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公开(公告)号:CN115663800A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211328593.5
申请日:2022-10-27
申请人: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种基于TLCC的台区拓扑关系识别方法、装置及计算机设备,所述方法包括:确定滞后搜索范围以及若干个监测模块的标记节点监测模块;在滞后搜索范围内对第二电压序列进行移动处理,得到移动后电压序列;利用移动后电压序列、第一电压序列中的单相电压序列进行相关性量化计算,得到相似度集合;基于相似度集合进行聚类处理,得到标记节点监测模块与电能表之间的拓扑关系。由此通过时间滞后互相关计算电压相似度的算法,可以有效地刻画不同时间序列之间的相似性,从而提高拓扑识别的准确率。
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公开(公告)号:CN115238735A
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202210729549.9
申请日:2022-06-24
申请人: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种异常点检测方法、装置及存储介质、电子设备,该方法包括:获取待测时间序列,对待测时间序列进行滑窗处理,得到多个子序列;计算每一子序列的偏度值,并根据偏度值确定对应子序列的基线和参数;根据基线和参数对对应子序列中的数据进行检测,得到每一子序列中的数据异常点;根据所有子序列中的数据异常点,得到待测时间序列的异常点检测结果。本发明的异常点检测方法,是基于滑窗和自适应的时间序列异常点检测方法,具有异常检测更合理,检测效率更高优点。
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公开(公告)号:CN114745293A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202210332204.X
申请日:2022-03-30
申请人: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC分类号: H04L43/04
摘要: 本发明公开了一种网络通信质量评估方法、装置、电子设备及存储介质,其中方法包括:确定网络通信的业务类型和各评估指标的指标值;获取与业务类型相对应的需求向量、权重基向量和需求指标映射矩阵,其中,需求向量用于指示用户对各通信需求的要求,权重基向量用于指示各通信需求的权重,需求指标映射矩阵用于指示各通信需求对应的评估指标;根据需求向量、权重基向量和需求指标映射矩阵获取各评估指标的权重;根据各评估指标的指标值和权重获取通信质量评估值。由此,可以准确反映当前业务类型下的网络通信质量,同时,从通信的需求出发,为权重分配提供了基准,减小权重计算过程中主观因素的影响,提高了通信评估结果的准确性。
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公开(公告)号:CN113541134A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110830038.1
申请日:2021-07-22
申请人: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC分类号: H02J3/00
摘要: 本发明公开了一种用于电气拓扑识别的方法、控制器及电力采集系统。电力采集系统包括变压器、分支节点和电能表,该方法包括:分别获取变压器、分支节点和电能表的参数值;确定变压器的参数值与分支节点的参数值之间的第一相关性;根据第一相关性确定变压器与分支节点的第一拓扑关系;根据第一拓扑关系确定分支节点中的末端分支节点;确定电能表的参数值与末端分支节点的参数值的第二相关性;根据第二相关性确定电能表与末端分支节点的第二拓扑关系;根据第一拓扑关系和第二拓扑关系确定电力采集系统的拓扑关系。本发明不需要复杂的参数,计算量较少,精度较高,从而使得拓扑识别的效率较高。
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公开(公告)号:CN118537290A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410432871.4
申请日:2024-04-08
申请人: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
摘要: 本申请公开了一种AOI检测系统及AOI检测方法,系统包括与各产线一一对应的AOI设备、与各AOI设备一一对应的AOI辅助检测设备;AOI设备,用于获取产线上的待测产品的图像,根据待测产品的图像对待测产品进行AOI初判,确定待测产品是否合格;AOI辅助检测设备,用于获取不合格的待测产品的图像,利用预先训练得到的检测模型对不合格的待测产品的图像进行AOI复判,得到不合格的待测产品的复判结果。本申请公开的技术方案,通过设置与各AOI设备一一对应的AOI辅助检测设备,由AOI辅助检测设备对AOI设备初判不合格的待测产品进行二次判定,以降低人工复判的工作量,提高待测产品的复判效率和复判准确性。
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公开(公告)号:CN117936532B
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410320550.5
