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公开(公告)号：CN118102840A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410502638.9
申请日：2024-04-25
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种低功耗高灵敏流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；在衬底表面依次沉积一层第一氧化硅支撑层、一层氮化硅支撑层和一层第二氧化硅支撑层；在第二氧化硅支撑层上沉积一层第一绝缘层；在第一绝缘层上制作上游测温元件热电堆、中心热源和下游测温元件热电堆；在上游测温元件热电堆、中心热源和下游测温元件热电堆上覆盖一层钝化层；利用光刻技术的掩膜结构，在芯片的正面采用四甲基氨基氢氧化物溶液进行湿法刻蚀，形成位于相邻上游测温元件热电堆之间以及相邻下游测温元件热电之间的正面释放隔离通孔；刻蚀出背面释放腔。本发明提高了测温元件对热量的敏感性并降低了芯片功耗。
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公开(公告)号：CN117644061B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410114600.4
申请日：2024-01-29
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司 , 无锡芯灵微电子有限公司
IPC分类号： B07C5/344 , B07C5/00 , B07C5/02 , B07C5/36 , B07C5/38 , G01N3/00 , G01N3/02 , G01B11/00 , G01R31/52
摘要： 本发明公开了基于机器视觉的压力传感器引脚焊接自动检测方法与装置，属于半导体技术领域，用于解决受压力传感器运输、检测装配和其他因素影响，以及缺乏对压力传感器检测内部和外部数据的采集，进而影响对同批次异常压力传感器的品控判别的技术问题；本发明包括进料架，进料架两端外壁上侧支撑架，侧支撑架内壁中部转动套接有下旋转检测架，本发明既能从检测前、检测中对压力传感器进行全程高效监管，即将采集数据与预设数据进行比对、分析，获得相关的评价信号，并据此控制相关部件进行分选，实现对焊接后的压力传感器进行筛分分流式输送，以便于后续根据检测结果对同批次同问题的压力传感器进行对应性再处理。
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公开(公告)号：CN117500356B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410005931.4
申请日：2024-01-03
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： H10N19/00 , H10N10/17 , H10N10/01 , B81B7/02 , B81B7/00 , B81C1/00 , G01N21/3504 , G01N21/3518
摘要： 本公开的实施例提供一种集成MEMS‑CMOS的气体传感器芯片及制备方法，包括：芯片包括芯片本体；芯片本体包括半导体结构层及集成于半导体结构层内的CMOS器件结构和MEMS器件结构；MEMS器件结构包括形成于半导体结构层的若干热电偶对，热电偶对包括冷端热电偶对和热端热电偶对；热端热电偶对设置于芯片本体中心热端处；冷端热电偶对一冷端热电偶作为正极与CMOS器件结构的漏极连接，冷端热电偶对另一冷端热电偶作为负极与CMOS器件结构的P+接触GND端连接；CMOS器件结构的栅极与外围电路的多路复选器连接；其中，利用导线层分别将负极和P+接触GND端连接，及将栅极与外围电路的多路复选器连接。
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公开(公告)号：CN117740708A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410005937.1
申请日：2024-01-03
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/3504 , H10N10/17 , B81B7/02 , B81C1/00
摘要： 本公开的实施例提供一种多种气体检测的阵列芯片及制备方法，包括：芯片包括硅透镜阵列结构、芯片本体和谐振腔式阵列结构；硅透镜阵列结构包括硅基底和若干滤光片；硅基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面形成有透镜阵列；硅基底的第二表面设置有滤光片；透镜与滤光片的位置对应设置；硅基底的第一表面与芯片本体上表面集成连接；其中，透镜与芯片本体的中心热端的位置相对应；谐振腔式阵列结构设置于芯片本体的下表面；谐振腔式阵列结构形成有不同深度的凹坑阵列；芯片本体的衬底形成有背腔，背腔与芯片本体的中心热端位置相对应；其中，凹坑表面设有反射层；凹坑与背腔对应设置，且凹坑与背腔共同构成谐振腔。
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公开(公告)号：CN117590822B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410078047.3
申请日：2024-01-19
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司 , 无锡芯灵微电子有限公司
发明人： 余方文
IPC分类号： G05B19/418 , G06Q10/063 , G16Y10/25 , G06Q10/0639 , G06Q50/04
摘要： 本发明涉及传感器加工监管技术领域，尤其涉及基于物联网的MEMS气体压力传感器点胶加工监管系统，包括监管平台、数据采集单元、气体监管单元、加工阻碍单元、干扰风险单元、点胶评估单元以及加工管理单元；本发明通过从点胶供给端和点胶前端两个角度进行分析，以降低干扰因素对MEMS气体压力传感器点胶加工的影响，以提高点胶加工质量和加工效率，且通过信息反馈的方式对设备进行合理、有针对性的管理，即从点胶供给端中的气体压缩和管路两个点进行分析，同时结合环境因素进行分析，以提高分析结果的准确性，而通过对点胶前端的运行数据进行加工质量风险评估操作，且结合点胶加工整体的影响情况进行分析，进一步提高分析精度和管理合理性。
