公开(公告)号：CN104681632A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510136966.2

申请日：2015-03-26

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王武 ,  邱海军 ,  尚飞 ,  王国磊

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41733

摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件。所述薄膜晶体管的有源层与源电极、漏电极之间的间隙对应的第一区域包括金属氧化物半导体层和设置在所述金属氧化物半导体层上的硅半导体层，源电极和漏电极直接搭接在所述有源层上。在刻蚀所述第一区域对应的源漏金属层形成源电极和漏电极时，所述硅半导体层能够保护所述第一区域的金属氧化物半导体层不被刻蚀。并通过一次构图工艺同时形成所述有源层的硅半导体层与金属氧化物半导体层，不需要增加制作工艺，降低了生产成本，同时，源电极和漏电极直接搭接在有源层上，不需要制作过孔，提高了显示器件的开口率。

公开(公告)号：CN104409347A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410594803.4

申请日：2014-10-28

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王武 ,  邱海军 ,  尚飞 ,  王国磊

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L21/77 ,  H01L2021/775

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法，可以使得薄膜晶体管的沟道不受曝光机分辨率的限制，提高阵列基板的开口率。上述薄膜晶体管的制备方法中：该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；在第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；采用光刻工艺在衬底基板上形成第一电极层；在衬底基板上沉积金属形成第二金属层；在第二金属层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；对第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及第二电极层与第一电极层之间的沟道；剥离剩余的第二光刻胶层。

公开(公告)号：CN104391412A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410584222.2

申请日：2014-10-27

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王武 ,  邱海军 ,  尚飞 ,  王国磊

IPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78642 ,  H01L27/1222 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管开关及其制备方法、阵列基板、显示面板，薄膜晶体管开关包括栅电极、栅电极绝缘层、有源层、源漏电极以及绝缘层，源漏电极包括第一电极和第二电极，绝缘层位于第一电极和第二电极之间；栅电极、栅电极绝缘层、有源层沿与阵列基板厚度方向垂直的方向排列；第一电极、绝缘层、第二电极位于有源层背离栅电极绝缘层的一侧，第一电极、绝缘层、第二电极沿阵列基板的厚度方向排列、且第二电极位于第一电极背离阵列基板衬底基板的一侧。沿栅电极、栅电极绝缘层以及有源层排列方向，上述薄膜晶体管的栅电极绝缘层、有源层、第二电极的宽度不受曝光机分辨率的影响可以做的较小，便于提高像素单元的开口率。

公开(公告)号：CN104360558A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410743732.X

申请日：2014-12-08

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 汪锐 ,  尚飞 ,  王武 ,  李少茹

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/3276 ,  G02F1/136286 ,  H01L25/167 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/124

摘要： 本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，可解决现有技术中显示区域周边信号走线需要额外占据两侧非显示区域的问题，从而在该阵列基板应用于显示面板时，能够简化该显示面板显示区域两侧的边框。该阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上对应于所述阵列基板的显示区域中的信号线；所述阵列基板还包括：位于包括有所述信号线的图案层与所述衬底基板之间的信号线导线；所述信号线导线用于向所述信号线输入信号。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示面板的制备。

公开(公告)号：CN104332490A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410606296.1

申请日：2014-10-27

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王武 ,  邱海军 ,  尚飞 ,  王国磊

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/41733 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管，涉及场效应晶体管领域，该薄膜晶体管的宽长比较大，有利于提高开态电流。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极包括具有开口的环形，沿第一方向所述开口的宽度最大，且所述开口的最大宽度小于所述源极内环沿第一方向上任意两点的最大距离；所述漏极被所述环形包围，且与所述源极不接触；所述漏极与所述源极内环的间隔相同。用于薄膜晶体管、包含该薄膜晶体管的显示面板以及显示装置。

公开(公告)号：CN104282283A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410561541.1

