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公开(公告)号：CN111682062A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010594130.8
申请日：2020-06-24
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种IGBT器件的背面结构及其制备方法、IGBT器件，通过将缓冲层中与IGBT器件的有源区对应的区域设置为第一激活效率缓冲区，与IGBT器件的终端区对应的区域设置为第二激活效率缓冲区，且第二激活效率缓冲区的激活率大于第一激活效率缓冲区的激活效率，从而降低了终端区的空穴注入效率；IGBT器件芯片过流关断时，终端区注入的空穴在IGBT关断时都要通过主结进行收集，从而降低了有源区边缘主结处的电流集中现象，提高了器件的过流关断性能。
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公开(公告)号：CN113097298B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110354871.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/45 , H01L29/10 , H01L23/48 , H01L21/331
Abstract: 一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，绝缘栅双极型晶体管包括：半导体层，半导体层包括漂移区和位于漂移区顶部的阱区；栅极结构，栅极结构贯穿阱区且延伸至漂移区中，栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；发射掺杂区，位于栅极结构的第一侧的阱区中部分顶部区域且与栅极结构邻接，发射掺杂区的导电类型和阱区的导电类型相反；所述栅极结构的第二侧的部分阱区中的凹槽；位于凹槽底部阱区中的欧姆接触区，欧姆接触区与栅极结构的第二侧的部分侧壁接触，欧姆接触区的导电类型和阱区的导电类型相同。绝缘栅双极型晶体管在保证阈值电压较小的同时能增强抗栓锁效应的能力。
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公开(公告)号：CN117154833A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311108287.5
申请日：2023-08-30
Applicant: 国家电网有限公司技术学院分公司 , 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本申请提供一种基于多参数两阶段优化的逆变器并网控制系统及控制方法，所述控制系统包括VDP虚拟振子单元，用于对并入电网的逆变器进行渐近同步控制；以及多参数优化单元，用于在逆变器并入电网后的电压建立阶段及电压维持阶段优化VDP虚拟振子单元的多个控制参数。本申请的技术方案，既能够满足不同阶段VDP虚拟振子控制逆变器的输出要求，又能够在提高电压响应速度与抑制三次谐波含量之间取得较好的平衡。
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公开(公告)号：CN111260150A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010083913.X
申请日：2020-02-10
Applicant: 国网辽宁省电力有限公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请提供了一种通信设备运行风险预警方法及通信管理系统，所述通信设备运行风险预警方法包括：基于预设信息提取规则，从获取的工单信息中提取目标通信设备的历史运行信息，所述历史运行信息根据目标通信设备生命周期的延续而持续更新；基于目标通信设备的历史运行信息，确定所述目标通信设备的家族性缺陷；根据所确定的家族性缺陷，针对所述目标设备的运行风险进行预警。与现有技术相比，本发明能够对通信设备的风险进行有效预警。
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公开(公告)号：CN119516229A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411532867.1
申请日：2024-10-30
IPC: G06V10/762 , G06V10/82 , G06N3/045 , G06Q50/06
Abstract: 本发明属于电力设备检测技术领域，具体公开了一种绝缘子劣化检测方法及相关装置，所述一种绝缘子劣化检测方法，包括：获取绝缘子红外图像；将所述绝缘子红外图像输入预先训练好的劣化检测模型中，输出检测结果；其中，所述劣化检测模型是利用训练数据集训练改进的Faster R‑CNN模型得到的，所述训练数据集包括劣化绝缘子红外图像及对应的劣化标签，所述改进的Faster R‑CNN模型引入了特征金字塔网络，并利用ResNet101骨干网络替换了VGG16特征提取网络。本发明能够提高绝缘子在复杂场景下的检测效率和准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN115117770A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111442173.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 国网河南省电力公司鹤壁供电公司 , 鹤壁鹤源电力(集团)有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及铠装中置高压开关柜母线验电接地一体化小车，它包括框架单元、触头单元、验电单元、接地单元，框架单元与触头单元、验电单元、接地单元之间的连接方式为可拆卸连接，触头单元与验电单元、接地单元之间电连接；本发明触臂灵活拆除，保证开关柜母线及出线均可实现验电、接地操作；本发明具有结构合理、开关柜验电、接地时间大大缩短、有效避免了人与设备的直接接触，大大提高了工作效率，有力保障了操作人员的安全的优点。
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公开(公告)号：CN113097287A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911333532.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法，在N型衬底(1)的正面内部形成P型场限环(2)和镇流电阻区(3)；在P型场限环(2)和镇流电阻区(3)正面形成氧化层；在氧化层的正面形成正面金属层(9)，并在N型衬底(1)的背面形成背面结构，镇流电阻区(3)能够避免空穴电流集中和动态闩锁的发生，从而避免IGBT芯片在关断过程中烧毁失效，同时降低终端结构对应背面的P型集电区(11)的掺杂浓度，降低在IGBT芯片关断过程中的空穴电流密度，进一步提高IGBT芯片的抗动态闩锁能力和过电流关断能力。本发明还通过减小场板台阶处的刻蚀角度实现电场强度的降低，提高IGBT芯片在阻断态时的可靠性。
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公开(公告)号：CN112652657A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959594.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。本发明通过增加多晶硅假栅极结构(7)，降低PNP分量，增强电导调制效应，降低芯片的饱和压降，同时多晶硅假栅极结构(7)与背面金属电极(4)距离近，并与N型掺杂发射区(11)相连，可以有效降低沟槽栅型IGBT芯片元胞区域的传输电容，从而降低IGBT芯片的动态损耗，提升整体性能。
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公开(公告)号：CN109920232A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910198459.X
申请日：2019-03-15
Applicant: 国网辽宁省电力有限公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了基于NB-loT的电力多业务接入终端及管理系统，该终端包括NB-loT通信模组、电源模块、LCD显示模块、天线、SIM卡槽、通信接口、加密芯片、提示灯、及复位按键。当在NB-loT终端采集到电量、计量及传感业务信息后，所述的电力多业务接入终端将采集信息传输到NB-loT基站，通过NB-loT网络传输到主站的终端管理系统，该发明解决了现有无线通信网络的用户容量少覆盖能力不足的问题及终端设备远程管理的技术问题，而且提高了无线通信数据传输的安全性，实现了对终端节点的有效监控和管理，提升运维管理水平。
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