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公开(公告)号：CN109890857A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780067383.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F220/18 , C08F297/02 , C08F220/22 , C08F220/38 , C08J5/22 , H01L21/027 , H01L21/311 , G03F1/00
Abstract: 本申请可以提供嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物具有优异的自组装特性或相分离特性，其也可以被自由地赋予所需要的各种功能。
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公开(公告)号：CN105899556B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201480072759.9
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/14 , C08F212/12 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F216/12 , C08L55/00 , C08J5/00 , C08J7/04
Abstract: 本发明涉及单体、用于制备嵌段共聚物的方法、嵌段共聚物及其用途。本发明的单体可形成嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有优异的自组装特性并且必要时任选地向其提供多种所需的功能。
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公开(公告)号：CN105934455B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201480074045.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F216/12 , C08L55/00 , C08J5/00 , C08J7/04
Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性，并且可具有必要时向其提供的多种所需功能。
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公开(公告)号：CN105934454B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201480074044.7
申请日：2014-12-09
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/08 , C08F220/10 , C08L83/00 , C08J5/18
Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物及其用途。本发明可以提供具有优异的自组装特性并因此可以有效应用于多种用途的嵌段共聚物及其用途。
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公开(公告)号：CN105593256B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201480054102.X
申请日：2014-09-01
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F293/00 , C08F220/10 , C08J5/18 , C09J7/38
CPC classification number: C08F293/00 , C08F220/18 , C08F293/005 , C08F2438/01 , C08J5/18 , C08J2353/00 , C09D153/00 , C09J7/24 , C09J153/00 , C09J153/005 , C09J2201/606 , C09J2433/006 , C09J2453/00
Abstract: 本申请涉及嵌段共聚物、用于制备所述嵌段共聚物的方法、树脂组合物和膜。根据本发明的嵌段共聚物，在不增加硬链段的玻璃化转变温度的情况下，通过增加硬链段周围的化学交联密度，即使在苛刻的高温条件下也可以抑制硬链段的完全分离，并因此可以保持高温耐久性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107849202A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680039982.2
申请日：2016-06-07
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/08 , C08F220/10 , C08L53/00 , B32B27/30 , G03F7/00
Abstract: 本申请涉及中性层组合物。本申请可以提供能够形成中性层的中性层组合物，所述中性层可以有效地应用于包含垂直排列的自组装嵌段共聚物的聚合物膜的形成。
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公开(公告)号：CN107258009A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201680010555.1
申请日：2016-02-02
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种用于对彼此具有不同耐蚀刻性的自组装嵌段共聚物薄膜使用湿法蚀刻工艺选择性除去一侧上的嵌段的工艺。通过克服现有技术的不能通过湿法蚀刻实现垂直孔结构的限制，即使在具有垂直取向的柱体自组装结构且具有一个或更多个周期的厚膜的情况下，本发明也可以形成具有高长径比的垂直纳米孔结构。
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公开(公告)号：CN107078026A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059699.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/027 , C08F299/00 , C08F297/00 , C08F212/14 , C08F212/08 , C08F216/12
Abstract: 本申请提供了制造图案化基底的方法。该方法可以应用于制造装置如电子器件或集成电路的过程，或者应用于其他用途例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头或有机发光二极管；并且该方法可用于在用来制造离散磁道介质如集成电路、位元图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的表面上构造图案。
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公开(公告)号：CN107075051A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059573.4
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F293/00 , C08F299/00 , C08F297/00 , C08F212/08 , C08F220/10 , G03F7/00 , C08J5/18 , C08L53/00
Abstract: 本申请提供了嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物表现出优异的自组装特性或相分离特性，可以没有限制地提供多种所需功能，并且特别是可以确保蚀刻选择性，使得所述嵌段共聚物可有效地用于诸如图案形成的用途。
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公开(公告)号：CN105934455A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201480074045.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F216/12 , C08L55/00 , C08J5/00 , C08J7/04
CPC classification number: C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1804 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性，并且可具有必要时向其提供的多种所需功能。
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