申请日：2014-10-21

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 汪锐 ,  尚飞 ,  李少茹 ,  王武

IPC分类号： G09G3/36 ,  G11C19/28

CPC分类号： G09G3/3611 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/28

摘要： 本发明涉及一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置，所述移位寄存器单元包括上拉模块、输出模块和下拉模块，所述上拉模块用于导通输出模块，所述输出模块用于在导通时将第一时钟信号作为栅极驱动信号输出，所述下拉模块用于关闭所述上拉模块和/或输出模块，所述输出模块包括多个输出线路，每个输出线路上设有一个驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极与所述上拉模块连接，第一极用于输入第一时钟信号，第二极用于输出栅极驱动信号；至少一个输出线路上设有开关器件，用于使所述输出线路导通或关闭。上述移位寄存器单元可以避免栅极驱动信号的驱动能力不足或驱动能力较大，以及由此而因此的显示装置显示异常的问题。

公开(公告)号：CN108886042B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN201680001242.X

申请日：2016-11-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 许卓 ,  白雅杰 ,  王孝林 ,  汪锐 ,  尚飞 ,  邱海军

IPC分类号： H01L27/12

摘要： 本申请公开了阵列基板、显示面板和显示设备、及该阵列基板的制造方法。所述阵列基板包括：衬底基板；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极为选自像素电极和公共电极的两种不同电极；和薄膜晶体管，其包括有源层、位于有源层的远离衬底基板的一侧的刻蚀阻挡层、第一节点和第二节点。

公开(公告)号：CN108020967B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201610935519.8

申请日：2016-11-01

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 许卓 ,  白雅杰 ,  王小元 ,  汪锐 ,  金在光 ,  尚飞

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本文描述了一种阵列基板，所述阵列基板具有显示区和在显示区外围的非显示区，并且包括：提供有栅脉冲信号的多条栅线；提供有数据信号的多条数据线，其中所述多条数据线中的相邻的数据线上的信号具有相反的极性；电荷共享装置，其包括位于非显示区的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极连接到所述多条数据线中的两条相邻数据线中的一条，第二极连接到所述两条相邻数据线中的另一条，栅极被配置成在相邻数据帧之间的空白时间期间接收第一控制信号以使得所述第一薄膜晶体管导通。利用此，可以以低成本且简单的结构实现数据线在极性反转时的电荷共享，从而达到节约耗电量的效果。

公开(公告)号：CN107527588B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201711027474.5

申请日：2017-10-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 尚飞 ,  雷嗣军 ,  高亮 ,  李国豪 ,  龙永 ,  耿玉旭 ,  钱谦 ,  陆旭

IPC分类号： G09G3/20

摘要： 本发明公开了一种显示驱动电路、其驱动方法及显示装置，通过信号接收天线侦测差分数据传输线的杂讯耦合程度，并通过信号补偿控制器根据信号接收天线的耦合信号的电压值，向时序控制器和/或数据驱动芯片发送与耦合信号的电压值对应的校正信号，以便时序控制器根据接收到的校正信号，调整输出的差分数据信号的幅值，以及数据驱动芯片根据接收到的校正信号，调整对接收到的差分数据信号进行放大的增益倍率，从而减低差分数据传输线传输的差分数据信号耦合杂讯的程度，改善显示效果。

公开(公告)号：CN104409347B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410594803.4

申请日：2014-10-28

申请人： 重庆京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王武 ,  邱海军 ,  尚飞 ,  王国磊

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/77

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法和阵列基板的制备方法，可以使得薄膜晶体管的沟道不受曝光机分辨率的限制，提高阵列基板的开口率。上述薄膜晶体管的制备方法中：该薄膜晶体管中的第一电极层和第二电极层的制备步骤包括：在衬底基板上沉积金属形成第一金属层；在第一金属层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；采用光刻工艺在衬底基板上形成第一电极层；在衬底基板上沉积金属形成第二金属层；在第二金属层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光、显影处理，去掉除覆盖在第二电极对应的图案所在区域以外的第二光刻胶层；对第二金属层进行刻蚀，形成第二电极层以及第二电极层与第一电极层之间的沟道；剥离剩余的第二光刻胶层。