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    一种球层状硫化锑薄膜制备方法
    2.
    发明公开
    一种球层状硫化锑薄膜制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104402049A

    公开(公告)日：2015-03-11

    申请号：CN201410616579.4

    申请日：2014-11-06

    申请人： 唐山学院

    发明人： 刘剑

    IPC分类号： C01G30/00

    CPC分类号： C03C17/006 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/288 ,  C03C2217/42

    摘要： 本发明涉及一种球层状硫化锑薄膜制备方法，属于液相沉积制备功能材料技术领域。技术方案：首先将分析纯0.003molNa2S2O3·5H2O溶解于去离子水中，将分析纯0.002molSbC13·2H2O溶解于浓HCl中，混合两种溶液并定容至100ml，磁力搅拌溶液5min，滴加氨水调解前驱液不同pH值；然后将蒸馏水、丙酮、无水乙醇中超声清洗30min、piranha溶液浸泡处理、氮气吹干的玻璃基片置于薄膜前驱液中进行沉积；最后将不同沉积时间和不同沉积温度制备的薄膜在一定温度条件下进行2h热处理，最终得到球层状硫化锑薄膜。本发明采用液相沉积技术可以在玻璃基板上制备出层球状的硫化锑薄膜，而且制备设备价格低廉、制备环境常温常压、制备工艺流程简单。

    一种用氯化物制备铜铁硫光电薄膜的方法
    5.
    发明公开
    一种用氯化物制备铜铁硫光电薄膜的方法 无效

    公开(公告)号：CN108807561A

    公开(公告)日：2018-11-13

    申请号：CN201810704339.8

    申请日：2018-07-01

    申请人： 山东建筑大学

    发明人： 刘科高 ,  徐勇 ,  荆明星 ,  姬明 ,  石磊

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  C03C17/22 ,  C23C18/12

    CPC分类号： H01L31/02168 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/288 ,  C03C2218/116 ,  C23C18/1204

    摘要： 一种用氯化物制备铜铁硫光电薄膜的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将CuCl2.2H2O、FeCl3.6H2O和Na2S2O3.5H2O依次放入溶剂水中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铁硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铁硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铁硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种原位电极二硫化钼的溶剂热制备方法
    7.
    发明公开
    一种原位电极二硫化钼的溶剂热制备方法 无效

    公开(公告)号：CN105731820A

    公开(公告)日：2016-07-06

    申请号：CN201610002369.5

    申请日：2016-01-01

    申请人： 三峡大学

    发明人： 黄妞 ,  孙小华 ,  孙盼盼 ,  李文静 ,  项长华

    IPC分类号： C03C17/22

    CPC分类号： C03C17/22 ,  C03C2217/288 ,  C03C2218/111

    摘要： 本发明公开了一种原位电极二硫化钼的溶剂热制备方法，具体是将含钼的盐（如钼酸钠等）溶于含硫源（如硫脲）的醇溶液，加入基底材料后装入水热釜中，在180~230℃溶剂热6~24 h；将基底取出清洗干燥即可，若要进一步提高二硫化钼的结晶性，可于N2气氛中500℃中退火1 h。本发明制备的原位二硫化钼电极，具有较高的透明度、极高的均匀性和与基底的附着力。利用本发明所制备的二硫化钼电极组装染料敏化太阳能电池，其光电转化效率高于利用传统高电催化活性的热解Pt电极所组成的电池，这说明了本发明所制备的二硫化钼电极具有极佳的电催化活性。

    片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法
    10.
    发明公开
    片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN108689611A

    公开(公告)日：2018-10-23

    申请号：CN201810554306.X

    申请日：2018-06-01

    申请人： 上海大学

    发明人： 曹萌 ,  别佳瑛 ,  尚艺 ,  靖佳贺 ,  吴创生 ,  尧科峰 ,  沈悦 ,  王林军

    IPC分类号： C03C17/34

    CPC分类号： C03C17/3464 ,  C03C17/3476 ,  C03C2217/288 ,  C03C2217/289 ,  C03C2218/111

    摘要： 本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法，该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中，调节溶液pH=0.2‑1.0，将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中，将溶液放入到恒温磁力搅拌器中，在80‑90℃反应0.5‑2小时，将FTO取出，得到SnS纳米片薄膜，洗净、烘干；之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中，在180℃反应10‑12h，反应物冷却，洗净、烘干；通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单，所用前躯体材料成本低廉，制备的薄膜呈片状颗粒，且分布均匀，有利于提高其光电特性。