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公开(公告)号：CN118891736A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027827.9
申请日：2023-03-14
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H10K50/00
摘要： 半导体装置(10)具有：设置在绝缘表面之上的氧化物半导体层(140)；设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层(150)；和隔着栅极绝缘层而设置在氧化物半导体层之上的栅电极(160)，栅电极从栅极绝缘层侧起依次具有含钛层(162)及导电层(164)，栅极绝缘层包括与栅电极重叠的第一区域(152)和与栅电极不重叠的第二区域(154)，含钛层的厚度(T3)为第一区域中的厚度(T1)的50％以下。
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公开(公告)号：CN118872072A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380021202.1
申请日：2023-03-13
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , H10K50/00
摘要： 半导体装置，其包含：绝缘表面之上的氧化金属层；氧化金属层之上的氧化物半导体层；和氧化物半导体层之上的绝缘层，其中，绝缘层包含与氧化物半导体层重叠的第1区域，第1区域的第1铝浓度为1×1017atoms/cm3以上。第1区域可以为从位于氧化物半导体层的相反侧的绝缘层的表面起50nm以下的区域。
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公开(公告)号：CN117712178A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311123409.8
申请日：2023-09-01
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L27/12
摘要： 本发明涉及半导体器件。本发明实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。半导体器件具备：基板；以铝为主成分的金属氧化物层，其设置在所述基板之上；氧化物半导体层，其设置在所述金属氧化物层之上；栅电极，其与所述氧化物半导体层对置；和所述氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层。所述金属氧化物层的厚度为1nm以上4nm以下。所述金属氧化物层的厚度也可以是1nm以上3nm以下。
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公开(公告)号：CN117596978A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310951276.7
申请日：2023-07-31
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H10K59/65 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
摘要： 本发明提供将氧化物半导体作为配线材料使用的显示装置。该显示装置包括：显示面板，其包括具有多个像素的显示部；和配置在所述显示部的背面侧的传感器元件，所述显示部具有在俯视时与所述传感器元件重叠的第一区域和所述第一区域以外的第二区域，所述多个像素各自具有半导体器件，其包括由具有多晶构造的氧化物半导体构成的沟道部和导电部，所述第一区域中的所述多个像素各自通过由与所述导电部同一层构成的第一信号线连接，所述第二区域中的所述多个像素各自通过由与所述导电部连接的金属层构成的第二信号线连接。
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公开(公告)号：CN114467184A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080065097.8
申请日：2020-09-16
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 本发明的课题为在使用了氧化物半导体TFT的半导体装置中防止由金属电极夺取氧化物半导体膜的氧而导致的TFT的特性变动。为了解决该课题，本发明采取如下结构。半导体装置的特征在于，具有TFT，该TFT在栅极电极(104)之上形成有栅极绝缘膜(105)，在上述栅极绝缘膜(105)之上形成有氧化物半导体膜(106)，上述氧化物半导体膜(106)具有沟道区域(1061)、漏极区域(1063)、源极区域(1064)，俯视下，在上述栅极电极的上表面，在与上述氧化物半导体膜(106)的上述沟道区域(1061)相对的部分，形成有金属氮化膜(10)，上述栅极电极(104)的上表面的一部分不存在上述金属氮化膜(10)。
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公开(公告)号：CN118943145A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410503778.8
申请日：2024-04-25
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
摘要： 本发明涉及半导体装置。课题在于实现具有高迁移率的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；从前述氧化物半导体层之上与前述氧化物半导体层相接的源电极及漏电极；和前述源电极及前述漏电极之上的绝缘层。在将供给至前述栅电极的电压设为Vg、将前述半导体装置的阈值电压设为Vth、将由前述栅电极和前述氧化物半导体层夹持的前述栅极绝缘层的静电电容设为Cox的情况下，前述半导体装置的线性迁移率在(Vg‑Vth)×Cox＝5×10‑7C/cm2时大于20cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN118872076A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380028097.4
申请日：2023-03-14
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H05B33/02 , H10K50/00 , H10K59/00
摘要： 半导体装置的制造方法中，在绝缘表面上形成以铝为主成分的氧化金属层，对氧化金属层的表面实施平坦化处理，在进行了平坦化处理的表面之上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层之上形成与氧化物半导体层对置的栅电极。
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公开(公告)号：CN118872074A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380025339.4
申请日：2023-02-20
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
摘要： 氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(In)元素和选自由铝(Al)元素、镓(Ga)元素、钇(Y)元素、钪(Sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(M1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118661268A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020878.9
申请日：2023-03-13
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H10K50/00
摘要： 半导体装置，其包含：基板；基板之上的绝缘层；绝缘层之上的氧化金属层；和氧化金属层之上的氧化物半导体层，绝缘层包含：与氧化金属层重叠的第1区域；和与氧化金属层不重叠的第2区域，其中，第1区域的氢浓度大于第2区域的氢浓度，第1区域的氮浓度大于第2区域的氮浓度。第1区域的氮浓度随着从基板朝向氧化金属层而变大。
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公开(公告)号：CN118553770A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201026.6
申请日：2024-02-23
申请人： 株式会社日本显示器
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本发明涉及半导体装置。课题在于抑制应力试验前后的半导体装置的电气特性变化。半导体装置包含第1栅电极、所述第1栅电极之上的第1绝缘层、所述第1绝缘层之上的氧化物半导体层、所述氧化物半导体层之上的第2绝缘层和所述第2绝缘层之上的第2栅电极。所述第1绝缘层包含含有硅及氮的第1层、含有硅及氧的第2层以及含有铝及氧的第3层。所述第1层的厚度为10nm以上190nm以下。所述第2层的厚度为10nm以上100nm以下。所述第1层及所述第2层的合计厚度为200nm以下。所述第3层的厚度为1nm以上10nm以下。
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