申请日:2024-03-19
申请人: 深圳智芯微电子科技有限公司 , 深圳市国电科技通信有限公司
IPC分类号: H01L25/18 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/60 , H01L29/778 , H01L29/78
摘要: 本申请公开了一种级联型GaN HEMT封装结构及其制备方法,封装结构包括:包含有框架引脚的框架;倒装设置在框架上且为横向结构的GaN HEMT及Si MOSFET;金属层,用于将GaN HEMT与Si MOSFET级联以形成级联型GaN HEMT器件,并将级联型GaN HEMT器件的器件引脚与框架引脚相连;塑封料。本申请公开的技术方案,将横向结构的Si MOSFET及GaN HEMT倒装以缩短散热路径,并利用金属层进行GaN HEMT与Si MOSFET的级联及进行级联型GaN HEMT器件的器件引脚与框架引脚的互连来增加接触面积,从而增强封装结构的散热能力,并降低封装杂散电感和封装电阻。
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公开(公告)号:CN118196044A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410342414.6
申请日:2024-03-22
申请人: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
摘要: 本说明书实施方式提供了一种电路板锡膏缺陷检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:获取待检测电路板的目标图像和对应的模板图像;基于同一图像分割模型对目标图像和模板图像进行分割,得到目标分割图像和模板分割图像;在目标分割图像的锡膏区域与模板分割图像的锡膏区域相匹配的情况下,从目标图像获取目标锡膏区域掩膜图像,以及从模板图像获取模板锡膏区域掩膜图像;将目标锡膏区域掩膜图像和模板锡膏区域掩膜图像进行LAB颜色空间转换,获取多个目标LAB颜色空间值和多个模板LAB颜色空间值;基于多个目标LAB颜色空间值和多个模板LAB颜色空间值,确定电路板是否存在引脚区域虚焊缺陷。如此,可以降低电路板锡膏缺陷的检测成本。
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公开(公告)号:CN118196006A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410183780.1
申请日:2024-02-19
申请人: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种电路板元件检测方法、装置、设备、芯片及可读存储介质,该方法包括:获取待检测位置图像以及待检测元件的模板图像;确定待检测位置图像和模板图像在主体区域的主体匹配数据以及在背景区域的背景匹配数据;基于主体匹配数据和背景匹配数据确定待检测元件的检测结果。由此通过利用背景区域的匹配数据来辅助判定元件的检测结果,可以有效提高检测准确度。
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公开(公告)号:CN118158029A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202211557717.7
申请日:2022-12-06
申请人: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
摘要: 本申请公开了一种信道估计方法,基于HRF通信系统的物理层服务数据单元帧,包括根据预设通信模式,确定全导频点信道估计符号;根据物理块头的符号个数以及全导频点信道估计符号,确定第一全频带信道估计结果;根据物理层服务数据单元的符号个数以及第一全频带信道估计结果,确定第二全频带信道估计结果,以实现对HRF通信系统的综合信道估计。如此,本申请能够通过根据物理块头的符号以及物理层服务数据单元的符号执行的两次估计确定全频带信道估计结果,避免了背景技术中提到的针对不同符号点位数量会出现的取舍两难的状况,有效提高了信道估计结果的稳定性与处理效率。
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公开(公告)号:CN117936532A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202410320550.5
申请日:2024-03-19
申请人: 深圳智芯微电子科技有限公司 , 深圳市国电科技通信有限公司
IPC分类号: H01L25/18 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/60 , H01L29/778 , H01L29/78
摘要: 本申请公开了一种级联型GaN HEMT封装结构及其制备方法,封装结构包括:包含有框架引脚的框架;倒装设置在框架上且为横向结构的GaN HEMT及Si MOSFET;金属层,用于将GaN HEMT与Si MOSFET级联以形成级联型GaN HEMT器件,并将级联型GaN HEMT器件的器件引脚与框架引脚相连;塑封料。本申请公开的技术方案,将横向结构的Si MOSFET及GaN HEMT倒装以缩短散热路径,并利用金属层进行GaN HEMT与Si MOSFET的级联及进行级联型GaN HEMT器件的器件引脚与框架引脚的互连来增加接触面积,从而增强封装结构的散热能力,并降低封装杂散电感和封装电阻。
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