研磨方法及研磨装置
    61.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117444835A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202310905705.7

    申请日:2023-07-21

    Inventor: 锅谷治

    Abstract: 本发明提供使流体从晶片的上表面流出且研磨头可将适当的力施加至晶片的研磨方法及研磨装置。研磨方法是使用具有通过弹性膜(34)所形成的多个压力室的研磨头(1)的晶片(W)的研磨方法,在第一压力室内形成正压且在位于第一压力室的外侧的第二压力室内形成负压,使存在于晶片的上表面与第一压力室之间的流体(Q)移动至外侧之后,在第二压力室内形成正压且在位于第二压力室的外侧的第三压力室内形成负压,使存在于晶片的上表面与第二压力室之间的流体向外侧移动,在多个压力室中的位于最外侧的压力室内形成正压,使流体从晶片的上表面流出之后,用弹性膜将晶片的下表面按压在研磨面(2a)来研磨晶片的下表面。

    在工件的研磨后使研磨头上升的方法、研磨装置及计算机可读取的记录介质

    公开(公告)号:CN116352595A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211633440.1

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本发明提供一种在工件的研磨后使研磨头上升的方法、研磨装置及计算机可读取的记录介质,在工件的研磨结束后使研磨头从研磨垫上升时,能够防止工件因与保持环的接触而弯曲,能够防止在工件产生过度的应力。本方法一边使研磨头(7)及研磨垫(2)旋转一边将工件(W)压靠于研磨垫(2)而对该工件(W)进行研磨,使研磨垫(2)及研磨头(7)的旋转停止,使研磨头(7)的保持环(48)相对于工件(W)相对地上升,由此使保持环(48)从研磨垫(2)分离,并且使保持环(48)移动到比工件(W)高的位置,然后在工件(W)保持于研磨头(7)的状态下使研磨头(7)上升。

    基板保持装置及弹性膜
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111775043A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010673067.7

    申请日:2016-08-18

    Abstract: 本发明提供一种用于适当地处理基板的基板吸附方法、基板保持装置、基板研磨装置、弹性膜、基板保持装置的基板吸附判定方法和压力控制方法。一种基板吸附方法,使基板吸附于顶环,该基板吸附方法包括:抽真空工序,在基板的下表面支承于支承部件、基板的上表面与弹性膜的下表面接触的状态下,对在弹性膜的上表面与顶环主体之间呈同心圆状形成的多个区域中的至少一个区域进行抽真空;流量计测工序,对相比于抽真空的对象区域位于外侧的区域内的气体的流量进行计测;判定工序,基于气体的流量对基板是否已吸附到顶环进行判定;分离工序,在判定为基板吸附到顶环之后,使吸附有基板的弹性膜与支承部件分离。

    研磨装置、该研磨装置的控制方法以及记录介质

    公开(公告)号:CN106891241B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201611168391.3

    申请日:2016-12-16

    Abstract: 本发明提供一种不依赖于工艺种类、研磨条件而能够防止研磨对象物的滑出的研磨装置、该研磨装置的控制方法以及控制程序。该研磨装置使研磨对象物的被研磨面与研磨部件相对地滑动而研磨被研磨面,具有:按压部,通过对研磨对象物的被研磨面的背面进行按压而将被研磨面按压于研磨部件;保持部件,配置于按压部的外侧,按压研磨部件;存储部,存储有与使用关于保持部件的按压力的信息而确定的防止研磨对象物的滑出的条件相关的信息;以及控制部,获取关于研磨对象物的被研磨面与研磨部件之间的摩擦力的信息或者关于保持部件的按压力的信息,使用该获取的关于摩擦力的信息或者该获取的关于保持部件的按压力的信息来进行控制,以符合防止滑出的条件。

    研磨装置
    65.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105081961B

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201510242162.0

    申请日:2015-05-13

    Inventor: 锅谷治

    Abstract: 一种研磨装置,具有:保持环,其与头主体一起旋转并按压研磨面;旋转环,其固定于保持环、且与保持环一起旋转;静止环,其配置在旋转环上;以及局部荷载赋予装置,其通过旋转环及静止环而将局部荷载施加于保持环的一部分。旋转环具有与静止环接触的多个辊。采用本发明,可抑制将荷载传递到保持环的辊的磨损,且可防止所产生的磨损粉末向外部流出。

    抛光设备
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106078495A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610457337.4

    申请日:2008-10-28

    CPC classification number: B24B37/32

    Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。

    研磨装置
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105081961A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510242162.0

    申请日:2015-05-13

    Inventor: 锅谷治

    CPC classification number: B24B37/32 B24B37/107 B24B37/30 B24B41/007 B24B37/10

    Abstract: 一种研磨装置,具有:保持环,其与头主体一起旋转并按压研磨面;旋转环,其固定于保持环、且与保持环一起旋转;静止环,其配置在旋转环上;以及局部荷载赋予装置,其通过旋转环及静止环而将局部荷载施加于保持环的一部分。旋转环具有与静止环接触的多个辊。采用本发明,可抑制将荷载传递到保持环的辊的磨损,且可防止所产生的磨损粉末向外部流出。

    抛光设备
    70.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101422874B

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN200810174959.1

    申请日:2008-10-28

    CPC classification number: B24B37/32

    Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。

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