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    研磨装置及研磨方法
    2.
    发明授权
    研磨装置及研磨方法 有权

    公开(公告)号：CN104608055B

    公开(公告)日：2017-09-22

    申请号：CN201410605525.8

    申请日：2014-10-31

    申请人： 株式会社荏原制作所

    发明人： 高桥太郎 ,  铃木佑多

    IPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/013

    CPC分类号： B24B49/105 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  H01L21/12 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

    摘要： 本发明提供一种能够进行准确的研磨进度监视的研磨装置及研磨方法。研磨装置具有：支持研磨垫(1)的研磨台(2)；使研磨台(2)旋转的台用电动机(6)；顶环(3)，所述顶环(3)将基板按压在研磨垫(1)上并研磨该基板；修整器(26)，所述修整器(26)在基板的研磨过程中一边在研磨垫(1)上摇动，一边对研磨垫(1)进行修整；过滤装置(35)，所述过滤装置(35)将具有相当于修整器(26)的摇动周期的频率的振动成分从台用电动机(6)的输出电流信号中去除；以及研磨监视装置(40)，所述研磨监视装置(40)基于去除了振动成分的输出电流信号，对基板的研磨的进度进行监视。

    涡电流传感器增益的确定
    4.
    发明公开
    涡电流传感器增益的确定 有权

    公开(公告)号：CN105659363A

    公开(公告)日：2016-06-08

    申请号：CN201480057958.2

    申请日：2014-10-28

    申请人： 应用材料公司

    发明人： K·徐 ,  S-H·沈 ,  B·A·斯伟德克 ,  I·卡尔松 ,  D·E·本内特 ,  W-C·图 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  T-Y·刘

    IPC分类号： H01L21/304

    CPC分类号： B24B49/105 ,  B24B37/005

    摘要： 在一个方面，控制抛光的方法包括以下步骤：在抛光第一基板之前接收来自直联式或单机监测系统的对第一基板上的导电膜的初始厚度的测量；在抛光系统中抛光一个或更多个基板，所述一个或多个基板包括第一基板；在抛光所述一个或更多个基板的期间，利用涡电流监测系统监测所述一个或更多个基板以生成第一信号；确定用于第一基板的抛光的起始的、所述第一信号的起始值；对于在抛光所述一个或更多个基板中的至少一个基板的期间收集到的第一信号中的至少部分，基于起始值以及对初始厚度的测量来确定增益；以及基于第一信号和增益来计算第二信号。

    一种金属零件精密加工设备及方法
    5.
    发明公开
    一种金属零件精密加工设备及方法 有权

    公开(公告)号：CN105538035A

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：CN201510996832.8

    申请日：2015-12-24

    申请人： 广东省自动化研究所

    发明人： 韩威 ,  周松斌 ,  刘忆森 ,  黄可嘉 ,  李昌 ,  刘伟鑫

    IPC分类号： B23Q15/007 ,  B23Q17/20 ,  B23Q17/12 ,  B24B49/10 ,  B24B49/04

    CPC分类号： B23Q15/007 ,  B23Q17/12 ,  B23Q17/20 ,  B24B49/04 ,  B24B49/105

    摘要： 本发明公开了一种金属零件精密加工设备及方法，所述设备包括：工件固定装置、检测模块、加工控制处理模块和加工执行装置；所述方法包括：按当前加工参数对金属工件进行加工；得到金属工件的轴向振动参数和径向振动参数；得到金属工件的尺寸参数和缺陷参数；轴向振动参数、径向振动参数、尺寸参数、缺陷参数与当前加工参数进行融合计算得到加工修正数据；根据加工修正数据对当前加工参数进行修正，得到新加工参数；将新加工参数作为当前加工参数；重复执行上述步骤，直到金属工件达到预订加工效果，则停止加工。本发明可实现″加工-测量-误差修正-加工″的闭环加工过程，提高金属零件的加工精度。

    一种悬浮抛光加工间隙检测方法
    6.
    发明公开
    一种悬浮抛光加工间隙检测方法 有权

    公开(公告)号：CN105397639A

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：CN201510908897.2

    申请日：2015-12-09

    申请人： 浙江工业大学

    发明人： 洪滔 ,  王杨渝 ,  谢重 ,  朱胜伟

    IPC分类号： B24B49/16 ,  B24B49/00 ,  B24B49/10

    CPC分类号： B24B49/165 ,  B24B49/00 ,  B24B49/105

    摘要： 本发明公开了一种悬浮抛光加工间隙检测方法，所采用的液动压抛光设备包括抛光盘，抛光液容器、抛光液容器固定板、测距传感器、螺旋机构、微调机构；通过调节微调机构将抛光盘与抛光液容器的中心位置对准，再调节螺旋机构，实现抛光盘和抛光液容器在Z轴方向的相对运动，从而调整悬浮抛光的加工间隙；再利用抛光液底部安装的测距传感器检测抛光液容器的移动距离，计算出抛光盘与抛光液容器之间的加工间隙。本发明能够准确的检测出加工间隙，并能实时的检测出由于液动压力的产生而使加工间隙发生的变化值，能够实现微米级的测量精度；本发明采用的电涡流式位移传感器具有高精度的位移测量精度，能适应复杂测试环境都，保证实验的精确性。

    使用来自测量设备的反馈的自适应半导体处理
    8.
    发明公开
    使用来自测量设备的反馈的自适应半导体处理 无效

    公开(公告)号：CN103681399A

    公开(公告)日：2014-03-26

    申请号：CN201310384327.9

    申请日：2013-08-27

    申请人： 意法半导体公司

    发明人： J·H·张

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/321

    CPC分类号： B24B7/228 ,  B24B37/005 ,  B24B49/04 ,  B24B49/105

    摘要： 一种半导体处理设备及其操作方法。该方法可以包括测量半导体晶片的至少一个性质并且基于至少一个性质确定用于处理半导体晶片的处理方法。可以基于确定的处理方法使用多个化学机械抛光(CMP)模块处理半导体晶片，其中处理方法包括用于由多个CMP模块中的每个CMP模块使用的至少一个参数的值。测量可以由内建度量设备原位进行。处理方法和与处理方法关联的各种参数可以由半导体处理设备的控制器确定。

    一种硅片边缘膜厚测量方法
    9.
    发明公开
    一种硅片边缘膜厚测量方法 有权 转让 质押

    公开(公告)号：CN102049732A

    公开(公告)日：2011-05-11

    申请号：CN201010266786.3

    申请日：2010-08-30

    申请人： 清华大学

    发明人： 路新春 ,  沈攀 ,  何永勇

    IPC分类号： B24B49/04 ,  B24B49/10

    CPC分类号： G01B7/06 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  G01B7/105 ,  G06F17/10

    摘要： 一种硅片边缘膜厚测量方法属于化学机械抛光膜厚测量技术领域。通过本发明中的数学模型可以对边缘膜厚测量曲线进行修正，使其尽可能与真实边缘膜厚曲线一致，使用本发明后测量得到的边缘膜厚值可作为真实边缘膜厚值。本发明解决了电涡流测量硅片膜厚存在的所测边缘膜厚失真的问题，优点在于不用改变硬件设施，只需对数学模型进行修改；使用时，仅需进行简单的离线标定，不会影响化学机械抛光的产量。