一种SMD谐振器及其加工方法
    61.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110784189A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201911336054.4

    申请日:2019-12-23

    发明人: 李斌 黄屹

    IPC分类号: H03H9/19 H03H3/04

    摘要: 本发明公开了一种SMD谐振器,包括基座、盖板和谐振片,所述基座包括底板、侧板,所述基座和盖板共同围成谐振片的容腔;所述侧板上设有凹槽;所述谐振片通过导电胶点与所述凹槽相粘结。所述凹槽的横截面为三角形、梯形、矩形或圆弧形。所述谐振片为石英谐振片。本发明还公开了一种加工SMD谐振器的方法:1)制作盖板及陶瓷基座,并在基座的侧板上设置凹槽;2)在谐振片或凹槽的相应位置点胶;3)安装谐振片;4)加盖板。本发明的有益效果:一是胶点在谐振片上的位置一致性得以提高,进而使产品性能一致性得以提高;二是有利于缩小器件整体尺寸或者还可以加大谐振片尺寸,有利于提高稳定性。

    振荡装置及电子设备
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110572134A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910864681.9

    申请日:2019-09-12

    发明人: 何川

    IPC分类号: H03H3/02 H03H3/04 H03H9/15

    摘要: 本公开涉及振荡装置及电子设备,应用于电子设备中,所述电子设备包括风扇,所述装置包括检测模块、振荡模块、变容模块及控制模块,所述控制模块,电连接于所述检测模块、所述变容模块及所述振荡模块,用于:根据所述电子设备的温度和/或所述风扇的转速、及预设对应关系确定电容调整参数,所述预设对应关系包括电子设备的温度和/或风扇的转速与电容调整参数的对应关系;利用所述电容调整参数调整所述变容模块的电容。本公开利用所述电容调整参数调整所述变容模块的电容,以降低温度、振动对振荡模块的影响,使得振荡装置在不同的温度、振动条件下可以输出频率准确的时钟信号,以提高装置的环境适应性,确保电子设备能够正常工作。

    薄膜体声波谐振器及其制造方法以及薄膜体声波滤波器

    公开(公告)号:CN110445474A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201810417104.0

    申请日:2018-05-04

    摘要: 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法,包括:提供晶圆衬底;在晶圆衬底上形成布拉格反射层;在布拉格反射层上依次形成下电极层、压电层以及上电极层三层薄膜以在晶圆衬底上形成多个薄膜体声波谐振器单元,其中,所述下电极层、所述压电层、所述上电极层中的两层薄膜在晶圆衬底上的厚度按照第一变化趋势分布、另一层薄膜在晶圆衬底上的厚度按照第二变化趋势分布,第一变化趋势与第二变化趋势相反。实施本发明可以有效地减小薄膜体声波谐振器单元在整片晶圆衬底上的频率分布范围。相应地,本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器。

    一种封装内热式高精密晶体谐振器及装配方法

    公开(公告)号:CN110401427A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910604923.0

    申请日:2019-07-05

    IPC分类号: H03H3/04

    摘要: 本申请公开了一种封装内热式高精密晶体谐振器及装配方法,解决了高稳石英晶体振荡器现有技术功耗大,体积大的问题。一种封装内热式高精密晶体谐振器,金属片等温体与加热电路分别位于石英晶片的两侧。金属盖和金属基座将石英晶片、金属片等温体和加热电路真空封装,所述加热电路与金属基座上的引脚连接。本申请装置的装配方法,包含以下步骤:加热电路安装在陶瓷基板上;陶瓷基板安装在金属基座上;将石英晶片安装在陶瓷基板的支撑架上;将金属片等温体与陶瓷基板连接;键合处点上导电胶,用真空烤箱使导电胶固化;调试频率,达到频率精度要求;将装置封装。本申请有助于石英晶体振荡器小型化,同时可以很好解决高稳石英晶体振荡器的低功耗要求。

    体声波谐振器及其制作方法、滤波器

    公开(公告)号:CN109639251A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811502539.1

    申请日:2018-12-10

    IPC分类号: H03H3/02 H03H3/04

    摘要: 本公开提出了一种体声波谐振器及其制作方法、滤波器;其中,所述具有温度补偿特性的体声波谐振器包括:衬底;在所述衬底上的空气隙型声反射单元;在所述声反射单元上的压电堆叠结构;以及;在所述压电堆叠结构上焊盘;其中,所述体声波谐振器还包括在所述衬底与所述压电堆叠结构之间、和/或所述压电堆叠结构之上的厚度经过特殊设计的布拉格反射结构。本公开体声波谐振器及其制作方法、滤波器,改善了温度稳定性,有效提升了器件的性能。

    可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109474252A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811271504.1

