一种用于原位中子衍射的高温高压加载装置

    公开(公告)号:CN110926959B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201911230653.8

    申请日:2019-12-04

    申请人: 四川大学

    IPC分类号: G01N3/18 G01N23/20

    摘要: 本发明提供一种用于原位中子衍射的高温高压加载装置,包括压砧组件,所述压砧组件包括砧面相对的上压砧、下压砧,所述上压砧、下压砧的砧面分别相对于上压砧、下压砧轴向向内凹陷形成上砧面、下砧面,还包括封垫组件和密封组件;其中,封垫组件设置于两个压砧之间,封垫组件内部设置样品腔,所述密封组件包括从上向下依次环套设于封垫组件外部的上密封环、绝缘环、下密封环。

    一种用于原位中子衍射的2-8型高压加载装置

    公开(公告)号:CN109975338B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN201910256622.3

    申请日:2019-04-01

    申请人: 四川大学

    IPC分类号: G01N23/20008 G01N23/207

    摘要: 本发明公开了一种基于6‑8型增压原理的用于原位中子衍射的2‑8型高压加载装置,所述的导向块上设置带导向面的凹槽,两个相对的导向块凹槽内放置二级增压单元,二级增压单元是由八个二级压砧、十二条密封边和一个八面体传压介质组成的。所述的导向块边缘设置4个T型孔,用螺母对装置固定和预紧,防止装置放上加压平台时,上下导向块和二级增压单元之间的滑动,影响实验的对中性。本发明能够产生高温高压样品环境并利用中子衍射进行原位观测。并对传压介质内样品处压力进行标定,所产生的高压约5GPa。

    一种基于单轴加载的二级增压装置

    公开(公告)号:CN107144586B

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201710341551.8

    申请日:2017-05-16

    申请人: 四川大学

    发明人: 贺端威 刘方明

    IPC分类号: G01N23/20008

    摘要: 本发明提了用于原位中子衍射实验的一种基于单轴加载式的二级增压装置,包括砧面相对的两个一级压砧,位于两个一级压砧砧面之间的封垫,在所述封垫内位于两个一级压砧相对砧面的部分打孔作为一级压腔,一级压腔内设有二级增压环,二级增压环的外壁与一级压腔的内壁相契合,其外径小于或等于一级压腔的内径,在二级增压环的上下开口分别设直径与二级增压环内径相等或略小的二级增压片,二级增压环和二级增压片围成的空间成为装放样品的二级样品腔,实验装样后两个二级增压片都分或全部嵌于二级增压环中,解决了打在封垫上的样品腔因为样品的横向挤压而扩大的问题,还解决了在原位中子衍射实验过程中样品随着压力增加而变薄的问题。

    一种用于原位中子衍射的2-8型高压加载装置

    公开(公告)号:CN109975338A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910256622.3

    申请日:2019-04-01

    申请人: 四川大学

    IPC分类号: G01N23/20008 G01N23/207

    摘要: 本发明公开了一种基于6‑8型增压原理的用于原位中子衍射的2‑8型高压加载装置,所述的导向块上设置带导向面的凹槽,两个相对的导向块凹槽内放置二级增压单元,二级增压单元是由八个二级压砧、十二条密封边和一个八面体传压介质组成的。所述的导向块边缘设置4个T型孔,用螺母对装置固定和预紧,防止装置放上加压平台时,上下导向块和二级增压单元之间的滑动,影响实验的对中性。本发明能够产生高温高压样品环境并利用中子衍射进行原位观测。并对传压介质内样品处压力进行标定,所产生的高压约5GPa。

    一种高纯聚晶金刚石的制备方法

    公开(公告)号:CN106518077A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610909641.8

    申请日:2016-10-19

    申请人: 四川大学

    摘要: 本发明涉及一种高纯聚晶金刚石的制备方法,属于超硬材料的合成领域。本发明的目的是提供一种高纯聚晶金刚石的制备方法,将金刚石或金刚石与非金刚石碳的混合物等原材料经过真空表面净化与高熔点包裹材料预压封装后,在8~20GPa,1200~3000℃条件下直接烧结合成高纯聚晶金刚石。本发明所述方法中作为原材料的金刚石的粒度为5纳米~100微米,金刚石在原材料中含量为20wt%以上,所述非金刚石碳成分可以是石墨、非晶石墨、石墨烯、富勒烯、C60、玻璃碳、非晶碳、碳纳米管中的一种或几种,通过对原料不同粒度与比例的调节,可以根据需求调整合成的聚晶金刚石的硬度、耐热性、耐磨性、抗冲击强度等性能,从而满足工业化大批量生产的需求。

