薄膜体声波谐振器及其制造方法以及薄膜体声波滤波器

    公开(公告)号:CN110445474A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201810417104.0

    申请日:2018-05-04

    摘要: 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法,包括:提供晶圆衬底;在晶圆衬底上形成布拉格反射层;在布拉格反射层上依次形成下电极层、压电层以及上电极层三层薄膜以在晶圆衬底上形成多个薄膜体声波谐振器单元,其中,所述下电极层、所述压电层、所述上电极层中的两层薄膜在晶圆衬底上的厚度按照第一变化趋势分布、另一层薄膜在晶圆衬底上的厚度按照第二变化趋势分布,第一变化趋势与第二变化趋势相反。实施本发明可以有效地减小薄膜体声波谐振器单元在整片晶圆衬底上的频率分布范围。相应地,本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器。

    一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法

    公开(公告)号:CN110287653A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910716004.2

    申请日:2019-08-05

    IPC分类号: G06F17/50 H03H9/00 H03H9/02

    摘要: 本发明提供了一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法,该提取方法包括:构建体声波谐振器的Mason模型;对Mason模型进行简化处理以得到体声波谐振器的SIR模型,SIR模型的谐振频率仅与体声波谐振器的材料参数和结构参数有关、且SIR模型的谐振频率与Mason模型的并联谐振频率相等;建立SIR模型的谐振频率与体声波谐振器的材料参数以及结构参数之间关系式;测量得到多个体声波谐振器的并联谐振频率以及结构参数;根据关系式、以及测量得到的并联谐振频率和结构参数拟合得到体声波谐振器的材料参数。实施本发明可以准确提取出体声波谐振器的材料参数,且操作简单、成本低廉。

    压电声波器件的封装方法及封装结构

    公开(公告)号:CN108512523A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201711076390.0

    申请日:2017-11-06

    摘要: 本发明提供了一种压电声波器件的封装方法,该封装方法包括:提供裸芯片,该裸芯片的表面设置有多个金属端口,该多个金属端口分布在裸芯片的有效活动区的外侧;在裸芯片的表面上形成环绕有效活动区的密封墙;在裸芯片的多个金属端口上形成导电凸起块;提供基板,该基板的一个表面上设置有与裸芯片的多个金属端口对应的第一焊盘,另一个表面上设置有第二焊盘;通过倒装工艺将裸芯片的导电凸起块与基板的第一焊盘进行电连接;在基板上形成对裸芯片进行覆盖的密封外壳。相应地,本发明还提供了一种压电声波器件的封装结构。实施本发明将传统密封工艺上的不稳定性转移到基板表面,从而有效地保护了压电声波器件的有效活动区。

    一种封装器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN109786270A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811504669.9

    申请日:2018-12-10

    摘要: 本发明提供了一种封装器件的制造方法,该制造方法包括:提供待封装器件芯片,该待封装器件芯片包括基底、功位于该基底上的功能区、以及位于该基底上且环绕该功能区设置的金属接触点和密封环;在功能区的上方沉积形成覆盖功能区的填充层;在待封装器件芯片上沉积形成覆盖待封装器件芯片以及填充层的第一密封层;在第一密封层上形成多个通孔以暴露填充层,并通过多个通孔去除填充层;在第一密封层上沉积第二密封层对多个通孔进行密封后形成封装器件。相应地,本发明还提供了一种封装器件。实施本发明有利于简化封装工艺流程、降低生产成本以及提高封装效率。

    一种封装器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN109786270B

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201811504669.9

    申请日:2018-12-10

    摘要: 本发明提供了一种封装器件的制造方法,该制造方法包括:提供待封装器件芯片,该待封装器件芯片包括基底、位于该基底上的功能区、以及位于该基底上且环绕该功能区设置的金属接触点和密封环;在功能区的上方沉积形成覆盖功能区的填充层;在待封装器件芯片上沉积形成覆盖待封装器件芯片以及填充层的第一密封层;在第一密封层上形成多个通孔以暴露填充层,并通过多个通孔去除填充层;在第一密封层上沉积第二密封层对多个通孔进行密封后形成封装器件。相应地,本发明还提供了一种封装器件。实施本发明有利于简化封装工艺流程、降低生产成本以及提高封装效率。

