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公开(公告)号：CN115149398A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210763515.1
申请日：2022-06-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/028 , H01S5/0225
摘要： 本发明提供了一种基于腔面膜的边发射半导体激光器，用以解决常规镀膜后的半导体激光器光束质量差以及其后续使用多个光学元件产生的“回光”导致半导体激光器芯片可靠性低的技术问题。本发明提供的一种基于腔面膜的边发射半导体激光器，包括激光器基体、设置在激光器基体入光腔面上的高反膜和设置在激光器基体出光腔面上的增透膜；增透膜上设置有多个等宽等厚的凸起膜层，多个凸起膜层之间等距设置；凸起膜层宽度a取值范围为0.1λ～10λ，相邻两个凸起膜层的距离b取值范围为0.1λ～10λ，凸起膜层厚度d取值范围为0.1λ～5λ，其中，λ为激光器的出射波长。本发明还提供了另外两种不同结构的增透膜。
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公开(公告)号：CN114421276A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011101877.1
申请日：2020-10-09
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/02326
摘要： 本发明公开了一种采用轴对称型结构的半导体激光巴条封装技术和合束模组，若干个半导体激光巴条轴对称型的固定均匀分布于光纤耦合器的周围，共用同一套轴对称型夹具：合束模组采用内、外齿轮装夹半导体激光巴条的圆柱型对称结构的合束模组，齿数为奇数Q个，相套同心，半导体激光巴条均匀分布装夹于内、外齿轮的相互咬合齿之间，发光面与内、外齿轮的内表面位于同一柱面；所述光纤耦合器由裸光纤包层外表面垂直于光纤光轴刻蚀有衍射结构的光纤制成，激光在裸光纤表面被衍射进入光纤；扇形的装夹结构，巴条的发光面一端夹持更紧，有利于热传导，装夹具的热胀冷缩形变转换为内、外齿轮围绕圆心轴的角位移，不改变激光对光纤的照射，压应力得到缓解。
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公开(公告)号：CN114400496A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111582518.7
申请日：2021-12-22
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条，主要解决现有激光器阵列巴条存在光束质量较差以及容易烧毁的问题。该方法在外延晶体表面层进行刻蚀，形成表面脊条结构，脊条宽度控制在1‑5微米，两脊之间间距大于5微米，以上设置不仅提高了阵列巴条的功率，而且使其光束质量远超宽条单管器件的光束质量，同时本发明方法在巴条边缘形成多次台阶，并覆盖绝缘层氧化膜层，此台阶及绝缘介质层避免了焊料溢出引发的微短路而导致器件烧毁的问题。
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公开(公告)号：CN105513948B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201511023310.6
申请日：2015-12-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提出了一种新的GaAs材料表面改性的方法，能够稳定可靠地减少GaAs材料表面的缺陷、降低表面氧化的可能性、简化工艺步骤。该改性方法包括以下步骤：(1)将待处理的砷化镓材料置于真空腔室内，抽真空后通入惰性气体，在射频源的作用下形成稳定的等离子体进行物理清洁；(2)抽真空，然后向所述真空腔室通入腐蚀性气体，在射频源的作用下形成稳定的等离子体与材料表面的氧化层发生化学反应从而对砷化镓材料表面进行化学清洗，去除材料表面原有的氧化层和杂质并形成富Ga的材料表面；(3)抽真空，然后向所述真空腔室通入氮气，在射频源的作用下形成稳定的等离子体与富Ga的材料表面反应生成GaN材料钝化层。
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公开(公告)号：CN107741687A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711191957.9
申请日：2017-11-24
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本发明提出一种用于晶圆光刻的高精度对准方法，消除了砷化镓晶圆平边的打磨工艺对于光刻对准精度的影响，提高了光刻对准的精度。本发明的主要步骤有：(1)在载片台和光刻版的夹缝前设置独立照明光源，使晶圆底边的一侧完全被照亮，同时关闭显微镜自身的照明光源，通过显微镜观察光刻版；(2)将显微镜左右镜头中的光刻版图形进行平行对准；(3)将显微镜镜头高度下调，显微镜中的光刻版图形变得模糊，边界变得不再清晰；继续调整显微镜镜头的高度，直至观察到砷化镓晶圆平边的底边；(4)将显微镜左右镜头中的平边底边进行平行对准，即完成了光刻版图形与晶圆平边底边的对准。
