公开(公告)号：CN111868940B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201980020363.2

申请日：2019-03-08

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 津吹将志 ,  纲岛贵德 ,  盐川真里奈

IPC: H01L31/10 ,  G06F3/042 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题在于提供能够进行稳定的动作的、使用了氧化物半导体晶体管的光传感器电路。光传感器电路包含受光晶体管、第1开关晶体管、第2开关晶体管及电容元件。受光晶体管包含：与第1布线连接的栅极；与第2布线连接的源极；以及漏极。第1开关晶体管具有：与第3布线连接的栅极；与第4布线连接的源极；以及与受光晶体管的漏极连接的漏极。电容元件包含：与受光晶体管的漏极连接的第1端子；以及与第1开关晶体管的源极连接的第2端子。第2开关晶体管包含：与栅极线连接的栅极；与信号线连接的源极；以及电容元件的第1端子连接的漏极。受光晶体管、第1开关晶体管及第2开关晶体管分别包含氧化物半导体层来作为沟道层。

公开(公告)号：CN107527954B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201710324502.3

申请日：2017-05-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  盐川真里奈

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有：氧化物半导体层；氧化物半导体层的上方的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于第1绝缘层上，包含铝层，经由第1开口部电连接于氧化物半导体层；阻挡层，将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及阻挡层上的有机绝缘层。

公开(公告)号：CN111868940A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980020363.2

申请日：2019-03-08

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 津吹将志 ,  纲岛贵德 ,  盐川真里奈

IPC: H01L31/10 ,  G06F3/042 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题在于提供能够进行稳定的动作的、使用了氧化物半导体晶体管的光传感器电路。光传感器电路包含受光晶体管、第1开关晶体管、第2开关晶体管及电容元件。受光晶体管包含：与第1布线连接的栅极；与第2布线连接的源极；以及漏极。第1开关晶体管具有：与第3布线连接的栅极；与第4布线连接的源极；以及与受光晶体管的漏极连接的漏极。电容元件包含：与受光晶体管的漏极连接的第1端子；以及与第1开关晶体管的源极连接的第2端子。第2开关晶体管包含：与栅极线连接的栅极；与信号线连接的源极；以及电容元件的第1端子连接的漏极。受光晶体管、第1开关晶体管及第2开关晶体管分别包含氧化物半导体层来作为沟道层。

公开(公告)号：CN107527954A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710324502.3

申请日：2017-05-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  盐川真里奈

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有：氧化物半导体层；氧化物半导体层的上方的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于第1绝缘层上，包含铝层，经由第1开口部电连接于氧化物半导体层；阻挡层，将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及阻挡层上的有机绝缘层。

公开(公告)号：CN209471965U

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201920347688.9

申请日：2019-03-19

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 津吹将志 ,  纲岛贵德 ,  盐川真里奈

IPC: H01L27/144

Abstract: 本实用新型提供一种能够进行稳定的动作的、使用氧化物半导体晶体管的光传感器装置。该光传感器装置具有受光晶体管和开关晶体管。所述受光晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有3端子的氧化物半导体元件。所述开关晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有4端子的氧化物半导体元件。