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公开(公告)号：CN117690975A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311098309.4
申请日：2023-08-29
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明提供包含防止氢侵入沟道区域的氢捕获区域的半导体器件。半导体器件包含：氧化物绝缘层；氧化物绝缘层之上的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的、氧化物绝缘层及氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的栅电极；和覆盖栅电极的、栅极绝缘层及栅电极之上的保护绝缘层，栅极绝缘层包含与栅电极重叠的第1区域、和与栅电极不重叠并与保护绝缘层相接的第2区域，氧化物绝缘层包含与栅电极重叠的第3区域、和与栅电极及所述氧化物半导体层不重叠并与栅极绝缘层相接的第4区域，氧化物半导体层的源极区域及漏极区域以及第2区域包含杂质，第2区域的氢浓度大于第1区域的氢浓度。
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公开(公告)号：CN117374127A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310816771.7
申请日：2023-07-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/10 , H01L29/04
Abstract: 本发明涉及半导体装置。其课题在于提供含有氧化物半导体层的半导体装置，所述氧化物半导体层包含经充分低电阻化的源极区域及漏极区域。半导体装置包含设置于绝缘表面上的、具有多晶结构的氧化物半导体层、设置于氧化物半导体层之上的栅电极、和设置于氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层，氧化物半导体层包含与栅电极重叠且具有第1晶体结构的第1区域、以及不与栅电极重叠且具有第2晶体结构的第2区域，第2区域的电导率大于前述第1区域的电导率，第2晶体结构与第1晶体结构相同。
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公开(公告)号：CN116895534A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310260264.X
申请日：2023-03-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。本发明的解决方式在于，半导体器件的制造方法，其中，在基板上形成氧化物半导体层，在前述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层，在前述栅极绝缘层上形成以铝为主成分的氧化金属层，在前述栅极绝缘层上形成有前述氧化金属层的状态下进行热处理，在前述热处理之后，将前述氧化金属层除去，在前述栅极绝缘层上形成栅电极。前述栅电极可以以与通过前述氧化金属层被除去而露出的前述栅极绝缘层相接的方式形成。
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公开(公告)号：CN116895533A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310259938.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。本发明的解决方式在于，半导体器件的制造方法中，在基板上形成以铝为主成分的第1氧化金属层，在前述第1氧化金属层上形成氧化物半导体层，在前述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层，在前述栅极绝缘层上形成以铝为主成分的第2氧化金属层，在前述栅极绝缘层上形成有前述第2氧化金属层的状态下进行热处理，在前述热处理之后，将前述第2氧化金属层除去，在前述栅极绝缘层上形成栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114788016A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080085492.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 津吹将志
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/146 , H01L21/336 , H04N5/369
Abstract: 光传感器装置包括：基板；以及设置于基板上的像素区域处的作为受光元件发挥功能的第1晶体管，和写入/读取用的第2晶体管。第1晶体管由使用多晶硅的晶体管形成，第2晶体管由使用氧化物半导体的晶体管形成。在第2晶体管的氧化物半导体的背面侧设置遮光层。由此，能够长时间地对光传感器装置照射光，因此能够使第1晶体管的受光量增加，并且能够抑制第2晶体管的特性变动。
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公开(公告)号：CN110010696B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201910007558.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 津吹将志
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包含以下步骤：在基板上形成第一栅极电极；在第一栅极电极上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成包含与第一栅极电极重叠的区域的第一氧化物半导体层；在第一氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极；在源极电极和漏极电极上形成氧化物绝缘层；在含有氧的气氛中对氧化物半导体靶进行溅射而在氧化物绝缘层上形成第二氧化物半导体层，并且对氧化物绝缘层添加氧；通过进行加热处理，使氧扩散到第一氧化物半导体层；在进行了加热处理之后，去除第二氧化物半导体层。由此，能够提高半导体装置的晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN110010696A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910007558.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 津吹将志
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包含以下步骤：在基板上形成第一栅极电极；在第一栅极电极上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成包含与第一栅极电极重叠的区域的第一氧化物半导体层；在第一氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极；在源极电极和漏极电极上形成氧化物绝缘层；在含有氧的气氛中对氧化物半导体靶进行溅射而在氧化物绝缘层上形成第二氧化物半导体层，并且对氧化物绝缘层添加氧；通过进行加热处理，使氧扩散到第一氧化物半导体层；在进行了加热处理之后，去除第二氧化物半导体层。由此，能够提高半导体装置的晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN209471965U
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201920347688.9
申请日：2019-03-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/144
Abstract: 本实用新型提供一种能够进行稳定的动作的、使用氧化物半导体晶体管的光传感器装置。该光传感器装置具有受光晶体管和开关晶体管。所述受光晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有3端子的氧化物半导体元件。所述开关晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有4端子的氧化物半导体元件。
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公开(公告)号：CN209357702U
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201920262556.6
申请日：2019-03-01
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型应对因母板内的退火温度的偏差而引起的TFT的阈值电压(Vth)的偏差。一种显示装置的制造方法以及其装置，其包括如下的工序：在基板形成氧化物半导体，将所述氧化物半导体退火，此后对氧化物半导体进行图案化，该显示装置的制造装置的特征在于，在所述退火的升温时，由多个第一销(5201)支承所述基板(400)，多个第一销(5201)配置为具有第一间隔，在所述退火的降温时，由多个第二销(520)支承所述基板(400)，多个第二销(520)配置为具有第二间隔，在俯视观察的情况下，所述第二销位于与所述多个第一销的中点相距所述多个第一销之间距离的10％以内。
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