铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN102522434A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110422208.9

    申请日:2011-12-15

    发明人: 尹苓 肖旭东

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜光伏电池装置包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及栅电极,其中,所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。近乎透明的石墨烯薄膜作为CIGS薄膜光伏电池装置的栅电极,最显著的优势是透光,单层石墨烯只吸收2.3%的光,相较之传统使用的Ni/Al栅极完全不透光,该光伏电池装置的有效受光面积增加,短路电流升高,电池效率也升高。

    薄膜太阳能电池模组及其制备方法

    公开(公告)号:CN104124288B

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201410286153.7

    申请日:2014-06-23

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池模组及其制备方法。其背电极层被多个第一条形槽分割,所述薄膜太阳能电池模组上还开设有多个第二条形槽,光吸收层、缓冲层、高阻层及透明导电层被所述第二条形槽分割,并使部分所述背电极层裸露;所述第一条形槽和第二条形槽将所述薄膜太阳能电池模组分隔成多个太阳能单元电池;所述金属栅极位于所述透明导电层之上,多个所述金属栅极分别分布于多个所述太阳能单元电池上,以实现所述透明导电层与所述背电极层之间的电连接。上述薄膜太阳能电池模组通过金属栅极来收集光吸收层中的光生载流子,可以减小透明导电层的厚度,提高了薄膜太阳能电池模组的透光率。

    透明导电薄膜及其制备方法、磁控溅射装置

    公开(公告)号:CN103956199B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201410178755.0

    申请日:2014-04-28

    摘要: 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法和磁控溅射装置,透明导电薄膜的制备方法包括如下步骤:预备磁控溅射设备、靶材和衬底;所述靶材是掺杂有ZnF2的ZnO陶瓷靶材,ZnF2的质量占所述靶材的总质量的0.1%~1%;为衬底建立相对于靶材的、大小为60V~300V的负电势;以及通入工艺气体,开启磁控溅射,在衬底上沉积透明导电薄膜。这种透明导电薄膜的制备方法,在透明导电薄膜的沉积过程中,通过在衬底的背面设置相对于大地具有60V~300V的负电势的背电极,形成稳定的逆向电场,阻止高能O‑离子对已沉积薄膜的轰击。相对于传统透明导电薄膜的制备方法,这种透明导电薄膜的制备方法,可以制备得到质量较好的透明导电薄膜。

    硒化/硫化处理装置
    65.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103397305B

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201310339544.6

    申请日:2013-08-06

    IPC分类号: C23C14/58 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种硒化/硫化处理装置,包括反应炉、样片传送机构及离子生成器。反应炉内部开设有反应腔;样片传送机构用于放置并传送沉积有前驱体的样片,所述样片位于所述反应腔顶部;离子生成器设置于所述反应腔的底部,并与所述样片相对,所述离子生成器包括收容壳及射频天线;收容壳上开设有收容槽,所述收容槽用于收容硒源或硫源;射频天线设置于所述收容壳外侧,所述射频天线与外部射频电源电连接,用于产生射频电场以将硒源或硫源电离为硒离子或硫离子。上述硒化/硫化处理装置通过射频天线产生射频电场,以将硒源或硫源电离生成高活性的硒离子或硫离子,提高了硒化或者硫化的质量,制得的太阳能电池吸收层质量较好,进而提高了太阳能电池的转换效率。

    铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN102779891B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201110418886.8

    申请日:2011-12-15

    发明人: 尹苓 肖旭东 张康

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层,其中,背电极层为石墨烯薄膜。通过采用电学性能优异的石墨烯薄膜取代传统的Mo背电极,不仅能够节约Mo原料,而且由于电池的衬底和背电极透光,使得电池上下面都有光的吸收,进入电池中光通量增加,从而可以产生更多的电子空穴对,使得铜铟镓硒薄膜电池装置能够在相对较薄的光吸收层下仍保持很高的光电转换效率。此外,本发明还涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置的制备方法。

    薄膜太阳能电池组件的制备方法

    公开(公告)号:CN102983219B

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201210509086.1

    申请日:2012-12-03

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种薄膜太阳能电池组件的制备方法,包括如下步骤:在衬底上制备钼薄膜;对所述钼薄膜进行退火处理形成钼背电极,退火温度为400°C~580°C,退火时间为5~15分钟;及在所述钼背电极上依次制备铜铟镓硒或铜铟硒吸收层、缓冲层、窗口层及透明导电薄膜,形成所述薄膜太阳能电池组件。上述方法中,通过退火处理,将钼薄膜加工成为同时具备良好附着力、抗腐蚀以及良好导电性的适用于薄膜太阳能电池组件背电极。并且通过此改进,提高了薄膜太阳能电池组件器件的工作效率。

    铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:CN102820345B

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201210282465.1

    申请日:2012-08-09

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 一种铜锌锡锗硒薄膜,包括依次层叠的入光层、中间层及背光层;所述入光层包括第一入光面及与所述第一入光面相对的第一背光面,所述入光层的材料中锗与锡的摩尔比值沿所述第一入光面到所述第一背光面的方向逐渐降低;所述中间层的材料与所述第一背光面处材料中锗与锡的摩尔比值相等;所述背光层包括与所述中间层相连的第二入光面及远离所述中间层的第二背光面,所述第一背光面通过所述中间层与所述第二入光面相连接,所述背光层的材料中锗与锡的摩尔比值沿所述第二入光面到所述第二背光面的方向逐渐升高。同时还提供了一种铜锌锡锗硒薄膜的制备方法及使用该铜锌锡锗硒薄膜的太阳能电池。

    热蒸发镀膜设备的热蒸发源

    公开(公告)号:CN102994958B

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201210544335.0

    申请日:2012-12-14

    IPC分类号: C23C14/24

    摘要: 一种热蒸发镀膜设备的热蒸发源,包括用于沉积薄膜的衬底、用于装载蒸发材料的坩埚,及用于加热所述坩埚的加热组件;所述坩埚上设有多个与所述衬底相对的喷嘴,所述多个喷嘴中的每两个相邻喷嘴之间的距离不全相等。采用非均匀分布的喷嘴排列方式,改变了每个喷嘴喷射到衬底平面上的位置,而衬底上的总的喷射材料是各个喷嘴喷射材料的叠加,从而改善蒸发镀膜的均匀性。

    玻璃基片装载装置及立式镀膜装置

    公开(公告)号:CN102912310B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201210327591.4

    申请日:2012-09-06

    IPC分类号: C23C14/50 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种玻璃基片装载装置,包括:与地面垂直设置的框架,框架上开设有用于收容玻璃基片的窗口,窗口的尺寸大于玻璃基片的尺寸;相互间隔设置的两个连接件,每一连接件的一端与框架位于所述窗口的顶部可转动相连,另一端与玻璃基片的顶部可转动相连,两个连接件的两个另一端的间距随着玻璃基片受热膨胀而伸长,且随着玻璃基片冷却收缩而缩小;及限位件,设于框架位于窗口的底部,限位件上开设有收容玻璃基片的底部的凹槽。当玻璃基片膨胀时,玻璃基片的横向间距会增大,两个连接件也会随之自然的张开,连接件之间的玻璃基片不会因为挤压而变形。本发明还提供一种应用了玻璃基片装载装置的立式镀膜装置。