    八面体压腔静高压装置的二级压砧与二级增压单元

    公开(公告)号:CN103446946B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201310356218.6

    申请日:2013-08-15

    申请人: 四川大学

    发明人: 王文丹 贺端威

    IPC分类号: B01J3/06

    摘要: 一种八面体压腔静高压装置的二级压砧,砧体为正方体,砧面为在正方体砧体上切去一角形成的正三角形面,环绕所述砧面设置了至少一圈外环面,同一圈的外环面均由三个形状相同、尺寸相同的梯形斜面组成,所述三个梯形斜面的底边围成一个正三角形。一种八面体压腔静高压装置的二级增压单元,由八个上述二级压砧、预密封条和八面体传压介质组成,实验表明,本发明所述二级压砧组成的二级增压单元与现有二级增压单元相比,在运行中放炮几率明显降低,并提高了八面体压腔腔体能达到的最高压强。

    一种产生超高压的聚晶金刚石-碳化钨硬质合金复合顶锤

    公开(公告)号:CN102671578A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210149626.X

    申请日:2012-05-15

    申请人: 四川大学

    IPC分类号: B01J3/06

    摘要: 本发明公开了一种产生超高压的聚晶金刚石-碳化钨硬质合金复合顶锤,其特点是该顶锤的上层为聚晶金刚石层(1),下层为碳化钨硬质合金层(2),在顶锤的聚晶金刚石层(1)的一个顶角处倒角,倒角截面为顶锤的作用面(3),顶锤作用面(3)为正三角形,该种顶锤与现在应用的顶锤相比,具有成本低、容易加工、压强产生效率高等优点,采用此种顶锤可产生50GPa以上的压强。

    海底天然气水合物开采装置及其开采方法

    公开(公告)号:CN101555797B

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN200910059321.8

    申请日:2009-05-19

    申请人: 四川大学

    IPC分类号: E21C50/00 E21B43/00 E21B44/00

    CPC分类号: E21B2043/0115

    摘要: 本发明公开了一种海底天然气水合物开采装置及其开采方法,其特点是该装置由空心刚体(2)直接与海底(10)的天然气水合物层(9)连通;或者空心刚体通过泥沙层(8)或不渗透层(11)与海底(10)的天然气水合物层连通;空心刚体内的一侧设有水泵(4)和测试监控装置(5),水泵通过导管与海平面(7)上的排水管口(3)连接,测试监控装置与摄像系统和测压系统连接,空心刚体内的上端设气体收集管口(1)。开采方法包括以下步骤:1)在海上建一个与海水分离的空心刚体,空心刚体与海底天然天水合物层连通;2)通过水泵向空心刚体外排水降低空心刚体内的水面高度,使天然天水合物层所受的压力减小,当天然气水合物层受到的压力小于其平衡压力时,天然气水合物就开始分解成天然气和水;3)分解后的天然气上逸,从气体收集管口排出、收集。

    用于产生超高压的装置
    69.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100486684C

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200710048839.2

    申请日:2007-04-10

    申请人: 四川大学

    IPC分类号: B01J3/06

    摘要: 一种用于产生超高压的新型装置,包括由六面顶压机同步驱动的六个顶锤(4)、八个切去一角的正方体(6)组成的增压单元(1)和用于内装合成原料的八面体合成块(8),其中,增压单元(1)置入与之相匹配的由六个顶锤(4)合围而成的六面体高压腔(9)内,八面体合成块(8)置入与之相匹配的由正方体(6)合围而成的八面体高压腔(5)内,组成增压单元的八个正方体(6)之间填充有硬度小于切角正方体的可形变支撑物。本发明与现有技术的基于二面顶构架的二级六—八面体静高压装置相比,具有结构简单、压强转换率高、造价低、运行能量消耗少、维修工作量少等优点。

    块状不裂透明纳米陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN101186510A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200710050752.9

    申请日:2007-12-12

    申请人: 四川大学

    摘要: 一种块状不裂透明纳米陶瓷的制备方法,包括粉体真空热处理、粉体成型和高压烧结三个步骤,其中粉体真空热处理的工艺为:在真空度不低于10-2Pa的真空环境下、以5~20℃/分升温速率升温至500~1300℃保温0.5~5小时,然后冷却至室温;粉体成型工艺为:将粉体在常温、5~20MPa压力下干压成型;高压烧结工艺为:在压力1~6GPa、温度500~900℃烧结,保温时间至少为5分钟。此方法既可在两面顶压机上制备出块状不裂透明纳米陶瓷,也可在六面顶压机上制备出块状不裂透明纳米陶瓷。