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公开(公告)号：CN117590822A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202410078047.3
申请日：2024-01-19
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司 , 无锡芯灵微电子有限公司
发明人： 余方文
IPC分类号： G05B19/418 , G06Q10/063 , G16Y10/25 , G06Q10/0639 , G06Q50/04
摘要： 本发明涉及传感器加工监管技术领域，尤其涉及基于物联网的MEMS气体压力传感器点胶加工监管系统，包括监管平台、数据采集单元、气体监管单元、加工阻碍单元、干扰风险单元、点胶评估单元以及加工管理单元；本发明通过从点胶供给端和点胶前端两个角度进行分析，以降低干扰因素对MEMS气体压力传感器点胶加工的影响，以提高点胶加工质量和加工效率，且通过信息反馈的方式对设备进行合理、有针对性的管理，即从点胶供给端中的气体压缩和管路两个点进行分析，同时结合环境因素进行分析，以提高分析结果的准确性，而通过对点胶前端的运行数据进行加工质量风险评估操作，且结合点胶加工整体的影响情况进行分析，进一步提高分析精度和管理合理性。
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公开(公告)号：CN117301157A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311520770.4
申请日：2023-11-15
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种压力传感器电路板生产加工用校准定位装置，涉及电路板生产加工技术领域，本发明包括操作箱与操作支架，操作箱内表面的底端固定连接有操作支架，且操作箱内表面靠近顶端的位置设置有电动滑轨，电动滑轨的内部设置有滑座，且滑座的下端外表面安装有电动推杆一；本发明是通过采集并分析最终标记板裸露区域面积、限位板一的裸露面积与限位板二的裸露面积，能够精准地判断出电路板的偏移情况，校准模块根据电路板的校准情况自动控制校准机构运行对电路板的位置进行快速调整，使电路板位于操作支架的中心位置，避免打孔位置出现偏移，提高电路板的加工精度。
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公开(公告)号：CN117129114A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311371856.5
申请日：2023-10-23
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种带温补开环电桥平衡结构的高精度压力传感器，其通过采用了串联电阻模式，使得所需调节的电阻的阻值范围小，易于实现，温度补偿效果更好。其包括由第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4构成的惠斯通电桥，第二压敏电阻R2与第三压敏电阻R3之间设有调零电阻R5、且其两端分别连接地GND；当调零电压大于0时，则将第三压敏电阻R3与调零电阻R5相连的节点与地GND之间的线路切断，使得调零电阻R5与第三压敏电阻R3串联；当调零电压小于0时，则将第二压敏电阻R2与调零电阻R5相连的节点与地GND之间的线路切断，使得调零电阻R5与第二压敏电阻R2串联。
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公开(公告)号：CN117030111A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311289299.2
申请日：2023-10-08
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种倒装式传感器标定工装，包括工装上盖和工装底座；工装底座的顶面开设有若干密封槽，各密封槽的槽底均开设有环形的密封圈卡槽；所述工装上盖的底面开设有若干压头，位于压头周侧的工装上盖处设置有探针，在压头插置于密封槽内时，探针也位于密封槽内；在各密封槽的槽底均还开设有通气孔，通气孔的下端连接有进气孔，进气孔的一端贯穿工装底座以用于和压力控制器相连通。本发明的工装上盖和工装底座之间依靠竖向伸缩结构驱动上模位移而产生的压力来密封，不需要拧螺丝，可有效避免标定工装的磨损。本发明通过将探针置于工装上盖，传感器可以水平放置在密封槽中，当工装上盖盖在工装底座上时不会漏气，增强工装的气密性。
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公开(公告)号：CN116734937A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310909912.X
申请日：2023-07-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种倒装封的微流道MEMS气体流量芯片。本发明包括SOI衬底，设置有背腔；MEMS气体流量芯片本体，与SOI衬底相倒装集成，并与SOI衬底的背腔之间形成气体微流道通道结构；其中，MEMS气体流量芯片本体包括：硅衬底；热电堆，设置于硅衬底上，热电堆包括上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶以及中心热源；第一绝缘层，覆盖于热电堆且包括多个冷热端连接通孔；导线结构，包括分别通过冷热端连接通孔与上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源相接触的上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构。本发明改善了封装机械应力及大流量冲击对芯片的精度影响，提高了系统稳定性。
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