    申请日:2018-10-29

    申请人: 武汉大学

    IPC分类号: H03H3/02 H03H3/04

    摘要: 本发明提供了一种可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法。本发明提供的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:衬底,中部具有向上开口的凹槽;SiC/Diamond薄膜层,形成在衬底上,中部设有与凹槽对应的贯穿口;以及压电震荡堆部,形成在SiC/Diamond薄膜层上,并且位于贯穿口的正上方,从下至上依次包括:底电极、压电层、和顶电极。本发明利用SiC/Diamond薄膜层声波传播速率快、硬度高的特点,可以很好的抑制压电薄膜中产生的横向振动模式的声波,并且可以减小软质衬底引入的机械阻尼,减少声波能量损耗,降低薄膜体声波谐振器的插入损耗,获得高的Q值和机电耦合系数。

    一种稳定效果好的石英晶振全自动调频机

    公开(公告)号:CN109361369A

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201811429682.2

    申请日:2018-11-28

    发明人: 陶晶晶

    IPC分类号: H03H3/04 H03H9/215

    摘要: 本发明涉及自动调频机技术领域,且公开了一种稳定效果好的石英晶振全自动调频机,包括底板,所述底板的顶部固定安装有四个支板,四个所述支板的顶部均与顶板固定连接,所述顶板的底部固定安装有左右对称分布的轴承,左侧所述轴承的内部固定安装有一端延伸至右侧轴承内部的转杆,所述转杆的外侧设有顺向螺纹,所述转杆的外侧设有位于顺向螺纹右侧的逆向螺纹,所述顺向螺纹和逆向螺纹的外侧均螺纹连接有套管,所述底板和顶板的相对一侧固定安装有滑轨,底部所述滑轨的顶部滑动安装有左右对称的滑块。该稳定效果好的石英晶振全自动调频机,具备固定稳定等优点,可有效的减少打磨时石英晶振的晃动,使石英晶振打磨的更为精准。

    谐振子以及谐振装置
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109155615A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780028887.7

    申请日:2017-03-16

    IPC分类号: H03H3/04 H03H9/02 H03H9/24

    摘要: 抑制谐振子上的绝缘体层或者绝缘体层上的导电层带电的电荷给谐振频率带来的影响。具备:第一电极以及第二电极;压电膜,被设置在第一电极与第二电极之间,并具有与第一电极对置的上表面,当电压施加于第一电极和第二电极之间时以规定的振动模式振动;保护膜,由绝缘体构成,并隔着第一电极与压电膜的上表面对置地设置;以及导电膜,由导电体构成,并隔着保护膜与压电膜的上述上表面对置地设置,导电膜与第一电极以及第二电极中的任意一方电连接。

    滤波电路
    69.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108370242A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201680073773.X

    申请日:2016-11-29

    IPC分类号: H03H3/04 H03H9/205 H03H9/60

    摘要: 本发明涉及一种滤波电路(100),该滤波电路具有通过体声波工作的第一和第二谐振器(2,3),其中该第一谐振器(2)具有第一压电层(4),该第一压电层如此结构化,即使得该第一谐振器(2)具有比该第二谐振器(3)低的谐振频率,其中该第一压电层(4)通过凹口(14)结构化,这些凹口穿过该第一压电层(4),其中该第一谐振器(2)和该第二谐振器(3)作为串联谐振器(102,105)与该滤波电路(100)的信号路径串联连结,或其中该第一谐振器(2)和该第二谐振器(3)作为并联谐振器(103,106)如此与该滤波电路(100)的信号路径连结,即使得这些谐振器的电极分别与该信号路径连接。

    单晶压电射频谐振器和滤波器的制备方法

    公开(公告)号:CN108365829A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201810007424.9

    申请日:2018-01-04

    IPC分类号: H03H3/007 H03H3/02 H03H3/04

    摘要: 一种制备包含一系列谐振器的射频(RF)滤波器的方法,包括以下步骤:获得一个拥有释放层的可移除载体;在释放层上制备压电薄膜;在压电膜上沉积第一电极层;在硅盖上制备背膜;在电极上方附接晶圆背膜;分离可移除载体;必要时测量压电和修整;选择性地腐蚀压电膜形成岛屿;腐蚀涂层和硅晶膜形成SiO2;在腐蚀沟槽和压电岛周围及上方涂上钝化层;施加上电极;添加联轴器用于连接转接板;选择性地移除电极材料以留出稱合的谐振器;制造垫片;削薄硅盖;在SOI中制造腔体(除非使用带有腔体的SOI);分割;获取转接板;制造环氧树脂坝结构;将滤波器连接到转接板衬底(倒装芯片);封装;以及分离。