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    MEMS器件的制造方法
    2.
    发明授权
    MEMS器件的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103738914B

    公开(公告)日：2016-01-20

    申请号：CN201410010413.8

    申请日：2014-01-09

    申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

    发明人： 张振兴 ,  奚裴 ,  熊磊

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00428 ,  B81C1/00492 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877

    摘要： 本发明提供了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氮化钽层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上涂布光刻胶并对所述硬掩膜层进行第一次刻蚀，形成刻蚀窗口，所述刻蚀窗口下保留部分硬掩膜层；去除所述硬掩膜层上的光刻胶并对所述刻蚀窗口下的硬掩膜层和氮化钽层进行第二次刻蚀，形成沟槽。在本发明提供的MEMS器件的制造方法中，通过两次刻蚀形成沟槽，其中第一次刻蚀保留部分硬掩膜层用以隔离氮化钽层和光刻胶，第二次刻蚀通过硬掩膜层对氮化钽层进行刻蚀，从而避免了氮化钽层刻蚀过程中由于直接以光刻胶为掩膜层而产生的含钽类聚合物残留问题。