传力板的上表面连接设有顶杆，顶杆的上端穿过传力板并伸出，传力板与顶杆滑动连接；传力杆的一端与传力板相连接，传力杆的另一端向下穿过上模板的第二通孔并伸出后与压边板相连接，上模板与传力杆滑动连接，压边板设置在下模板的上方；可广泛应用于金属双极板技术领域。
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