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公开(公告)号：CN106025789A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610505896.8
申请日：2016-06-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028
摘要： 本发明提出一种新的半导体激光芯片腔面镀膜夹具，夹持稳定，结构简明，操作方便，易加工、可大批量镀膜，有效改善镀膜质量。该半导体激光芯片腔面镀膜夹具包括平板U型框组件和位于U型开口端的堵头组件，在平板U型框组件和堵头组件合围形成的平面闭合区域内，若干个巴条自U型闭合端向U型开口端依次堆叠排列；平板U型框组件的U型中板的内侧宽度大于下板和U型上板的内侧宽度，使得若干巴条的两端侧腔部位恰好承托于下板留出的轨面上、并被U型上板留出的轨面压盖、同时由U型中板在水平方向限位，所述堵头组件自U型开口端向U型闭合端对所述若干个巴条施加顶紧的压力。
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公开(公告)号：CN102801108A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210275276.1
申请日：2012-08-03
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明提供了一种多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。本发明采用量子阱层发光区相互交错的方式，降低了有源区热串扰，减小了系统热阻；可实现激光大功率输出。
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公开(公告)号：CN209232758U
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201822237468.9
申请日：2018-12-28
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本实用新型提出一种用于湿法有机清洗工艺固定晶圆的装置，保证半导体激光器芯片在清洗环节中不受损伤的前提下，提高清洁效果。该装置包括用于吸附晶圆的载台、与载台背面密封固定的后盖以及与后盖固定的手柄，载台正面设置有若干吸附孔，后盖与载台闭合形成与所述若干吸附孔连通的腔室；手柄内具有中空管路，中空管路一端连通所述腔室，另一端通过软管接真空泵；使用时，操作者一只手持该装置的手柄，在不锈钢的带有废液回收的保护罩中，另一只手持喷枪对晶圆表面进行喷淋，既保证了湿法有机清洗工艺的有效性，又降低了使用喷枪清洗的碎片率，提高了产品的良品率及生产的效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205508801U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201620256134.4
申请日：2016-03-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 为了提高工艺的稳定性和生产效率，避免产生裂片导致整个晶圆报废的问题，本实用新型提出一种新的压环结构。该压环结构包括环形的压环本体，压环内边缘的下表面设置有至少三个垂直向下的突起，这些突起沿圆周均等分布，满足在工艺过程中所述突起压接在晶圆的上表面。本实用新型通过在压环内边缘设置垂直方向上的突起，在保证压接稳定性的前提下，能够尽可能地减小压环与晶圆的接触面积，避免了二者的粘连问题；同时不影响工艺的效果。
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公开(公告)号：CN205508798U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201620256131.0
申请日：2016-03-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本实用新型提出了一种用于晶圆加工的轴心定位装置，省去了在涂胶工艺过程中手动对准需要反复对准调整和确认的过程。该辅助工具具有弯折结构，主要由一组基础立面、一个基础台面和一组限位立面依次弯折形成，基础立面和限位立面均为平直的面；该弯折结构的水平投影形状是基于四边形缺角形成的多边形；弯折结构中所述基础台面的形状满足与载片台下表面贴合；基础立面与限位立面的距离满足所述一组基础立面与载片台支撑部侧壁相切的同时，所述一组限位立面与晶圆边缘相切。该辅助工具制作简单，使用方便，不需要更改设备设计，既保证了光刻涂胶工艺的稳定性，又缩短了手动对准反复调整和确认的耗时过程，提高了生产效率。
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