    一种薄膜体声波谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器

    公开(公告)号:CN110289825A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910688066.7

    申请日:2019-07-29

    IPC分类号: H03H3/02 H03H9/54 H03H9/70

    摘要: 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器的制造方法,该制造方法包括:刻蚀基底形成第一凹槽并在该第一凹槽内填充牺牲层;在所述基底和所述牺牲层上形成阻挡层;在所述阻挡层上形成第一支撑层,并刻蚀所述第一支撑层直至暴露所述阻挡层以在所述牺牲层上方形成第二凹槽;在所述第二凹槽的表面上形成下电极,以及在该下电极上依次形成压电层和上电极;去除所述第一支撑层以形成环绕所述下电极侧面的第一空间、以及去除所述牺牲层以在所述下电极下方形成第二空间。相应地,本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器、滤波器以及双工器。实施本发明可以有效降低器件的声波损失进而提高器件性能。

    压电声波谐振器、压电声波滤波器、双工器及射频通信模块

    公开(公告)号:CN108649920A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201711475623.4

    申请日:2017-12-29

    IPC分类号: H03H9/17 H03H9/54 H03H9/70

    摘要: 本发明提供了一种压电声波谐振器,其有效工作区的形状是多边形,该有效工作区中的第一边和第二边分别对应于压电声波谐振器的输入边和输出边,有效工作区的外框定义为可以包围有效工作区、且存在一条边与第一边或第二边重合的面积最小的矩形;外框中与第一边或第二边重合的一条边具有第一长度,外框中与一条边垂直的边具有第二长度,第一长度与第二长度的比例范围是1~4;第一边和第二边的长度之和与有效工作区的周长的比例范围是0.4~0.7,其中,第一边和第二边的长度与有效工作区的周长的比例范围均是0.2~0.35。本发明还提供了压电声波滤波器、双工器及射频通信模块。实施本发明能够改善压电声波谐振器的电学传输损耗,进而改善压电声波滤波器的插入损耗。

    一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法

    公开(公告)号:CN110135037A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910371907.1

    申请日:2019-05-06

    IPC分类号: G06F17/50 H03H9/00 H03H9/02

    摘要: 本发明提供了一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法,该提取方法包括:构建体声波谐振器的Mason模型;对Mason模型进行简化处理以得到体声波谐振器的SIR模型,SIR模型的谐振频率仅与体声波谐振器的材料参数和结构参数有关、且SIR模型的谐振频率与Mason模型的并联谐振频率相等;建立SIR模型的谐振频率与体声波谐振器的材料参数以及结构参数之间关系式;测量得到多个体声波谐振器的并联谐振频率以及结构参数;根据关系式、以及测量得到的并联谐振频率和结构参数拟合得到体声波谐振器的材料参数。实施本发明可以准确提取出体声波谐振器的材料参数,且操作简单、成本低廉。

    薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器

    公开(公告)号:CN208143193U

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201820654231.8

    申请日:2018-05-04

    摘要: 本实用新型提供了一种薄膜体声波谐振器结构,该薄膜体声波谐振器结构包括晶圆衬底以及位于该晶圆衬底上的多个叠层结构,该多个叠层结构与所述晶圆衬底形成多个薄膜体声波谐振器单元,每一叠层结构从下至上均依次包括布拉格反射层、下电极层、压电层以及上电极层,其中,所述多个薄膜体声波谐振器单元中的下电极层、压电层、上电极层中的两层薄膜在所述晶圆衬底上的厚度按照第一变化趋势分布、另一层薄膜在该晶圆衬底上的厚度按照第二变化趋势分布,其中,第一变化趋势与第二变化趋势相反。本实用新型所提供的薄膜体声波谐振器结构上的薄膜体声波谐振器单元其频率分布均匀。相应地,本实用新型还提供了一种薄膜体声波滤波器。