公开(公告)号：CN108701701A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780003629.3

申请日：2017-02-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  齐藤贵翁 ,  宫本忠芳

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/10 ,  H01L31/105 ,  H01L31/117

Abstract: 提供一种光电转换装置，在光电转换装置中减少光电二极管的截止泄漏电流。光电转换装置(100)具备：氧化物半导体层(5)，其形成在基板(1)上；钝化膜(6)以及平坦化膜(7)，其层叠于氧化物半导体层上；光电二极管(9)，其由下部电极(91)、光电转换层(92)、上部电极(93)构成，经由钝化膜以及平坦化膜所形成的接触孔(21)，下部电极连接于漏极电极(4)，接触孔的正上方未设置有光电转换层。

公开(公告)号：CN108701432A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013382.3

申请日：2017-02-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明的特征在于，包括：以覆盖栅极绝缘膜(45)及半导体膜(42)二者的形式形成导电膜(51)的导电膜形成工序，其中，栅极绝缘膜(45)覆盖在玻璃基板(32)上形成的栅极电极(37G)及栅极布线(35G)，半导体膜(42)在栅极绝缘膜(45)上形成在与栅极电极(37G)重叠的位置；第一蚀刻工序，通过对导电膜(51)进行蚀刻，从而形成与半导体膜(42)连接的源极用导电膜(46S)、及与半导体膜(42)连接的漏极用导电膜(46D)；抗蚀剂形成工序，其在第一蚀刻工序之后实行，形成覆盖半导体膜(42)、源极用导电膜(46S)、漏极用导电膜(46D的抗蚀剂(53R)；以及第二蚀刻工序，其在抗蚀剂形成工序之后实行，以抗蚀剂(53R)为掩模，实行可去除导电膜(51)的蚀刻。

公开(公告)号：CN108496244A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780008343.4

申请日：2017-01-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。

公开(公告)号：CN108352140A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063187.7

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345

Abstract: 阵列基板(11b)具备：玻璃基板(GS)，其被划分为显示区域(AA)和非显示区域(NAA)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，它们在非显示区域(NAA)一部分开口而形成栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)；栅极绝缘膜竖立部(16a)以及第一层间绝缘膜竖立部(19a)，它们从与栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)的边界位置竖立而相对于玻璃基板(GS)的板面呈倾斜状；以及重叠部(30)，其以跨越栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)、栅极绝缘膜竖立部(16a)以及第一层间绝缘膜竖立部(19a)的方式与它们各自的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN107003572A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064690.X

申请日：2015-11-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 三宅敢 ,  神崎庸辅

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供通过防止由光配向处理造成的TFT特性劣化，来抑制显示不均的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具有薄膜晶体管基板及液晶层的液晶显示装置，是这样的液晶显示装置：所述薄膜晶体管基板具有蚀刻阻挡物结构的薄膜晶体管、配向膜、施加电场给所述液晶层的一对电极；所述薄膜晶体管按顺序具有栅极、栅极绝缘膜、包含氧化物半导体的通道层、蚀刻阻挡物层、一对的源极和漏极；所述配向膜具有光官能团；所述液晶层具有负的介电各向异性。

公开(公告)号：CN106605295A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580047034.9

申请日：2015-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  高丸泰 ,  井手启介 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/28 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969

Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)包括：氧化物半导体膜(31)，其由氧化物半导体材料构成，并且以如下形式配置：作为其一部分的电容配线(22)为与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)相比电阻低的低电阻部且作为低电阻部的电容配线(22)与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)分离；第1层间绝缘膜(第1绝缘膜)(33)，其配置在氧化物半导体膜(31)的上层侧并且在与作为低电阻部的电容配线(22)重叠的位置形成有开口部(33a)；和第2层间绝缘膜(第2绝缘膜)(34)，其配置在第1层间绝缘膜(33)的上层侧并且含有氢。

公开(公告)号：CN103270601B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180061376.8

申请日：2011-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。

公开(公告)号：CN102160183B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200980136174.8

申请日：2009-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一 ,  守口正生 ,  吉田德生 ,  岩濑泰章 ,  神崎庸辅 ,  坂本真由子

IPC: H01L29/786 ,  C23C16/24 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/1225

Abstract: 二极管(201)具备：栅极电极(2)；在栅极电极(2)上形成的栅极绝缘层(5)；在栅极绝缘层(5)上形成的具有第1区域(6a)、第2区域(7b)的至少1个半导体层(6、7)；在第1区域(6a)上设置的与第1区域(6a)和栅极电极(2)电连接的第1电极(10)；以及在第2区域(7b)上设置的与第2区域(7b)电连接的第2电极(12)，至少1个半导体层(6、7)具有隔着栅极绝缘层(5)与栅极电极(2)重叠的沟道区域(6c)和与栅极电极(2)不重叠的电阻区域(7d)，在二极管(201)的导通状态下，在第1电极(10)和第2电极(12)之间形成包含沟道区域(6c)和电阻区域(7d)的电流路径。

公开(公告)号：CN103069334A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039851.1

申请日：2011-05-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  神崎庸辅 ,  冈本哲也 ,  齐藤裕一 ,  中谷喜纪

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041

Abstract: 薄膜晶体管基板（20）包括：绝缘基板（10a）；设置在绝缘基板（10a）上的栅极绝缘层（12）；设置在栅极绝缘层（12）上且包括铟镓锌氧化物（IGZO）的连接层（25）；设置在连接层（25）上且包括钛的漏极电极（16b）；形成于连接层（25）和漏极电极（16b）的接触孔（Ca）；和设置在接触孔（Ca）的表面上且与连接层（25）接触的像素电极（19a）。并且，漏极电极（16b）与像素电极（19a）经由连接层（25）电连接。

公开(公告)号：CN102986012A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180034015.4

申请日：2011-07-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中谷喜纪 ,  齐藤裕一 ,  冈本哲也 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133397 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288

Abstract: 各TFT（5a）包括：栅极电极（11aa）；以覆盖栅极电极（11aa）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11aa）重叠的方式设置有沟道区域（C）的半导体层（13b）；在半导体层（13b）上以使得沟道区域（C）露出并且隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（14aa）和漏极电极（14ba），各辅助电容（6a）包括：电容线（11ba）；以覆盖电容线（11ba）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11ba）重叠的方式设置的半导体层（13b）；和在半导体层（13b）上设置、与各像素电极（16a）连接的漏极电极（14ba），包含氧化物半导体的半导体层（13b）与包含氧化物导电体的各像素电极（16a）相互接触。