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公开(公告)号：CN108190960A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810063026.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，电解液为溶剂，在高纯氩气的保护下，将电解液中锂离子嵌入到MoS2层之间，通过离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，充分利用锂离子嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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公开(公告)号：CN108130791A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201810061262.7
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于一维碳材料的柔性纤维荧光纸的制备方法，先对一维碳材料进行简单的处理，形成具有亲水性基团的一维碳材料，随后将一定量的PVP包覆的硒化镉量子点溶液其分散在其中，最后抽滤、真空烘箱低温干燥即可得到可以发出各种荧光的柔性纤维荧光纸。由于这种对量子点直接进行PVP包覆，然后负载在一维碳材料上，所以这种荧光纸机械强度较高，并且具有较高的发光性能。由于这种光致发光的性能相比于传统的反光类材料有较广的警示视角，可以应用特殊服饰、指示和警示领域，并取代反光类的贴纸材料。由于这种材料是荧光纸形式，使用方便而且可视角大，因此在交警服饰上、交通指示牌、危险警示牌等方面有广泛应用。
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公开(公告)号：CN107863446A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711108575.5
申请日：2017-11-11
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5237 , H01L51/5256 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种OLED器件结构及制备方法，该OLED器件结构包括一基板；一第一水氧阻隔层，设置于基板上方，由具有高低折射率的两种薄膜的堆叠，一方面用于增加OLED发射光的出光效率，另一方面作为封装层，用于阻隔水汽和氧气；一OLED单元，设于第一水氧阻隔层上方；一第二水氧阻隔层，设于OLED单元上方，由具有高低折射率的两种薄膜的堆叠，一方面用于反射OLED光，另一方面作为封装层，用于阻隔水汽和氧气。与现有技术相比，本发明虽然结构复杂，但操作简单、材料易购买、效果显著，能有效提高OLED器件的寿命和光提取效率。
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公开(公告)号：CN107797333A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711256429.7
申请日：2017-12-04
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/1335 , G02F1/133526 , G02F1/133617
Abstract: 本发明涉及一种适用于多基色和超高分辨率的量子点彩膜结构。黑矩阵障壁通过光刻或印刷于玻璃基板上表面，量子点浆料填充于所述黑矩阵障壁对应颜色子像素区域中，封装层用于将量子点浆料封装固化于黑矩阵障壁对应颜色子像素区域中，防蓝光膜层、调光膜层从下到上依次设置于所述封装层上；利用蓝光去激发所述黑矩阵障壁对应颜色子像素区域的量子点，发出相应颜色的单色光，并通过所述防蓝光膜层、调光膜层提高所述黑矩阵障壁对应颜色子像素区域出光颜色的纯度，减少窜扰，且对透射出的光线起到正面矫直出射的作用，有效提高正面出光亮度。本发明结构能够克服蓝光激发量子点发光的过程当中色彩转换率不佳导致色纯度降低和光利用率下降的问题。
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公开(公告)号：CN104900709B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510302257.7
申请日：2015-06-04
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种高性能底栅型TFT器件结构及其制备方法。所述高性能底栅型TFT器件结构包括基板，栅电极，栅电极绝缘层，具有图案化表面的半导体有源层，源电极，漏电极，所述图案化半导体有源层指采用压印、光刻、刻蚀、激光加工等方法，在半导体有源层的上表面全部或部分区域制作一些各向同性或各向异性形状的图案，使得半导体有源层上表面起伏图案。该结构TFT一方面增加源、漏极与半导体层的接触面积，另一方面减少载流子流动所需经过的低导电性区域厚度，既可以提高开启电流，又增大其开关比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106835062A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710045303.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C23C14/5846 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2217/289 , C03C2218/152 , C03C2218/17 , C03C2218/32 , C23C14/5813 , C23C14/5866
Abstract: 本发明涉及一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，包括以下步骤：（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单易行，不仅制备的速度快，而且制备的环境相对容易满足要求，在常温常压的隔氧保护环境下就可进行。
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公开(公告)号：CN104409690B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410237597.1
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/139
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法。这种方法主要是分别以钛酸锂、聚酰亚胺、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水，再利用3D打印技术，制备出以钛酸锂为阳极材料，聚酰亚胺为隔膜，磷酸铁锂为阴极材料的叠层垂直交叉电极结构。本发明主要基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法，具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、阴阳极电极间距小等优势。这些都将极大提高了锂离子在电极之间的扩散速度，进而提高了其离子及电子电导率，在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104882541A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510281075.6
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0003 , H01L51/0032 , H01L51/0566 , H01L51/107
Abstract: 本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，作为相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN104409728A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237602.9
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/58
CPC classification number: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法。这种方法主要是分别以锡碳纳米材料、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水，再用3D打印技术打印出以锡碳材料为阳极，磷酸铁锂材料为阴极的电极结构，最后将所制备的电极转移到充满氩气的手套箱中完成对3D复合电极锂离子电池的封装。本发明主要基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法，具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、导电性能良好等优势。在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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