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公开(公告)号：CN105094207A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510585502.X
申请日：2015-09-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管，消除体效应的影响，采用MOS的栅源电压具有负温度系数与MOS管的栅源电压差具有正温度系数相互调节的方法，得到一个零温漂的参考电压。
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公开(公告)号：CN115525092B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202211304089.1
申请日：2022-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本发明输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。
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公开(公告)号：CN112117977B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202011093608.5
申请日：2020-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合，通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路，使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压，相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联，通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值，并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。
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公开(公告)号：CN111756333B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202010744303.X
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高低频增益可调的模拟均衡器，由2个有源负载网络、3个均衡电路和1个有源反馈电路组成；2个有源负载网络包括第一有源负载网络和第二有源负载网络；3个均衡电路包括第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和低频粗调均衡电路。第一低频细调均衡电路和第二低频细调均衡电路的输入端形成本模拟均衡器的输入端。第一有源负载网络、第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和有源反馈电路的输出端与低频粗调均衡电路的输入端连接；第二有源负载网络的输出端、低频粗调均衡电路的输出端和有源反馈电路的输入端形成本模拟均衡器的输出端。本发明能够提升整体均衡能力，增加了低频细调的可调范围，降低版图面积。
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公开(公告)号：CN112671407B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011495280.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/12 , H03M1/06 , H03M1/10 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112968680B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110342556.9
申请日：2021-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其包括输入阻抗匹配网络、放大级、差分输出级和负载级。与传统独立通道的双频低噪声放大器相比，本发明共用了带源极负反馈共栅放大器，提高了电路的功率增益，同时在芯片的面积、成本以及电路利用率也有明显的提高。与传统独立通道的双频低噪声放大器相比，本发明采用开关控制偏置电压的关断，设计难度变低，设计的灵活性变强，使电路在各个频段上得到良好的噪声性能和阻抗匹配效果。本发明通过开关控制对频段通路的选择，有效的降低了系统的功耗。
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公开(公告)号：CN111711452B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010706810.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开一种有源‑无源噪声整形逐次逼近ADC，包括DAC电容阵列DAC1和DAC2、有源‑无源噪声整形模块(包括无源积分器PINT1和正反馈有源‑无源积分器APINT2)、六输入比较器COMP、逐次逼近逻辑模块SAR、时钟生成模块CKG、基准电压生成模块BGVG。本发明在有源‑无源噪声整形模块中使用最简单的MOS晶体管共源级结构，使低增益有源放大器和正反馈相结合，仅消耗几十微瓦便可获得良好的噪声整形特性，能在传统逐次逼近ADC基础上提升有效位数超过5位。该发明可用于低功耗、高精度的模数转换场景，例如生物医学信号采集，高精度仪表设计等领域，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110212873B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910620696.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种应用于可穿戴干电极心电监测的低噪声高输入阻抗放大器。放大器电路采用新颖的斩波稳定技术降低了电路的闪烁噪声，能够有效地对超低频的心电信号进行放大；同时采用了采样输入结构，保证了在使用斩波稳定技术的同时不降低放大器的输入阻抗，能够有效地从高阻的干电极获取心电信号，有利于可穿戴干电极心电检查的应用；采用了数字模拟混合调节的电极失调抑制电路，在提供了±300mV的电极失调抑制能力的同时不增加总体电路的噪声；采用快速恢复电路，提高了电极失调抑制环路的恢复时间，有利于全天候连续心电检测的应用，为物联网+医疗提供了很好的解决方案。
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公开(公告)号：CN116667852A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310251116.1
申请日：2023-03-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种动态元件匹配装置及方法，将NS SAR ADC当前周期的输出信号与当前周期的移位指针相加，进行触发延迟后对译码后的NS SAR ADC下一周的输出信号进行移位，再对DAC电容阵列进行逻辑选择，使得在每个周期，移位指针均蕴含有NS SAR ADC上一周期的输出信号的信息，利用该移位指针对本周期的数字译码信号进行移位，进而选择取本周期DAC电容阵列中各个权重位的电容，经多个周期的修改变动后，DAC电容阵列的失配误差被有效地整形，大大提高电容动态匹配的性能；在对DAC电容阵列进行逻辑选择方面，结构简单的输出译码单元代替结构复杂的二进制转温度计码器实现权重位轮换，无需为每个电容设置1个缓冲模块，避免硬件结构复杂度呈指数增长的，大大降低硬件成本。
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